Способ повышения предельной величины коммутируемого электрического тока
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Соеэ Советских Социалистических Республик(22) ЗаЯвлено 030870 Р 1) 1459409/26-25с присоединением заявки Йо(23) ПриоритетОпубликовано 0709,81.Бюллетень ЙЯ 33 Р 1)М К 3 Н 01,7 15/02 Н 01 Ю 17/14 Н 01 Т 17/40 Государствеааый комитет СССР яо делам кзобретеняй я открытая(54) СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПРЕДЕЛЬНОЙ ВЕЛИЧИНЫ КОММУТИРУЕМОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА В этом случае сила, воэникаюцая 20 при взаимодействии токового слоя спродольным магнитным полем, уравновешивает силу сжатия разрядного плазменного шнура, Для наклонного токового слоя продольное магнитное полеявляется замкнутым барьером, внутрикоторого не образуется плазменныйфокус,На фиг,1 схематически показанообразование плазменного фокуса в ЗО сильноточном коммутирующем гаэоразИзобретение относится к сильно-точным газоразрядным коммутаторам(разрядникам) и совершенствует способ работы таких устройств.Известны сильноточные. гаэораэрядные коммутаторы, содержащие аксиально симметричные электроды, раз- .деленные газораэрядным промежутхом.Широко применяются коммутаторы, катод которых представляет либО трубу,либо ,чашеобразную металлическуюкамеру, а анод выполнен в ниде стерж"ня или относительно плоского диска,изолированного от катода и помецен-,ного внутрь камеры, Такие устройст-.ва позволяют надежно коммутироватьтоки с амплитудой в сотни килоамперпри напряжении около 20 000 В, ониобладают высокой надежностью ихарактеризуются длительным срокомслужбы,Однако подобная.конфигурапия Электродов, особенно при оптимальным условиях по давлению, приводит к реализации в этих устройствах такойформы пинч-эффекта, при которойсжимающийся проводяций плазменныйшнур по своей Форме приближается кконусу. При. Увеличении коммутируеьвхтоков происходит схлопывание токовой оболочки конуса, возникает так называемый плазменный фокус, иэ которого выбрасываются кумулятивные струи плазмы, разрушаюцие электроды н вызы,вающие повышенное гаэовыделение.ПредлагаемьЩ способ повышения предельной величины коммутируемого электрического тока в сильноточных коммутирующих газоразрядных устройствах заключается в том, что в осевой области гаэораэрядного промежутка меж ду электродами во время нарастания тока через коммутируюцее устройство создают продольное магнитное поле, величина которого не меньше величины внешнего магнитного поля тока в газоразрядном промежутке.320219 Формула изобретения ставительхредМ. Табакович Корректор В. Синицкая дактор Н.Белявск ж 784 енног тений но Подпо комитета СССи открытийушская наб, д. ул, Проектна рядном устройстве на Фиг,2 - разру- шение плазменного Фокуса.Коммутирующее устройство содержит чашеобразный полый катод 1 и дискообразные анод 2, изолированный от катода вставкой 3. Пунктирными линиями показано положение токового слоя разряда в различные моменты времени. На фиг.1 вблизи анода показано веретенообразное образование, соответствующее стадии возникновения плазменного Фокусана Фиг.2 - прямыми стрелками обозначено направление продольного магнитного поля, и точками и крестиками - направление в сечении чертежа собственного магнитного поля коммутируемого тока. акаэ бббб/58 Тир ВНИИПИ Государст по делам изобр 113035, Москва, Ж:пособ повышения предельной величины коммутируемого электрическоготока в сильноточных коммутирующихгазоразрядных устройствах, содержащих по меньшей мере два аксиальносимметричных электрода, разделенныхгаэоразрядным промежутком, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что и осевойобласти газоразрядного промежутка 1 ф во времени нарастания тока черезкоммутирующее устройство создаютпродольное магнитное поле, величинакоторого не меньше величины внешнего магнитного поля тока в газораз рядном промежутке.
