Сверх высокочастотны и плазмотронп: gt; amp; т-1. л=м хн5еэдбмблиотена
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
270139 СП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬСТВУ Союз Советских Гонаписи вских РСЯтел 1 иЗависимое от авт свидстсльст Заявлено 27.7.1967 ( 12646822с присоединением заявки хо л 21 д, 6100 Коми о дела ПК Н 051 т риоритстпубликовдцо 29,Х.19 изобретений и открытипри Совете МинистровСССР юллстсць,х,с 33 УДК 621.387,143(088 я описания 15.11.197 ата опублткова Девяткин, А, С. Зусмановский, М. А. Иванов, В. П. Сдзоцо Р, А. Силин, Н, И. Цемко и Л. Ч, Цейтлин Авторы зоб рстсция 3 я 51 В и гс л ь сСГСЗЮ т 1 ю 11 мД ф,фтИлЕНД СВЕРХ В 111 СО КО ЛСТОТ 11 Ы 151 ПЛ ЛЗМОТРО 11 ГБЛЮ я и подачи 1.Т 01 цик одним из элсктрц е 10 троцд ц.1 ИИ ГДЗ Пони.10 ГДЗД,Включается систсх 1 а плазмообразующего газа питания 1. В разрядной известных спосооов под с: ий разряд. После Выв за.111 иВи Р ж 11 х ы ц,дз ,1 Я 10 т ОЙр 1 батыв 1 с Ос Вс 11 1,1111 р; сТВ(5 рс11.111 д Э дени атем токе стоя1 ЧГ 113 разу 1 сэ 0 В лси. ТР,и ОДЯ моо зобрсте;и ыЙ плазмотрон, 011 дсртаця, Отрезок Волцоворазрядцуо трубку, от. с целью увеличения вреоце электрического развеществ, вводимых в содержит два источд вкл 1 очения которы.поперемсцную работу, ан;я подсоединен 1 с поответвцтелсй к торцам нутри которого вдоль зрядная трубка ц длина проходимому плдзмеццериод работы одного Изобретение относится к элсктрордзр 51,В 1,иисточникам газообразной плазмы.Известны сверхвысокочастотные плазмотроны, в которых, плазма образуется в диэлектрической разрядной трубке, пронизывающей 5Волновод, Их недостатком является малоевремя пребывания обрабатываемого всщсствдв плазме.Предлагаемый плазмотрон отличается темчто он содеркит двхд источника питания, схс. 10ма вклОчения которых предусматривает ихпопеременную работу. Источники питания по 1 соединены с помощью направленных ответвителсй к торцам отрезка волновода, Внутрикоторого вдоль его оси размещена разрядная 15трубка. Длина отрезка волновода равна пути,проходимому плазменным образованием зчпериод работы одного источника питания.Благодаря этому в плазматроне увеличенэвремя пребывания обрабатываемого вещества 20в,плазме,На чертеже представлен предлагаемый плазматрон, Он состоит из двух источников питания 1, например, магнетронов, отрезка волцовода 2, к которому источники питания 1,подсоединены с помощью цалчравлецных ответвителей 3. Внутри волновода 2 расположена диэлектрическая разрядная трубка 4, концы которой выведены из волновода через запредечьцые окна 5. 30 и 1;1 г 11;1 зчо ро: слс о юц 1:1 и сиразом ГвсрхВыс 01,очастот 1 ж 1 п 1 цЙ источники пц да и диэлект 1 пчесюю .ипОии 1 ся тем, что, мсци прсоывация в з ряда обрабатываемых разряди 510 т 1)бку, 0 цика питания, схем предусматривает цх причем источники пцт хощь 10 цап раВлсцць 1 х отрезка волновода, в его осц размещена ра которого равна пути, цым образованием за источника питания.270139Составитель В. Рябий Редактор Т. Орловская Техред Л. В, Куклина Корректор Т. А. Джаманкулова Заказ 6674/2 - 70 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.З 5, Раушская наб., д. 4/5ЦТ МО
СмотретьЗаявка
1264682
И. И. Дев ткин, А. С. Зусмановский, М. А. Иванов, В. П. Сазонов, Р. А. Силин, Н. И. Цемко, А. М. Цейтлин
МПК / Метки
Метки: высокочастотны, л.м, плазмотронп, сверх, т-1, хн5еэдбмблиотена
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-270139-sverkh-vysokochastotny-i-plazmotronp-gt-amp-t-1-lm-khn5eehdbmbliotena.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сверх высокочастотны и плазмотронп: gt; amp; т-1. л=м хн5еэдбмблиотена</a>
Предыдущий патент: Импульсный газоразрядный прибор
Следующий патент: Электрогидравлический регулятор мощности дуговой электропечи
Случайный патент: Станок для обработки деталей с криволинейной поверхностью