Блоки нг-генератор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 326715
Автор: Филин
Текст
326715 О П И СА Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик, Кл. Н 031 с 3,128 443945/2 аявлено 02.И,1970 рисоединением заявкиПриоритетОпубликован Комитет по деламбретений и открыти,1.1972. Бюллетень4 с, 621,373,431.2 (088,8 Совете Мииистро СССР ата опубликования описания 6.111.1972 Авторизобретения Ю. Г. Фили явитель БЛОКИ НГ-ГЕН ЕРАТ и 5 разногтор б. При включении напряжения питания конденсатор 1 начинает заряжаться. Когда напряжение на конденсаторе 1 увеличится до напряжения на резисторе 2, начинает отпираться транзистор 4. Коллекторный ток транзистора 4 одновременно определяет базовый ток, отпирающий транзистор 5, а коллекторный ток последнего - базовый ток, отпирающий транзистор 4, то есть имеет место развитие процесса включения транзисторов, аналогпчное включешпо тирпстора. Транзпсторы 4 и 5 насыщаютсдит быстрый разряд кондепсатортранзисторы снова запираются,вторяется.Трансформатор б не участвует в разрелаксацпонных колебашш, поэтому ппиально возможно исключение трансфтора из схемы вообще, но для формиромощного импульсного сигнала в моменряда конденсатора за счет перемагничсердечника наличие трансформатора вцелесообразно.Таким образом, обмотка трансформвключсппая в базовую цепь транзисторройства по авт. св,210219 и входяднаона моста, можесхемы. я, и происхоа, после чего , процесс повитии инцп- ормавания т разваппя схеме щая и сна пз Изобретение относится к радиотехнике, а именно к блокинг-генераторам на транзисторах.По авт. св,210219 известен блокинг-генератор на транзисторах разного типа прово димости, базы которых соединены с коллекторами соответствующих транзисторов, выполненный по схеме моста, плечи которого образованы резисторами и конденсаторами, а диагональ - последовательно соединенными дву мя обмотками трансформатора и переходом база - эмиттер транзистора соответствующего типа проводимости.Однако включение обмотки трансформатора в базовую цепь одного из транзисторов и 15 соответственно в диагональ моста усложняет схему блокинг-генератора.Целью изобретения является упрощение блокинг-генератора при сохранении его основных характеристик. 20Достигается это тем, что диагональ моста, входящего в состав генератора, образована одной обмоткой трансформатора и переходом база - эмиттер транзистора, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и 25 терез резистор подключен к общей шине,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного блокинггенератора.Блокинг-генератор содержит конденсатор 1, 30 делитель на резисторах 2 и 3, транзисторы 4 тпа проводимости и транс326715 Составитель Л. Багян Редактор Н. Спиридонова Техред 3. Тараненко Корректор Н, Коваленко Заказ 42713 Изд.154 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Это упрощает схему известного блокинг-генератора и трансформатор, входящий в его состав. Предме г изобретенияБлокинг-генератор по авт. св.20219, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью упрощения блокинг-генератора при сохранении его основных характеристик, диагональ моста, входящего в состав генератора, образована одной обмоткой трансформатора и переходом 5 база - эмиттер транзистора, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и через резистор подключен к общей шине,
СмотретьЗаявка
1443945
Ю. Г. Филин
МПК / Метки
МПК: H03K 3/30
Метки: блоки, нг-генератор
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-326715-bloki-ng-generator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Блоки нг-генератор</a>
Генератор импульсов
Номер патента: 680150
Опубликовано: 15.08.1979
Автор: Матвиенко
МПК: H03K 3/02
...а на коллекторе транзистора 3 падает. В некоторый момент времени диод 10 откроет 40 ся и через розистор 11 и участок коллектор-эмиттер транзистора 3 защунтиру . ет входную цепь транзистора 2. Процесс заканчивается насыщением всех транзис торов, В течение времени, когда ток раз 45 ряда конденсатора 4 достаточен для удержания транзисторов в насышениии, формиру- ется вершина импульсов. В этой фазе работь вь.хопное напряжение равно остаточ ному напряжению между коллектором и50 эмиттером транзистора 3. По мере раэря да конденсатора 4 ток эмиттера транзистора 1 стремится к току через резистор 5 и, если этот ток недостаточен для насыщения транзисторов (условие автоколе/55 бательного режима), то в некоторый момент времени коэффициент...
