Эмиттерный повторитель

СОЮЗ СОНЕТ 80.11 4(51 3 ГаЭДАРстВЕННЦЙ Ком ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ СССР ОТНРЫТИЙ(21) 3576747/24-09 тор - с входом отражатепя тока, выво(22) 08;04.83 ды питаниякоторого соединены с вто(46) 07.01.85.Бюп. В 1 рой шиной источника питания, а вы,(72) Н.Н.Прокопенко, В.И.Марчук ход - с эмиттером второго транзистоВГ,Ленев и А.В.Тернавский"ра и является выходом эмиттерного,ститут бытового обслуживания , тем, что, с целью повышения быстро.:(53) 621.375.026(088.8):действия, введены дополнительный то(56) 1. Авторское свидетельство СССРкостабилизирующнй двухполюсник иВ 785952, кл. Н 03 Р 350, 08.01.79.: первый и второй дополнительные тран 2 Авторское свидетельство СССР зисторы, имеющие одну структуру,;Ф 932593, кл. Н 03 Р 3/50, 20.12.77;, . коллекторы которых соединены с нер(прототип) ; вой шиной источника питания., приэтом база первого н эмиттер второго(54)(57) ЭИИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, со-дополнительных транзисторов обьедидержащий первый.и второй транзисторй, йены и подключены к эмиттеру первогоимеющие разную структуру, базы .кото- ; транзистора,а эмиттер первого и базарых объединены и являются входом второго дополнительных транзисторовэмиттерного повторитиля, эмиттер пер- обьединеныи подключены к коллекторувого транзистора через токостабили- второго трайзистора, который череззирующнй двухполюсник соединен с пер" дополнительный токостабипизирующий . двой шиной источника питания, выпол-, двухполюсннк соединен с первой шинойвенного со средней точкой, а коалек- источника питания,го транзистора и является выходомэмиттерного повторителя, введены до"полннтельный токостабилизирующийдвухполюсник и первый и второй дополнительные транзисторы, имеющие однуструктуру, коллекторы которых соединены с первой шиной источника питания, при этом база первого н эмиттер второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к эмиттерупервого транзистора, а эмиттер перво.го и база второго дополнительныхтранзисторов объединены и подключенык коллектору второго. транзистора,который через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник соединенс первой шиной источника питания.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема эмиттерного повторителя. Эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, отражатель 3 тока, токостабилизирующий двухполюсник 4; дополнительный токостабилизирующий двухполюсник 5,.первый и второй дополнительные транзисторы 6 и 7, первую и вторую шины8 и 9 источника питания.Эмиттерный повторитель работаетследующим образом.В статическом режиме (при нулевомвходном напряжении Оз =0) ток коллектора второго транзистора 21 равен выходному току отражателя 3., который в свою очередь устанавливается равным коллекторному току первого. транзистора 1 и, следовательно, току токостабилизирующего двухполюсника 4 1(1) Ток токостабклизирующего двухполюсника 5выбирается несколько мень 5ше чем 1 с у4(2) Поэтому второй дополнительный транзистор 7 находится в рекиме отсечки, а эмиттерный ток первого дополнительного транзистора 6 равен разности .1,=,-15 . (3) Если входное напряжение получает положительное приращение, то это вызы- вает быстрый заряд емкостной нагрузки зарядным током ь , который передается в эмиттер первого дополнительного транзистора 6,. и далее закорачивается на первую шину 8 источника питания. В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база.а 1 1133651 2Изобретение относится к радиотех-,нике и может быть использовано ввыходных каскадах усилителей, рабо":первый и второй входные транзисторы,имеющие разную структуру, к эмнттерукаждого иэ которых через отражательтока подключен непосредственно нсточ;ник стабильного тока и через диод 10кооиектор другого траиаистора 1.Однако в таком устройстве необходимым условием для повышения быстродействия является наличие симметричного выхода, соединенного с емкостной нагрузкой. При несимметричномвыходе выигрыша в быстродействии небудет,Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности являетсяэмиттерный повторительр содержащийпервый и второй транзисторы, ймеющиеразную структуру, базы которых объединены и являются входом эмиттерногоповторителя, эмиттер первого транзистора через токостабилизирующий двух,полюсиик соединен с первой шиной источника питания, выполненного сосредней точкой, а коллектор - с входом отражателя тока, выводы питаниякоторого соединены с второй шинойисточника питания, а выход - с эмит. тером второго транзистора и являетсявыходом эмиттерного повторителя, атакже формирующий конденсаторе шунтирующий токостабилизирующий двухполюс З 5ник 1,23;Однако в известном устройстве высокое быстродействие обеспечиваетсятолько при определенных соотношенияхмежду емкостью нагрузки и емкостью 4 Оформирующего конденсатора, а такжепри большой скважности входных импульсных сигналов.Цель изобретения - повышение быстродействия,. 45Для этого в эмиттерный повторитель, содержащий первый и второйтранзисторы, имеющие разную структуру, базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторителя, эмиттер первого трайзистора через токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой шиной источни"ка питания, выполненного со среднейточкой, а коллектор - с входом отражателя тока, выводы питания которогосоединены с второй шиной источникапитания; а выход - с эмиттером второ3 113365 второго транзистора 2 не изменяется благодаря передаче входного напряже ния в эмиттерную цепь первого транзистора 1, а затем в коллекторную цепь второго транзистора 2, Это увеличивает входное сопротивление эмиттерного повторителя (ЭП) и уменьшает влияние емкости коллектор - база второго транзистора 2 на К Заказ 9959/43 Тараа 871 ал ППП фП тф г.Уаг уд.Прое 10Таким образом, при положительномприращении Пвремя установленияпереходного процесса в ЭП минимально.Ч Еслй Пв уменьшается до некоторо го отрицательного значения П( , то это вызывает уменьшение колпекторного тока второго транзистора 2. Как только коллекторный ток ,станет меньше чем .Э, происходит запирание 20 первого дополнительного транэисто; ра 6, а второй дополнительный тран, зистор 7 переходит в активный режим.Как следствие разностный ток Э , усиленный в Д . раз, поступает в 25 эмиттерную цепь первого транзисто 1 4ра 1 и через отражатель 3 тока начи.нает разряжать емкостную нагрузкудь 11 1 т Р 7 Й 5 К 2)рдь 1 т,(-1 "(4 1Раз вах 57 5.где р - коэффициент усиления тока базы второго дополнительного транзистора 7. При достаточно большом значении р второй транзистор 2 не запирается, т.е. напряжение на ем" костнойнагрузке с малой погрешнос,тью отслеживает изменение П .Разрядный ток . о, может дости-. гать весьма больших значений. Это уменьшает время установления переходного процесса в десятки-сотни рази повышает быстродействие ЭП. Указанный эффект достигается без каких-либо дополнительных конденсаторов и в широком диапазоне изменения скважности выходных импульсных сигналов.За счет введения новых связей в змиттерном повторителе компенсирует ся влияние емкости коллектор " база не только второго транзистора 4, но и первого транзистора 1.