Устройство для измерения толщины

Номер патента: 1366820

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Бабакин, Бражников, Заплатин, Лебедев, Русанов, Тихонов, Трубицына, Шалагин

МПК: F25D 13/00, F25D 21/02

Метки: камере, ледяного, объекте, покрытия, толщины, холодильной

...исполнительного механизма 9 для получения и нанесения ледяного покрытияна объект, размещенный в холодильнойкамере, 2 ил. Предлагаемое устройство работает следующим образом.После включения электропитания синхрогенератор 1 начинает поочеред-, но посылать пакеты синхроимпульсов с частотой 10-100 кГц на источники 3 инфракрасного излучения каждого мик- ронакопителя 2, и одновременно с прохождением пакета синхроимпульсов через определенный источник Э инфракрасного излучения тактовым сигналом синхрогенератора 1 открывается дос 1366820туп к соответствующей ячейке 5 выборки-хранения сигналов.После прохождения пакета синхроимпульсов через источник 3 инфракрас 5 ного излучения первого микронакопителя 2 и записи информации через фото-...

Номер патента: 1435670

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Мачюлайтис, Мачюлис, Пяланис, Фишельсон

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванического, нанесения, покрытия, процессе, средней, толщины

...других соотношениях до 103,. отличающихся от предлагаемых, защищенность также хороша, однако наблюдается 3-4 Х брака,При применении других компонентовв других соотношениях применять покрытия нецелесообразно по следующимпричинам: снижение количества эпоксидной смрлы или ортофосфорной кислоты приводит к липкости покрытия;повьппение количества эпоксидной иортофосфорной кислоты снижает хемостойкостьпокрытия; количество аэросила, который повьппает хемостойкостьи одновременно является наполнителем,определяется технологичностью покрытия, так как при применении предлагаемых,интервалов получается оптимальная вязкость.В основе расчета толщины гальванопокрытия, определяемого резистивным датчиком, лежит модель параллель"ного соединения двух...

Номер патента: 1527329

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Мачюлайтис, Мачюлис, Пяланис, Таиров, Цветков

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванических, покрытий, толщины

...Т = 10-50 мкс в режиме измерения сопротивления покрытого ме-,талла. 20Система работает следующим образом,В начале загрузки ванны деталямипо команде ЭВМ измерительный электрод3 датчика толщины через коммутатор13 датчика толщины подключается кпервому входу блока 14 измерения толщины, а токоведущая дорожка подключается к катоду К (на ней наращиваетсяметалл, и общее сопротивление электрода, пропорциональное средней толщине покрытия, уменьшается). Во времяпокрытия модулятор 21 барьерного сопротивления через коммутатор датчикатолщины импульсом длительностьюТ = 0,5-1 мин и амплитудой Б35+(2,8-:3) В открывает р-п-переход,платиновая токоведущая дорожка приэтом шунтируется низкоомной базовойпластиной, а ее сопротивление становится...

Номер патента: 1298266

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Баринов, Ермолин, Загорский, Матюхин

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванических, задания, покрытий, толщины

...нанесения 1 мкм данного вида покрытия на 0,1 дм 2 площади. Коэффициент пересчета счетчика 12 (для шунта 75 мВ) определяется из выражения3 6 й йК- .асЕгде К - коэффициент пересчета;д - плотность металла покрытия,г/см;- номинальная частота преобразователя напряжение - частота,Ец;с - электрохимический эквивалентметалла покрытия, г/А ч;Е - номинальный ток шунта, А.Когда реверсивный счетчик 12 отсчитает заданное количество импульсов, на его выходе переноса появляется уровень логического нуля, На одновибраторе 13 начинается формирование импульса с уровнем логического нуля, который через логический элемент 2 И 15 появляется на входе предварительной записи реверсивного счетчика 12. Таким образом, в счетчик 12 снова записывается код ванны и на...

Номер патента: 1112305

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Ивановская, Махота

МПК: G01R 23/00

Метки: датчиков, сигналов, частотных

...с первым 5входом процессора 1 выход элеменФта 7 соединен с Ь -входом триггера 6, прямой выход которого черезвторой элемент И 5 соединен сосчетным входом второго счетчика 3, 20инверсный выход триггера 6 соединен с вторым входом процессора 1,третий вход последнего соединен свыходом второго счетчика 3, выходгенератора 9 - с первым входом таймера 13 и через делитель 14 - спервым входом коммутатора 12, второйвход которого соединен с выходомвходного формирователя 8, третийвход коммутатора 12 подключен к первому выходу процессора 1 выход ком.Эмутатора 12 соединен через элемент 10 задержки с вторым входомвторого элемента 5 с входом С-триггера 6, прямой выход которогоподключен к второму входу первого 35 счетчика 2 и первому входу элемента 11,...