Пьезокерамический виброприемник

Номер патента: 994654

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Круглов

МПК: E04B 1/58

Метки: плиты, покрытия, соединения, структурной, узел, элементов

...с расположенным под углом к ним вертикальным фланцем, и торец раскоса, с ребром, закрепленным в нем и соединенным со стержнями основания, снабжен расположенными в разных уровнях накладками, каждой из которых соединены концы смежных стержней основания пирамиды и фланец, а раскос прикреплен ребром к ближайшей накладке.На фиг, 1 представлена структурнаяплита, общий вид; на фиг. 2 - узел соединения стержней в основании пирамидального элемента; на фиг. 3 - узел соедине ния пирамидальных элементов; на фиг. 4 -разрез А - А на фиг. 3.Узел соединения элементов структурнойплиты покрытия включает торцы стержней основания пирамиды 1, соединенные с расположенным под углом к ним вертикальным 2 О фланцем 2, и торец раскосного стержня 3с ребром 4,...

Номер патента: 561079

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Вяхорев, Трахтенберг

МПК: G01B 7/04

Метки: изоляционных, методом, немагнитном, основании, покрытий, проводящем, токовихревым, толщины

...достигается тем,что после усиления преобразуют нелинейно одновременно амплитуду и фазувносимого напряжения и по разностимежду логарифмом амплитуды преобразованного сигнала и логарифмом тангена фазы этого сигнала, деленной попоам, определяют искомую величину.Над контролируемым основанием снанесенным на него изоляционным покрытием располагают токовихревой накладной преобразователь и питают его отгенератора переменного тока. Напряжение холостого хода преобразователякомпенсируют компенсатором переменного напряжения и вносимое контролируеьым изделием напряжение преобразователя пропускают через усилитель пере56 1079 Составитель АндриевскийРедактор Б.федотов Техред Н.Андрейчук Корректор М,Демчик Заказ 1559/146 Тираж 907 ПодписноеЦНИИПИ...

Номер патента: 567086

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Будкин, Вяхорев, Трахтенберг, Фоменко

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, немагнитном, основании, покрытий, проводящем, токовихревое, толщины

...преобразователя, а фазочувствительный детектор 8 - в фазе, причем его выходное напряжение имеет противоположную полярность относительно выходного напряжения фазочувствительного детектора 7. Напряжение с выходов детекторов суммируется сумматором 11. Кроме того, выходное напряжение детектора 7 активной составляющей напряжения преобразователя преобразуется ключом 9 и блоком 13 нелинейной функции у=хе- и суммируется дополнительным сумматором 12 с выходным напряжением сумматора 11. Выходное напряжение дополнительного сумматора 12 регистрируется индикатором 10 толщины диэлектрических покрытий. Увеличение точности измерения толщины покрытия при малых значениях удельной проводимости основания доспигается путем дополнительного...

Номер патента: 593132

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Вяхорев, Фоменко

МПК: G01N 27/86

Метки: вихретоковое, диэлектрического, неферромагнитного, основания, покрытия, толщины, электропроводимости

...предлагаемого устройства.Устройство содержит генератор 1 переменного тока, накладные измерительный и компенсационный преобразователи 2, 8 с возбуждающими катушками 4 индуктивности, подключенными параллельно к генератору 1, и приемными катушками 5 индуктивности, соединенными последовательно противофазно и подключенными к входу индикатора 6 разбаланса сигналов преобразователей 2, 3, Вблизи компенсационного преобразователя 3 соосно с ним размещена катушка 7 индуктивности имитатора 8 электромагнитной реакции основания, установленная на микрометрическом винте 9 и подключенная параллельно регулируемому резистору 10. Винт 9 и движок593132 оставитель П. ШкатовТехред И. Рыбкина аргол едактор И. М з 1008/2066 НПектор И. Симкнна одписно Изд...

Номер патента: 1310809

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Никифоров, Ушаков

МПК: G06F 7/50, H03K 23/00

Метки: основанием, переменным, системы, сложения, счисления, чисел

...4 записывают результатсуммирования накопителя с числомА+Р, триггер 61 переключается в состояние "0", мультиплексоры 2 вновьначинают пропускать на выходы информацию со своих первых входов, процесс заполнения емкости памяти устройства с постоянным приращением,равным числу А, восстанавливается средняя частота заполнения двоичногонакопителя равнат А (2 Р. тАМ где Г - частота следования тактовыхтимпульсов.В частном случае при Р = О значение модуля равно величине емкости 4 п-разрядного устройства с модулем4 В двоично-десятичной системе счисления на вход 9 подан сигнал "1", коммутаторы 5, 5, блокируют сиг3 1310 нал, формируемый на их вторых входах, и пропускают сигналы, поступающие на их первые входы с выходов 2323...