Устройство для сигнализации

Номер патента: 775

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Розен

МПК: H01G 5/01, H01G 5/38

Метки: емкости, конденсатор, конденсатора, конденсатору, неподвижными, обкладками, параллельно, переменной, присоединенного, сложный, состоящий

...неподвижных пластинок конденсатора 4; ЗУ - эбонитовая вставка в станке ящика I: 32- -болтики медные, проходящие через вставку ЗУ; 33 - стрелка, указывающая положение вращающегося конденсатора 4 по циферблату, нанесенному на верхней поверхности сектора 9; 34 - индекс, показывающий количество включенных секций конденсатора 3 по циферблату на диске б; 35 - латунная пластинка с црямоугольньаи отверстиями по окружности сектора кольца 9; Зб в то с кругльаи отверстиями с нарезкой для винтов 37;37 - винты для регулирования нажима контактов 5; 38 проводники; 39 вицт;40 - наружные подводяьцие зажимы апнарата; 47 - -металлические плоские кольца. секторы, служащие поверхностями скольжения при вращении диска б;42 - кольца медные - прокладки...

Номер патента: 554552

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Асташин, Баширов, Ефимов, Карасев, Матвеев, Михеев, Нечаев

МПК: G08C 19/12

Метки: вращающихся, механизмов, многоканальной, передающее, системы, телеметрической

...помехам за счет фильтра 10, включенного на выходе импульсного усилителя 9 и обеспечивающего подавление указанных низкочастотных помех без искажений полезного биполярно-дискретизнрованного сигнала. Низкочастотные внешние помехи возникают за счет наводок на входных цепях коммутатора и соединительных линиях. Внешние помехи особенно опасны при значительной протяженности соединительных линий, что имеет место при рассредоточении датчиков, Внутренние низкочастотные помехи возникают из-за дрейфов нуля импульсного усилителя 9 и преобразователей 7, а также за счет взаимного влияния каналов, возникающего в импульсном усилителе 9 из-за ограниченности его полосы пропускания, Введение фильтра 10 обеспечивает значительное подавление перечисленных...

Номер патента: 680152

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Николаев, Плешков, Сухарев

МПК: H03K 3/53

Метки: заряда, конденсаторов, накопительных

...электроды тиристоров 8, 9подключены к выходу ячейки 11 временного сдвига импульсов, управляемой генератором 12 тактовых импульсов.Устройство дополнительно содержит накопительный. конденсатор 13, отрицательная обкладка которого соединена с выводом положительной обкладки накопительного конденсатора 5. непосредственно, приэтом положительная обкладка конденсатора 13 соединена через дополнительныйдиод 14 и дополнительные зарядные тиристоры 15, 16, анодами подключенные соо 1ветственно к точкам соединения фазныхобмоток 1, 2, 3, с катодами диода 4 изарядных тиристоров 8, 9 и через ячейкуиз сопротивления нагрузки 17 и разрядный ключ 18 с положительной обкладкойнакопительного конденсатора 5. Отрицательная обкладка накопительного конденсатора 5...

Номер патента: 1129721

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Быстров, Николаев, Сычев

МПК: H03K 3/53

Метки: заряда, конденсатора, накопительного

...источника переменного тока (изза больших пульсаций зарядного тока накопительного и дозирующих конденсаторов) - низкое качество электрической энергии, что не дает возможности работать от первичного источника питания соизмеримой мощности.Цель изобретения - повышение качества электрической энергии трехфазного источника переменного тока путем сближения максимального и средне.- циклического значения зарядной мощности накопительного конденсатора.Поставленная цель достигается тем, что устройство для заряда неко1129721 3пительного конденсатора от трехфазного источника переменного тока, содержацее диодно-конденсаторный выпрямитель-умножитель напряжения, образованный тремя дозирующими кон 5 денсаторами и двумя вентильными цепочками, каждая из...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...