Позиционный регулятор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 303623
Авторы: Закревский, Литвинов, Лукомский, Пахомов, Чернышев, Четверухин
Текст
явпсимое от явт. свдстельствя,),о -4.1,1970 (Ле 1391708/18-2 ПК О 050 2:ч 19 Заявл с присоедпесм зявки Л) Как)итет Годеле)е Приоритет -ооретвкик и открытиири Совете МинистровСССР Л К 621-555.6 (088.8) убл 11 ко 33 о 1 ЗХ.1971. ЬОл стеь ЛЪ 16 та опубл когапя Оп:Оя;я 05.1.1071 Авторыизобретения. М, Литвинов, Б. МА. В. Чернь рухни, Д. Зак ахом ов,шев,1 Иститут автоматики и 1),ие по проектированию п ский федпри лиал Государственного институтаий искусственного волокна аБтел ОЗ ИЦКО 1-1 1.1 ЫЙ 1:)ЕГУЛЯТО 1 зо)рстсп 11 С относится и област рсгулроБания различивхараметроБ.рзсстны устройства для регулирования, содеркя 1 ц 10 истои 1 к им 5 льснОГО няпряжсния, транс)Орматор с дополнительной втори ной обмоткой, усил;тель на транзисторе, элсмсп памяти, датчик и сопротивление уставки.Предложенное устройство отличается тем, что Б нем одна входная обмотка трансформатора цсрез сопротивление датчика, я другая через сопротивление уставки подключены к сточнику мпульсного напряжения, а выходна Ооъ 10 тка транс 3)ор)яторя Бключсна 13 цспь Й 1- зы транзистора, коллектор которого чсрсз дополптельную обмотку трансформатораод.Л 101 си 1. истоНи 1 О постояннОГО НЯ 1.ряжсн 151 шпанпя и одному из входов элементаамят другой вход которого соединен с нс)очн Ком импульсного напряжения.На чертеже дана прпнципальная схемаозиционного регулятора.ИстОчник импльснОГО няпряксии 51 1 подклюСн к входным Об)Откя) 2 и,) и.;льсного трансформатора 4 (и одной - цсрсз сопротивление датчика я, к другой - через сопротивлснис уставки б). УправляОшая омотка 7 трансформатора 4 подключена ко Бход) мс- л.телыОго элемента - базс транзистора 8, Еоглектор транзистора 8 соединен с эле)с- том памяти 9 и через обмотк 10 т;Нс 1)о)ма) )" Я -; . ПсОп;,"1 ос) 05 но,о, Я 1 1) 5 Кс 11 Я итания 11 к)скад. торо Бхо элс)1 сп 1 я и- мяти 9 цепью 12 сБ 5 з н с истоНиОм )Нм)7 ьсНОГО напряжен:я 1, 1 выход - с псполпптсльым мсханз 0)1 1;).1 РИ ПОД)11 С 1.1 ТЬСЯЯ 1,)5 НСиЯ О С ГО111 и я и м"1 ь с и д ГО;я и р .си 5 1 и ) О Г с к я ю Г ТОКИ 1 Я 1. ЧСРСЗ СО)ОТ 1 БЛСНПС ДЯТ 11 КЗ ), ТЯК 1 чсрсз сопрет)влснс уст,)к 11 б. Зтп ток, про- О ходя Срез 3 Бньс Об)оти 2 и .) трансфорХ)ТО,3, ЯЬЛЮПС ОС)1 ЭЛЕМСНТО) СР)БНСН 51, сздают 13 и. 1) Пспт., Зявпс 511 цис пр О "Т 051 ННО 1 а):ПЛ;1 ТДС И)1 ЛЬСО 3 ЛИШЬ ОТ Б- ,н 1 ип 1 соп 1)от 3 чсии ) 1 Пк) и 5 с . 1 к 1 ( 311- 1.10 С СОПРОТПБ 101 С 00)ОТОК ОМСЛЯБЛ 1.13 ЯСТСсОствстств 10 и;1 бор О)сл)1 БП 1 кои дЯ )строъ 1 провода О,ООН 1. ОбаО Гни 317 ПОцс Гякп: ооразо), что с) м) ярн;я ня):агнпчи 13 Оя сп,; оредел,:с р; з, стьО;),Пер- ГГ - )ОО 3 ООмотОк. Пп10) на ;11 р)1;)л 51 к)иск 00)Откс 7 наводтсм лис;31)5 ксни)1, по ьсл 1- 1 не 1 ро.О),1: )л 1;.Пзност 1 ам "ср-БитО 3 БХОДН. ОЦ)ТИК . С. РЯЗПОСТ 1 СО- )от 1,. .,. дя,я, )тБ б, и соляр стс, ),Р,дс,.5 с0 .иНо) этой в 1,3 ост
СмотретьЗаявка
1391708
Институт автоматики, Киевский филиал Государственного нстнтута проектированию предпри тий искусственного волокна
Л. М. Литвинов, Б. М. Четверухин, Ю. Д. Лукомский, Н. А. Пахомов, А. В. Чернышев, В. Д. Закревский Г. Б. Мелентьев
МПК / Метки
МПК: G05D 23/19
Метки: позиционный, регулятор
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-303623-pozicionnyjj-regulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Позиционный регулятор</a>
Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора
Номер патента: 1370635
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Баумберг, Воскобойник, Кахишвили, Мойнов, Носова, Рухадзе
МПК: G01R 27/00, G01R 31/28
Метки: коллектора, сопротивления, тела, транзистора
...Ес определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания зависящему с од 145 ной стороны, от допустимой температуры перехода Т , температуры окружающей среды Ти теплового сопротивления переход - среда К 1, а с другой стороны, от тока 1, протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор - эмитДопустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со 35 2противление Кнаходится в пределах 0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение Кдля интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5-100 м.Измеряют вольт-амперную характеристику...
