Генератор импульсов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 742979 51)5 Н 03 К 3/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ асширение диапаи повышение стаГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Кустовой вычислительный центр Белорусского республиканского банка Госбанка СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 680150, кл. Н 03 К 3/02, 06.04.76.(57) Изобретение относится к импульснойтехнике, в частности к генераторам импульсов, и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного Изобретение относится к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов, и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения.Цель изобретения - рзона регулировки частотыбильности частоты.На фиг.1 представлена принципиальная электрическая схема генератора импульсов; на фиг.2 - временные диаграммы его работы.Генератор импульсов содержит транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости, транзисторы 3 и 4 второго типа проводимости. База и коллектор транзисгора 1 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора 5, с эмиттеназначения. Цель изобретения - расширение диапазона регулировки частот и повышение стабильности частоты - достигается тем, что в генератор импульсов, содержащий транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости, транзистор 3 второго типа проводимости, конденсатор 5, резисторы 6, 9, 10, 11 и 13, шину питания 7, общую шину, выходную шину 12, введен транзистор 4 второго типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 2, эмиттер транзистора 4 соединен с эмиттером транзистора 3. 2 ил,ром транзистора 4 и через резистор 6 подключен к шине питания 7. Вторая обкладка конденсатора 5 соединена с общей шиной 8 и эмиттером транзистора 2. База и коллектор транзистора 2 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 4. В схеме имеются резисторы 9 и 10. Эмиттер транзистора 1 соединен с базой транзистора 2 и через резистор 11 подключен к общей шине 8. Коллектор транзистора 2 соединен с выходной шиной 12 и через резистор 13 подключен к шине питания. Резистор 13 на один - два порядка более низкоомный, чем резисторы 9 и 10,Генератор импульсов работает следующим образом.При включении питания транзисторы 1, 2, 3 и 4 закрыты, На базе транзистора 3 положительное напряжение, равное 0,6Опит, где Опт - напряжение источника питания. На базе транзистора 4 и на выходной шине 12 положительное напряжение, приблизительно равное Опит, Конденсатор 5 заряжается по цепи: шина питания - резистор 6, верхняя обкладка конденсатора 5 - нижняя обкладка конденсатора 5 - общая шина. Когда напряжение на конденсаторе 5 превысит напряжение на базе транзистора 3, то транзистор 3 открывается. Ток коллектора транзистора 3 открывает транзистор 1, ток коллектора которого еще больше открывает транзистор 3. За счет положительной обратной связи между транзисторами 3 и 1 возникает лавинообразный процесс переключения их в режим насыщения, Конденсатор 5 начинает разряжаться по цепи: верхняя обкладка конденсатора 5 - переход эмиттер - база транзистора 3 - переход коллектор - эмиттер транзистора 1 - переход база - эмиттер транзистора 2 - общая шина. Поэтому транзистор 2 открывается, и напряжение на его коллекторе, база транзистора 4 и на выходной шине достаточно быстро уменьшается. Конденсатор 5 разряжается медленнее, чем уменьшается напряжение на базе транзистора 4. Поэтому, когда напряжение на базе транзистора 4 станет меньше, чем напряжение на разряжающемся конденсаторе, откроется эмиттерный переход транзистора 4, Ток коллектора транзистора 4, суммируясь с током эмиттера транзистора 1, еще больше откроет транзистор 2. За счет положительной обратной связи по току между транзисторами 2 и 4 возникает лавинообразный процесс открывания и насыщения транзисторов 2 и 4. На выходной шине 12 установится низкий уровень напряжения, После открывания и насыщения транзисторов 2 и 4 конденсатор 5 будет разряжаться через эти транзисторы, потому что их внутреннее сопротивление и падения напряжения на них будут меньше, чем у транзисторов 1 и 3 (так как в эмиттерной цепи транзистора 1 включена достаточно высокоомная база транзистора 2). Таким образом, окончание разряда конденсатора 5 будет происходить через транзистор 2 и 4, а транзисторы 1 и 3 начнут закрываться. После разряда конденсатора 5 транзисторы 2 и 4 начнут закрываться, и на выходной шине 12 вновь восстановится высокий уровень напряжения. Работа генератора импульсов поясняется временной диаграммой на фиг.2. Соотношение времен заряда и разряда конденсатора на фиг.2 условно не выдерживается. Реальное время заряда на один - два порядка больше времени разряда, 5 10 ров 9 и 10 Благодаря тому, что максимальный пе 15 риод следования импульсов определяется 20 25 30 35 40 45 50 55 Таким образом, регенеративный процесс в генераторе импульсов начинается с лавинообразного процесса включения транзисторов 3 и 1, причем ток эмиттера транзистора 3, при котором начинается этот процесс, определяется величиной резисторов 9 и 10.Регенеративный процесс в генераторе заканчивается выключением транзисторов 4 и 2, .ток выключения которых определяется величиной резистора 13, которая на один - два порядка меньше, чем величина резистовеличиной резисторов 9 и 10, а минимальный - величиной резистора 13, в предложенном устройстве достигается расширение диапазона регулировки частоты следования импульсов.Повышение стабильности частоты следования импульсов в предложенном устройстве достигается за счет уменьшения остаточного напряжения на конденсаторе до 0,7 - 1,0 В, которое весьма нестабильно при изменениях температуры. Уменьшение остаточного напряжения на конденсаторе достигается за счет более глубокого разряда конденсатора через транзисторы 4 и 2, которые соединены непосредственно с общей шиной. В и рототи пе последовател ь но с транзисторами регенеративного ключа включен эмиттерный переход транзистора, что увеличивает остаточное напряжение на конденсаторе до 1,5 - 2,0 В, т.е, в два раза.Формула изобретения Генератор импульсов, содержащий первый и второй транзисторы первого типа проводимости, третий транзистор второго типа проводимости, база и коллектор первого транзистора соединены соответственно с коллектором и базой третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора и через первый резистор подключен к шине питания, вторая обкладка конденсатора соединена с общей шиной, коллектор первого транзистора соединен через второй и третий резисторы соответственно с шиной питания и общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и через четвертый резистор подключен к общей шине, которая соединена с эмиттером вторсго транзистора, коллектор которого соединен с выходной шиной и через пятый резистор подключен к шине питания, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью расширения диапазона регулировки частот и повышения стабильности частоты, в него введен четвертый транзистор второго типа проводимости, ба1742979 5 т Составитель Н.Маркинедактор О.Стенина Техред М.Моргентал Корректо аказ 2294 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 за и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора, а эмиттер подключен к эмиттеру третьего транзистора