Генератор пилообразного напряжения
Номер патента: 855969
Опубликовано: 15.08.1981
Авторы: Ванжула, Ковтун, Маслий
МПК: H03K 4/08
Метки: генератор, пилообразного
...схема устройства.Устройство содержит конденсатор 1,диод 2, транзисторы 3 - 5, туннельный диод 6 стабилитрон 7, резисторьг 8 - -1 О.855969 20 Формула изобретения Составитель ЛТехред А. Бойкаираж 988рственного кообретений и- 35, Раушск, г. Ужгород,Горбачевс Ко рректор О. БилаодписноеСР митета ССоткрытийая наб., дул Прае 4/5тная, 4 Устройство работает следу юшим обраПри включении источника питания заряжается конденсатор 1 током транзистора 3, При этом открывающий потенциал базы токостабилизнрующего транзистора 4 увеличивается и растет ток эмиттера транзистора 4, что приводит к увеличению тока туннельного диода 6. При достижении пикового значения последний переходит в высоковольтное состояние и открывает транзистор 5. При этом...
Генератор импульсов
Номер патента: 1742979
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Богданович, Тюльменков
МПК: H03K 3/02
...Конденсатор 5 разряжается медленнее, чем уменьшается напряжение на базе транзистора 4. Поэтому, когда напряжение на базе транзистора 4 станет меньше, чем напряжение на разряжающемся конденсаторе, откроется эмиттерный переход транзистора 4, Ток коллектора транзистора 4, суммируясь с током эмиттера транзистора 1, еще больше откроет транзистор 2. За счет положительной обратной связи по току между транзисторами 2 и 4 возникает лавинообразный процесс открывания и насыщения транзисторов 2 и 4. На выходной шине 12 установится низкий уровень напряжения, После открывания и насыщения транзисторов 2 и 4 конденсатор 5 будет разряжаться через эти транзисторы, потому что их внутреннее сопротивление и падения напряжения на них будут меньше,...
Двухступенчатый стабилизатор напряжения постоянного тока
Номер патента: 951266
Опубликовано: 15.08.1982
Автор: Кожуховский
МПК: G05F 1/56
Метки: двухступенчатый, постоянного, стабилизатор
...чем большеток нагрузки, тем при больших напряжениях на переходах будут открываться А -транзистор: 4 и транзистор 2,а это приводит к резкому увеличениюрассеиваемой мощности на транзисторе 2 и снижению КПД, если падениенапряжения на внутреннем сопротивлений источника входного напряжениянедостаточное для обеспечения насыщенного режима работы транзистора 2,В таких случаях для исключения перегрева транзистора 2 и уменьшения КПД должна использоваться схема стабилизатора но фиг. 3, В этой схеме после закрывания транзистора 2 напряжение на переходе коллектор-эмиттер растет и когда достигает рабочего напряжения стабилитрона 13, начинает заряжаться конденсатор 19 и открывается транзистор 20, который переходом коллектор - эмиттер шунтирует переходы...
Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов
Номер патента: 175143
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Маркова, Стружинский
МПК: H01L 21/18
Метки: величины, германиевых, коэффициента, току, транзисторов, усиления
...ератур а при куо ллий, ность темп меди,же, кдий, гавозмонрабочи бретения едм икеля высок приприближается к Подписная группа9 Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава. Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологическии разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей...
Предыдущий патент: Фантастронный генератор импульсов
Следующий патент: Формирователь импульсов тока
Случайный патент: Способ подготовки поверхностей деталей под диффузионную сварку