Трехкомпонентный датчик магнитного поля

Номер патента: 1000952

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Потапов

МПК: G01R 31/34

Метки: возбуждения, двумя, диагностирования, обмотками, последовательного, электродвигателя

...и темсамым обеспечивалась неизменностьмагнитного потока электродвигателя.Как известно из теории электрио ческих машин, при такой схеме включения напояжение питания О на обмотке 2 возбуждения0952 55 5 100 стабилизации магнитного потока электродвигателя, состоящую из магнитного усилителя 12, выпрямителя 13, схемы 14 сравнения, регулятора 15 ,напряжения и двух амперметров 16 и 1Система стабилизации частоты вращения электродвигателя работает следующим образом.Пульсации тока, содержащие коллекторную составляющую, с вторичной обмотки трансформатора 6 . поступают на вход фильтра 7, где указанная составляющая выделяется. В усилителе-ограничителе производится нормализация коллекторнмх пульсаций (частота которых пропорциональна частоте вращения,...

Номер патента: 305425

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Романенко

МПК: G01R 29/14

Метки: датчиков, коаксиальных, нелинейности, поля

...определения нелинейности поля,коаксиальных датчиков, например, цо характеру распределения эквипотецциалей их поля в радиальном направлении.Однако такие способы малопроизводительны, а при исследованяи датчиков, оокладки которых имеют сложную конфигурацию, их точность недостаточно высока,Цель изобретения - повысить точносгь и ускорить измерения. Это достигается тем, что полость датчика разделяют ца две зоны, границу между которыми проводят ца равном расстоянии от его обкладок, и в эти зоны вводят вещества с различной проводимостью, после чего измеряют проводимость датчика. Затем вещества меняют местами, снова измеряют проводимость датчика и определяют величину разности между полученными значениями проводимостей, или величину абсолютного...

Номер патента: 1649478

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Лукашенко, Рощенко, Самофалов

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля, реализации

...в форме полосы ийи меандра, имеющий электрические контакты 2.На фиг. 2 показаны экспериментальные кривые зависимости относительного изменения магнитосопротивления д = Луэ/ ф )вах от напряженности измеряемого поля Н для одной и той же пленки в случае измерения поля по предлагаемому способу (кривая 1) и по известному способу (кривая 2).Измерение напряженности поля Н осуществляют следующим образом, К магниторезистивному элементу 1 предварительно прикладывают импульс постоянного поля Но ориентированного вдоль направления тока и достаточного для насыщения магниторезистивного элемента. Магниторезистивный элемент в данном примере выполнен в виде полосы из ферромагнитной пленки, характеризующейся прямоугольной петлей гистерезиса в...

Номер патента: 892378

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Беркович, Иванов, Коновалов

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, неоднородности, поля

...К, - цувствительность 1 -ой секции 3 сигнальной обмоткидатчика к напряженностимагнитного поля.учетом Встречно-последовательОго соединения смежных секций вь 1- ходное напряжение Е сигналънои Обмот" ки может бьп ь предстаьлено в виде,1-Г ) 1, 1 1,Ъ 1 где п - цисло секций сигнальной обМотки.Р Общем случае при п секциях СИ 1 Нс)ЛЬНОЙ 06 МОТКИ И ОПРЕДЕЛЕННОМ соотношении чувствительностей секций можно записатьЦ этих выражениях С,1, С С постоянные Величины, определяемые числом секций сигнальной обмоткиПдатчика А=-), ДСравни. ая выражения (3) и (Я при постоянном д и учитывая, что чувствительность секции пропорциональна ислу ее витков, можно записать( 1): - 5)л П 1.Таким образом, выполнение равенства (5) соответствует максимальной...

Номер патента: 721782

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Акулин, Волобуев, Головин, Мельников

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, дифференциальный, магнитного, поля

...потоки возбуждения 25Ф в ферритовых стержнях 1 и 2, Приэтом в секциях б и 7 модулирующейобмотки возникают ЭДС, фазы которыхотличаются на 180 ф; эти ЭДС вызывают н модулируюшей обмотке токи встреч-)Оного направления, замыкающиеся через управляемые диоды 8, 9 и конденсатор 11, имеющий малое емкостное сопротивление на частоте возбуждения(направление токов в секциях: моду" З 5лирующей обмотхи на фиг. 2 показаносплошными стрелками). Поскольку управляемые диоды 8 и 9 включены встречно, напряжение О , приложенное к ихобкладкам, вызывает синфаэное изменение емкостей обоих управляемыхдиодов, Типовые зависимости емкостейупранляемых диодов от величины приложенного напряжения и характер изменения этих емкостей при воздействииуправляющих...