Способ атомно-абсорбционного анализа

Номер патента: 451149

Опубликовано: 25.11.1974

Автор: Николаев

МПК: H01L 15/02

Метки: излучений, импульсных, регистрации

...зарядов, подавая импульс прямого смещения, синхронизованный с импульсом излучения, прикладывают к фотодиоду импульс обратного смещения и регистрируют излучение за время установления равновесного состояния, позволяет решать поставленную задачу.В этом случае мелкие энергетические уровни запасают неравновесные носители зарядов в течение времени установления равновесного состояния, которое при комнатной температуре достигает нескольких микросекунд, и это позволяет регистрировать излучения с энергиями квантов, соответствующими примесному погло. щению, Наличие резонатора позволяет увели(53) УДК 621.382(988,8)451149 Составитель В. ПотаповТехред В, Рыбакова Корректор В. Бры ксин а Редактор О. Степина Заказ 1514/10 Изд. Мо 599 Тираж 760...

Номер патента: 970450

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Антипов, Павлов

МПК: G11B 7/24

Метки: записи, информации, носителя, регистрирующего, слоя, фотооптической

...113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная, 4 Эа счет использования иного легирующего элемента и других режимов термообработкн значительно сокращается время выдержки в парах натрия и охлаждение после выдержки в парах натрия можно производить с большей 5 скоростьв.Способ осуществляют следующим образом.Монокристаллы йаС 1 выращивают из расплава с добавлением легирующей соО ли хлористого кобальта СоС 1 2 НО, В результате получают исходный материал, представляющий монокрнсталл йаС 1, содержащий 10 -10- вес.Ъ ионов Со . Сенсибилиэацию исхоцного крис+2талла йаС 1:Со, осуществляют отжигом в парах натрия при давлении до 4 ат. в титановой ампуле. Давление меньше 2 ат. приводит к значительному...

Номер патента: 284500

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ильин, Мошков, Плескач, Черноусов

МПК: A01G 9/24

Метки: излучения, инфракрасного, источников, света, фильтрации

...бытьподана в любой теплоотборник, например всистему отопления.За счет увеличения перепада температурводы на входе и выходе первого экрана сокращается расход воды,10Второй, более удаленный от источниковсвета экран для снижения капитальных затрат и эксплуатационных расходов можетвыполняться из таких материалов, как оконное стекло или ацетобутиратцеллюлозная 15пленка.П р и мер 1. Фильтрация ИК-излучения источников света с помощью двух водных экранов.Такими экранами служат два горизонтальных водных слоя, ограниченных снизу обычным стеклом и разделенных воздушным промежутком (в данном случае, стекло - конструктивный материал).Первый экран из воды, одновременно охлаждающей лампы, и стекла, интенсивно поглощает ИК-излучение ламп с длиной...

Номер патента: 329499

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мартыненко

МПК: G02F 1/015

Метки: излучения, модуляции, электромагнитного

...частота которого равна плазменной частоте свободных носителей заряда в материале.Способ основан па явлении плазменного резонанса в полупроводниках, которое характеризуется изменением отражательной способности поверхности от 0 до 1 для излучецця частоты ор -- при увелил-о(-. - 1) ниц концентрации свободных носителей в скин-слое на единицы проценгов от равновесной.К преимуществам способа можно отнести большую глубину модуляции, обусловлсццио острым плазменным резонансом, и малые начальные потери, так как ццтенсцвность цеослаблеццого модулятором цзлученця практическии равна интенсивности создаваемого генератором излучения.П р ц м е р. В полупроводниковой пленке дшгдмцческц цзмсц 5 цот (це изменяя ее состава и структуры) коццецтрдцшо...

Номер патента: 1068730

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Баранов, Грачев, Рукин

МПК: G01J 3/10

Метки: возбуждения, излучения, катодом, полым, разряде, резонансного, тлеющем

...предложенного способа является подключение параллельно лампе реактивного элемента. При соответствующем выборе его реактивного сопротивления возни" кают собственные колебания тока в 50 лампе. При этом возрастает амплиту" да тока спектральной лампы, однако напряжение на лампе падает и мощность, рассеиваемая лампой, остается без изменения при условии, что 55 длительность импульса возбуждения выбрана равнойгКоНа чертеже представлены зависимости токов (1), напряжения (2) и интен сивности (3) света спектральной лам" пы от времени (пунктиром показаны зависимости, полученные без подклю" чения параллельно лампе реактивного сопротивления) . 65Интенсивность, отн.ед, при Т,.мкс Времязадерж"ки измерительногоимпульса, мкс 50 25 150 100 л 2 ЛГ 2 м 2...