Коротковолновая антенна

Номер патента: 1263159

Опубликовано: 27.01.1999

Авторы: Быков, Глазков, Кийль, Колябин, Малицкий, Чернолес

МПК: H01Q 9/14

Метки: антенна, диапазонная, многовибраторная

Диапазонная многовибраторная антенна, содержащая неподвижный телескопический вибратор и подвижные телескопические вибраторы, установленные на направляющей, отличающаяся тем, что, с целью ускорения процесса диапазонной перестройки, в нее введены зубчатая рейка, закрепленная на стойке, установленные на направляющей каретки и шарнирно-рычажный механизм, один шарнир которого, соединяющий середины рычагов, закреплен на стойке, а остальные закреплены по одному на каретках, при этом неподвижный телескопический вибратор установлен на стойке, а подвижные телескопические вибраторы - по одному на каретках, на одной из кареток установлен привод, выходная шестерня которого находится в зацеплении с зубчатой рейкой, телескопические вибраторы подпружинены...

Номер патента: 1837370

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Давыдочкин, Маторин, Тихомиров

МПК: H01Q 1/38

Метки: антенна, полосковая

...полосе частот тного излучецаемость слоя 4 е, 3 и 6(например, воздух),Антенна работает следующим образом.Волна, распространяющаяся по полосковой линии 7, возбуждает резонатор 5, короткозамкнутый по двум кромкам шлейфами 8, и щель 9, Поле в щели 9 возбуждает полость под излучающим элементом 1, которая возбуждает поле в щелях, образованных кромками излучающего элемента 1 и экраном 2, Размеры резонатора 5 подобраны таким образом, чтобы проводимости щелей на кромках, трансформированные полостью под излучателем 1, компенсировали в широкой полосе частот изменение входной проводимости щели 9 с резонатором 5. На фиг.3 приведена экспериментальная зависимость КСВ от частоты для антенны, выполой согласно. формуле изобретения (фиг,с центральной...

Номер патента: 1456911

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Кондратов, Скрипник, Скурихин

МПК: G01R 27/28

Метки: полосового, фильтра, центральной, частоты

...и второго выходных сигналов полосового фильтра. Пусть на частоте М З 0 (фиг.2 а) обеспечивается равенствополусумм фазовых сдвигов, т.е.(31)"з (43)Фактическое число тактов итерацииустанавливают в зависимости от допустимой погрешности сравнения по лусумм фазовых сдвигов,О значении центральной частотыфильтра судят по полусумме частоти и Я (фиг,2 а) первого и второготестовых сигналов (27) и (37), т,е.45(37) чают, соответственно, первый и второй тестовые сигналы в виде 0 И) = 0 зп(Ы, +ЬЫ )С == П апа,и П,о- Пзп(о - , ) - (28) = Б залпа с.В 6При разновременной подаче сигналов (27) и (28) на вход полосового фильтра на его выходе появляются первый и второй выходные сигналы в виде Цн=К Пз 1 п(а,+ср ) (29) и0(С) =КьПздлъ(ИС -д), (30) где К и...

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 1762726

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кондратьев, Тимошев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, резонаторов, центральной, частоты

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.