Способ определения сопротивления короткого замыкания силового трансформатора
Номер патента: 1746332
Опубликовано: 07.07.1992
Авторы: Подъячев, Сви, Смекалов
МПК: G01R 31/02
Метки: замыкания, короткого, силового, сопротивления, трансформатора
...нулевой разности напряжений между измерительными выводами, а в режиме нагрузки измеряют напряжение между указанными выводами, ток нагрузки и частоту сети. Сопротивление короткого замыкания рассчитывается по этим данным.На фиг. 1 представлено устройство, реализующее предложенный способ.Измерительная схема 1 с вольтметром 2 и с сопротивлениями 3 и 4 подключена к измерительным выводам высоковольтных вводов 5 первичной и вторичной обмоток трансформатора 6, который выключателями 7 и 8 присоединяется к соответствующим шинам распределительного устройства 9 и 10.Устройство работает следующим образом.Включается выключатель 7 и изменением параметров сопротивлений 3 и 4 производится выравнивание напряжений до получения нулевых показателей...
Устройство для измерения сопротивления изоляции между обмотками трансформаторов
Номер патента: 174264
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: G01R 31/06
Метки: изоляции, между, обмотками, сопротивления, трансформаторов
...и снабженных размещенными внут. ри стаканов электродами, сосдицепцымц олоком измерения.На фиг. 1 изобрг 1 жецо описываемое устройство для измерения сопротивления изоляции между обмотками трансформаторов; на фиг. 2 сгакац, служащий для коцтактироваци 5.Грансформ 11 тор 1 устанавливастс 51 ца подставку 2 и закрепляется прижимом 3. По одному из выводов 4 от каждой обмотки трансформатора опускается в изолированные друг от друга стаканы 5, заполненные токопроводя 2щим веществом б. Концы выводов через токопроводящее вещество контактируют с электродамц 7, соединенными проводами 8 с переключателем 9 блока измерения.Замер производится посредством поочередного подключения выводов через переключатель к мегомметру блока измерения, не показанному...
Способ определения активной и индуктивной составляющих полного сопротивления фазы двухобмоточного трехфазного трансформатора без нулевого провода
Номер патента: 420953
Опубликовано: 25.03.1974
Автор: Файнштейн
МПК: G01R 27/00
Метки: активной, двухобмоточного, индуктивной, нулевого, полного, провода, сопротивления, составляющих, трансформатора, трехфазного, фазы
...трансформатора при включении активного сопротивления на напряжение с 1 ь, О;1,ь - сила тока, протекающего по включен ному активному сопротивлению, а.; ла Ьхл 1 а Ь г 1 а, 1 аь 1 гахх + са ЬгххУ 25 113.1 аь Составитель Э, НабоковТех ред А. Камыш ни ко в а Корректор Т, Хворова Редактор Т. Фадеева Заказ 2043/1 Изд.655 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4,5Типография, пр. Сапунова, 2 3Опись 1 ваемый способ состоит в следующем. При номинальных первичных напряжениях измеряют величины вторичных линейных напряжений холостого хода трансформатора. На одно линейное вторичное напряжение подключают активное сопротивление такой величины,...
Усилитель мощности
Номер патента: 394915
Опубликовано: 01.01.1973
...по амплитуде напряжение сигнала. Однако возрастание входного сипнала приводитзо к появлению базового тока лишь транзистора3Т 1 по цепи: база транзистора Тг - резистор Я, - переход эмиттер-база транзистора Тг.Токи баз остальных транзисторов отсутствуют, так как их цепи включают в себя сопротивление участка коллектор-эмиттер предыдущего транзистора (считая от нагрузки).Работа одного плеча усилителя происходит следующим образом (другое плечо работает аналогично).С увеличением входного сигнала открывается только транзистор Тг, который работает в активном режиме. Через плечо нагрузки протекает ток от источника Е, по цепи: диод Дг - коллектор-эмиттер транзистора Т 1 - нагрузка.При подходе транзистора Тг к режиму насыщения сопротивление...
Предыдущий патент: Струйное реле
Следующий патент: Устройство для термостатирования
Случайный патент: Секция механизированной крепи