Пяланис

Номер патента: 1585399

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Пяланис

МПК: C25D 21/12

Метки: ванне, гальванической, плотности, средней

...ус= О), Место распсложеЪ 3 ния этих датчиков определяется экспериментально при условии минимального напряжения на выходе второго дифференциального усилителя 6. Электрический ток ванны протекающий между анодом и. катодом создает на сопротивлении электролита и на его участках падение напряжения. На участке электролита между двумя парами датчиков 3, 4 и2 создается падение напряжения (БЗ, - Б, 2), пРопоРЦиональное плотности тока ванны В, Падение напряжения Б - Б, = Б Фиксируется и усиливается третьим дифференциальным усилителем 7, на первый вход которого подается потенциал 012, близкий катодному ц (т,е. "О"), а на второй - Б близкий анодному. Падение напряжейия между двумя парами датчиков Ц можно приблизительно выразитьОг 1 " Ргде 1 ,.1,2-...

Номер патента: 1527329

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Мачюлайтис, Мачюлис, Пяланис, Таиров, Цветков

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванических, покрытий, толщины

...Т = 10-50 мкс в режиме измерения сопротивления покрытого ме-,талла. 20Система работает следующим образом,В начале загрузки ванны деталямипо команде ЭВМ измерительный электрод3 датчика толщины через коммутатор13 датчика толщины подключается кпервому входу блока 14 измерения толщины, а токоведущая дорожка подключается к катоду К (на ней наращиваетсяметалл, и общее сопротивление электрода, пропорциональное средней толщине покрытия, уменьшается). Во времяпокрытия модулятор 21 барьерного сопротивления через коммутатор датчикатолщины импульсом длительностьюТ = 0,5-1 мин и амплитудой Б35+(2,8-:3) В открывает р-п-переход,платиновая токоведущая дорожка приэтом шунтируется низкоомной базовойпластиной, а ее сопротивление становится...

Номер патента: 1505988

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Жукаускас, Пяланис

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванического, покрытия, средней, толщины

...тагиицы, коммутатором6 сигцапоез и ЗВГ 7,В цацсьиы момецт загрузки зав деаям вспосетс 5 Одие из дат -чиков 2 толщины покрытия по командетаймера 8 (друГО датчи е ГОка.за),Для измерешя талщиши глльваническо 05988 го покрытия при помощи резистивного датчика применяется переменноенапряжение сиусадальной или близ -кой к цей формы 11Перемеецое цлпряжецие 11 подаетсячерез иэмерител.цый резистор 10 надатчик 2 от вторичной обмотки трацс-.1 зормлтара 11 и, таким образом, исключается возможцость накапливанияцл датчике поляризациоцных коцтлсгцых потенциллов, которые имеютместо в известной системе,31 фестивцое знлчецие цапряжеция15 1 не должо превьиет, потенциал,при котором происходит электролиз надатчике (без подсио опия его к катоду), и...

Номер патента: 1435670

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Мачюлайтис, Мачюлис, Пяланис, Фишельсон

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванического, нанесения, покрытия, процессе, средней, толщины

...других соотношениях до 103,. отличающихся от предлагаемых, защищенность также хороша, однако наблюдается 3-4 Х брака,При применении других компонентовв других соотношениях применять покрытия нецелесообразно по следующимпричинам: снижение количества эпоксидной смрлы или ортофосфорной кислоты приводит к липкости покрытия;повьппение количества эпоксидной иортофосфорной кислоты снижает хемостойкостьпокрытия; количество аэросила, который повьппает хемостойкостьи одновременно является наполнителем,определяется технологичностью покрытия, так как при применении предлагаемых,интервалов получается оптимальная вязкость.В основе расчета толщины гальванопокрытия, определяемого резистивным датчиком, лежит модель параллель"ного соединения двух...

Номер патента: 1260419

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Гайлюнас, Пяланис, Янкаускас

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванического, покрытия, средней, толщины

...покрытия возможно только импульсным способом, так как требуется разделить гальнанически цели измерения и питания ванны, Измерение сопротивления пленки производится короткими (1 Лмкс) импульсами, которые на измекение толщинь покрытия не влияют, Эанисимость сопротивления от нарастающей толщины пля разных металлов различна и25 Эаранее в постоянную память ЭВМ вводятся следующие данные: удельный 50 вес металла с (г/см ); электрохимический эквивалент металла С (г/Ач); таблицы кривых зависимости сопротивления В (Ом) от покрываемой толщины 1 (мкм) датчика,цля каждого ме талла,Сопротивление В рассчитывается по величине амплитуды импульса поона заранее вводится в постояннуюпамять ЭВМ (например, зависимостьизменения сопротивления для цинка...