Номер патента: 314306

Автор: Маркос

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 15.17.1968 ( 1232237/26-9) ПК Н 03 с 17160 с присоединениемПриоритет явкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 621 374 33(0 Опубликовано 07.1 Х 971. Бюллетень27 Дата опубликования описания 26.Х.197 Авторизобретени Э. Г. Маркося Заявител АНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ С УСКОРЯЮЩИМ ЭЛЕМЕНТО причем если КС-структура выполнена в виде тонкой пленки, то необходимая монотонность изменения ее параметров может быть реализована изменением ширины структуры (расширяющейся структуре соответствует уменьшение погонного сопротивления и увеличение погонной емкости).Резистивный слой КС-структуры включен в цепь смещения базы транзистора 1 (см. фиг. 1) или в цепь коллекторной нагрузки (см. фиг. 2), а проводящий слой соединен со входом базового токоограничивающего резистора 2 (см. фиг. 1) или с базой последующего каскада (см. фиг. 2).Выбор схемы транзисторного ключа определяется требованиями к топологии микросхемы. Предмет изобретения 1. Транз ментом, вьнотонно и и погонны тем, что, с и расшире микросхем включен в а проводя вого токоо Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в тонкопленочной микроэлектронике.Известен транзисторный ключ с ускоряющим элементом, выполненным на КС-структуре с монотонно изменяющимися погонной емкостью и погонным сопротивлением.Однако известный ключ характеризуетсяневысоким быстродействием и ограниченнойвозможностью включения КС-структуры в 10микросхему.Целью изобретения является увеличениебыстродействия ключа и расширение топологичесиих возможностей микросхемы.Это достигается тем, что резистивный слой 15КСструктуры включен в цепь смещения базытранзистора или в цепь коллекторной нагрузки, а проводящий слой соединен соответственно со входом базового токоограничивающегорезистора или с базой последующего каскада. 20Принципиальные схемы транзисторногоключа с ускоряющим элементом приведенына фиг. 1 и 2,Ключ содержит транзистор 1, резисторы 2,3 и ускоряющий элемент 4 (см. фиг. 1) или 25ускоряющий элемент 4, транзистор б и резистор б (см, фиг. 2),Ускоряющий элемент 4 выполнен наКС-структуре с монотонно изменяющимися погонной емкостью и погонным сопротивлением, 30 исторный ключ с ускоряющим элетполненным на КС-структуре с мозменяющимися погонной емкостью м сопротивлением, отличающийся целью увеличения быстродействия ния топологических возможностей ы, резистивный слой КС-структуры цепь смещения базы транзистора, щий слой соединен со входом базограничивающего резистора.314306 Фиь,1 Фиа,2 Редактор Г, А. Яковлева Техред Е. Борисова Корректор О. И. Волкова Заказ 3038/12 Изд. Юа 1296 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 32, Транзисторный ключ по п. 1, отличающийся тем, что резистивный слой КС-структуры включен в цепь коллекторной нагрузки, а 4проводящий слой соединен с базой последующего каскада.

Смотреть

Заявка

1232237

Э. Г. Маркос

МПК / Метки

МПК: H03K 17/60

Метки: 314306

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-314306-314306.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">314306</a>

Похожие патенты