ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕРЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от льствя .хг384925 23-26 т, свидет Кл. С 011 явлено 16.Х 11.1969 (3 с присоединением заявки Ьо ламкрытий Номитет пизобретенийлри СоветеССС Приоритет Оп бликов- х 661 846 36(088 8) нистра 10. Х 11,1971 вапия опи Бюдстеиь х 1зя 972 ия1.1,1972 ата опублико Авторы5 зобретсги 5Заявители ш, Е,Д Злоказов и Л. В, Мухо ский горном еталлургич ский электролитный М, Кирова това еский инк довател Челяби ети С,Ю ИВЛЕВСПОСОБ ОЧИС СОДЕРЖАЩЕГ ОТИ ЦИНКОВОГО ЗЛЕКТРОЛИТА,СУЛЬФАТЫ ЦИНКА И МАГНИЯ,РИМЕСИ МАГНИЯ УСЛОВИ 51 Х ПСЗИ 1 Ч 1 см медленного вл М, А. Фишман, Е. Я. Беьья Всесоюзный научно-иссле институт цветных металлов и завод иИзобретение относится к технологии очистки сульфатиого электролитд от примеси магния при пдрометяллургическом производстве цинка.Известен способ очистки от примеси магнияцинкового электролита, содержащего сульфаты цинка и магния, путем вывода в осадокцинка в виде его нерастворимого сосдипсиия -кароопята цинк 1, Отдс;сии 5 Осядк 1 от хтО 1 ного раствора фильтрацией с последующейобработкой осддкд серпой кислотой для переводя цинка из осадка, ис содержащего магния,в раствор В виде сульфата.Тако 1 сиосоо з 10)кио иримси 5 т 1 только д 15Очистки растворов с примерно рявиым содержанием сульфаОв мдиия цинка, поскольк 1в осадок переводят основной к)мпопепт -цинк.С целшо 0 истки 0 мгиия р 1 сГВОП 013 с халым содср)кдиисм магния ио отиошсиин) к цинку, образования осадка в хорошо фильтрующейся форме и получения товарного мапишсодержащсго продукта предложено электролитобрабатывать фторидом цинка при температуре 50 - бОС, а образующийся осадок фторидямагния после отделения его фильгрдцисй ОГтатоиОГО рдстВОрд иромыв 1 ть подкисленноводой и сушить,Осаждепис проводят втельного перссыщсшя пут Пипия при перс)еГПП 3 пии раствора сульфата Г 1.Пкд, содсрж 11 цс 0 сульг)11 т г 1 гиня, В рдст 30 р со В,)30 п.иВ 31 П криста,л ми фтористо 0 ции и;1. При этом образуется хорошо фильтрую иПис 51 Осадок )торисОГО м 1 Пия, которы ипосле промывки содержит 94 - 9 б") осиовюго Всцсствд. Электролит 1 от магния 85,.П р И М С р. ВЛз ВОДЫ ДОбдВЛявт 53 Л30 д)-иои ил 13 ико 301 кислоты 40 к; окиси 10 ц;икд для сс нейтрализации, ПолусинуОв; Всеь фтористо:о ципкд перемешивают при комид ги)1 тем срдгрс в тсчспис 10 .гглг. Зятем в эту пуль 1 В тсчспискггс ири идгрсвс ДО 00 С ДОО; ВЛ 51101 1,8 31 ПСНТРЯЛь 10 ГО Ции.0- 15 Вого электролита, содержащего 155 гг,г ципкд,1 б 0;, ;,д 1 чПульпу пер.мсшивдют в тсчспис 1 час ифилГрют пд фильгр-прессе, Осадок промы 131 к) Под 1 слсииой Водой ри Отиопсиии 20 1 К: , равном 3: 1, отделяют от промывнойВоды фпльтровдпСм:1 Высушивают при 105 -ОС. Сухой Осадок содержит 94 - 95 сго фтоРСТОГО .1 ДГИИ 51.П рсдм ст изоо ретепи яСпособ очистки цинкового электролита, содсржапеГО сульфаты цинка и маГпия, От примеси магния путем гыводя одОГО из металлов В осадок в виде его нерастворимой соли с после дуОщим отдслсппсм осадка от маточного раст323363 Составитель В. Львович Текред Л. Куклина Редактор 3. Горбунова Корректор Е. Усова Заказ 173(1 Изд.1 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типографии, пр. Сапунова, 2 вора фильтрацией, отличающийся тем, что, с целью очистки от магния растворов с малым содержанием магния по отношению к цинку, образования осадка в хорошо фпльтруюн 1 ейся форме н получения товарного магпийсодержа щего продукта, электролит обрабатывают фторидом цинка при температуре 50 - 60 С, а образующийся осадок фторида магния после отделения его от маточного раствора промы вают подкисленной водой и сушат,

Смотреть

Заявка

1384925

М. А. Фишман, Е. Я. Бень Е. Д. Злоказов, Л. В. Мухортова, Всесоюзный научно исследовательский горнометаллургический, институт цветных металлов, Чел бинский электролитный цинке, завод имени С. М. Кирова

МПК / Метки

МПК: C01F 5/28

Метки: 323363

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-323363-323363.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">323363</a>

Похожие патенты