Кварцевый генератор

Номер патента: 292124

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Артамонов

МПК: G01R 35/00

Метки: двух, параметров, радиоэлектронной, схемы, элементов

...секция,Плоская прямоугольная секциялена из эластичного материала, нзины. Боковые кромки секции 1 о линдрические трубки 2 - б. Через трубки проходят тросики б - 9. Тросики охватывают ролики 10 - 17, установленные на осях 18 - 21. Оси 18 и 21, на которых укреплены ортогонально расположенные пары роликов 14, 1 б и 11, 13, снабжены ручками 22, 23 управления.Секция 1 прикреплена в точке 24 к тросику б, в точке 25 к тросику 9, а в точке 2 б - к соединенным вместе тросикам 8 и 7. В точке 27, являющейся началом координат, секция 1 к тросикам не,прикреплена.На плоской части секции 1 (см. фиг. 2) изображено поле распределения параметров в виде концентрических линий определенной вероятности. Здесь же указаны типы элементов и условия,...

Номер патента: 1436090

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Краснер, Кусимов

МПК: G02B 5/10

Метки: оптических, схем, элементов, юстировки

...оптической схемы 4 при условии, что соответствующие оптические элементы 1-3 отъюстированы, кроме то" га, датчик 6 интенсивности закреплен на корпусе оптической схемы 4 таким образом, что его центр совпадает с точкой пересечения продольной оси симметрии каналов коллиматоров 8, параллельной оптическим осям соответствующих оптических элементов 1-3 с карпу" сом 4 оптической схемы при условии что соответствующие оптические элементы 1-3 отьюстированы.Датчик 6 иктексивкости защищен экраном 17 представляющим собой свинцовую оболочку, покрывающую чув- ствительную поверхность датчика 6 интенсивности, с отверстием, центр которого сопадает с центром датчика 6 интексквкости.- Иатрица 5 чувствительных элементов ,Фиг.2 г) выполнена в виде...

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 717783

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Базов, Веселов, Монахов, Синельников, Соколов, Шульгин

МПК: G05B 17/02, G06F 17/00

Метки: допусков, номиналов, оптимальных, параметров, радиоэлектронных, схем, элементов

...3 производит дальнейшее формирование допусковой области (делает еше один шаг по всем параметрам и новый цикл проверки вершин), Если же одна из вершин гиперкуба допусковой области оказывается неработоспособной, то эта вершина (один из первичных или пара первичных параметров) запоминается в блоке 6. В этом случае по сигналус блока 11 блок 2 вырабатывает команду на подключение блока 4, который осуществляет коррекцию допусковой области, т.е в соответствии с информацией об отказавших параметрах, идущей из блока 6 производится изменение коорди 40 нат исходной точкц Каждый параметр, отказавший в процессе формирования, получает смещение на один шаг в противоположную сторону, т,е, координата исходной точки по этому параметру получает45 реверс...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...