СмотретьЗаявка
1459409, 03.08.1970
КИКОИН И. К, НАСТЮХА А. И, БЕСПАЛОВ О. Г, КНЯЗЯТОВ А. С, СМИРНОВ П. А, УДОВЕНКО А. Н
МПК / Метки
МПК: H01J 15/02
Метки: величины, коммутируемого, повышения, предельной, электрического
Опубликовано: 07.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-320219-sposob-povysheniya-predelnojj-velichiny-kommutiruemogo-ehlektricheskogo-toka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ повышения предельной величины коммутируемого электрического тока</a>
Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства
Номер патента: 1129652
Опубликовано: 15.12.1984
Авторы: Костин, Прохоров, Цаплин
МПК: G11C 11/14
Метки: вращающегося, доменного, запоминающего, источник, магнитного, поля, устройства
...конструкцияпредложенного устройства,Источник вращающегося магнитногополя для доменного запоминающего устройства содержит две многовитковые обмотки1, последовательно и поочередно охватывающие основания 2 с доменосодержащими 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 кристаллами 3. Основания 2 скреплены направляющими штырями 4,Обмотки формируют из одного замкнутого и одного разрезного шлейфов изолированного провода, витки которого, прилегающие без зазоров друг к другу, скреплены клеем.Вследствие особенностей связи между обмотками источник имеет нечетное количество областей перекрытия обмоток, т.е. предназначен для нечетного количества оснований с кристаллами.Источник работает следующим образом.При подаче напряжений питания на выводы обмоток в...
Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 1249586
Опубликовано: 07.08.1986
МПК: G11C 11/14
Метки: доменах, запоминающем, магнитного, магнитных, поля, смещения, устройстве, формирования, цилиндрических
...магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных...
Устройство для облучения биологических объектов электрическим и магнитным полями
Номер патента: 1666124
Опубликовано: 30.07.1991
Авторы: Максименко, Скориков, Чеботарева
МПК: A61N 2/00
Метки: биологических, магнитным, облучения, объектов, полями, электрическим
...2 и усилителем 3, ккоторому присоединен резонансный контур, состоящий из конденсатора 4 и соленоида 5, являющегося источником магнитного поля.Источник напряжения представляет собой вторую последовательную электриче, скую цепь, подключенную. к тому жегенератору 1 через коммутатор 6 и фазовращатель 7 и образованную аттенюатором 8, усилителем 9, симметрирующим повышающим трансформатором 10, к которому подключен плоский. воздушный конденсатор , 11, который является источником электри-ческого поля. Конденсатор 11 размещен , внутри соленоида 5, а контейнеры с биообьектами помещаются на изолированном основании с бортами 12.Устройство работает следующим обра, ,зом.Сигнал генератора 1, создающего за данный вид напряжения, через...
Способ обработки сигналов вторичного магнитного поля при геоэлектроразведке и устройство для его осуществления
Номер патента: 1744663
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Астафьев, Веретельников, Добронравов, Исаев, Кормильцев
МПК: G01V 3/10
Метки: вторичного, геоэлектроразведке, магнитного, поля, сигналов
...предлагаемого способа работает следующим образом.При пропускании разнополярного тока прямоугольной формы (эпюра 19) в питающей незаземленной петле (не показана) в пункте наблюдения вторичное магнитное поле (эпюра 20) из-за влияния горных пород отличается от прямоугольной формы, С датчика 1 снимается электрический сигнал (эпюра 20), пропорциональный магнитному полю в пункте наблюдения. Этот электрический сигнал поступает на вход двухполупериодного фазочувствительного выпрямителя (ФЧВ) 2. На управляющий вход ФЧВ 2 подается выходное напряжение (эпюра 22) с триггера 13, которое через каждые полпериода Т/2 изменяется с потенциала "0" на потенциал "1" и наоборот. При сигнале "1" на входе управления ФЧВ 2 работает как повторитель, а при...
Устройство для генерации магнитных полей
Номер патента: 649442
Опубликовано: 28.02.1979
Автор: Фефер
МПК: A61N 1/42
Метки: генерации, магнитных, полей
...имеет крышку из магнитонепроницаемого материала, в которой выполнено шелевое отверстие.На фиг. 1 изображено устройство для генерации магнитных полей, в разрезе; на фиг, 2 - то же, вид слева.Устройство для генерации магнитных полей содержит источник магнитного поля, выполненный в виде магнитофора 1, который крепится иа опорном диске 2 с помощью пружинных зажимов . Опорный диск 2 с магнитофором усгвоздеь: на валу привода 1. помещенного в корпусе 5, к которому с помощью винтов О крепится фланец 7, имеющий резьбовые отверстия 3 для крепления крышки 9 из магнитонепроницаемого материала, в котором вь.полнеио гцелевое отверстие 1 О,При практическом примененииства, например, в терапии щелевое отверстие, выполняющее роль индукгора,...
Предыдущий патент: Способ получения аммиака
Следующий патент: Сверхпроводящий преобразователь тока
Случайный патент: Устройство для измерения влажности ферромагнитных сыпучих продуктов