Ая библиотека

Номер патента: 129

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Минц

МПК: H03H 5/02

Метки: анод, генераторных, дающего, известным, конденсатора, ламп, напряжение, обмотке, образом, параллельно, подключенного, применения, резонанс, трансформатора, уже

...нанике поместить, кроме ого напряжения, также инитей (без резонанс - кредатчик не мог бы пускособого трансформаторакак при отсутствии нагрукалялась бы); повышенипряжения. дмет изОБРетения ода. Предлагаемый способ применения резонанс- конденсатора, подобранного таким образом, чтобы настроить в резонанс низкой частоты цепь питания анода, изображен на схеме и имеет целью достижение, при простоте устройства, экономии материалов, заключаюшееся в возможности использования единственного, имеюшегося при станции с музыкальной искрой, трансформатора и конденсатора и в возможности использования высокого напряжения на аноде.Схема - г изображает первичную обмотку трансформатора, з - обмотку анодного напряжения; у - обмотку накала нитей, 4 -...

Номер патента: 1281957

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Готовская, Подкопаев

МПК: G01M 15/00, G11B 25/00, G11B 5/00

Метки: верхней, внутреннего, воспроизведения, двигателя, записи, магнитной, магнитных, мертвой, меток, сгорания, стирания, точки

...3.Открывание ключа 3 осуществляется фЬрмирователем 2 записываемых импульсов по сигналу датчика 1, выполненного в виде выделителя переменной составляющей тока стартера, тока генератора или переменной составляющей напряжения аккумуляторной батареи. При открывании ключа 3 осуществляется разряд накопительной емкости конденсатора О на обмотки 5 и 6 головки 4 и запись метки на шкив коленчатого вала. Выделение экстремума пере-. менной составляющей сигнала датчика 1 и устранение помех осуществляется элементами формирователя 2 путем фильтрации, усиления, коррекции частной характеристики и пороговой обработки.В режиме воспроизведения обмотки 5 и 6 магнитной головки 4 подклю-. чаются коммутатором 7 последовательно к входу усилителя 19,...

Номер патента: 1596392

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Дубчак, Костюк, Омельченко, Худяков

МПК: G11C 11/40

Метки: записью, информации, матричный, накопителе, накопитель, стиранием, считыванием

...одной плоскости с возможностью независимой выборки ячеек памяти с помощью произвольной пары шин, осуществляющих электрические связи в накопителе. Это позволяет реализовать в совокупности выполнение противоречивых функций избирательности при записи, стирании и считывании информации в накопителе Э РПЗУ, стоя щемся на основе плотнокомпонуемой однотранэисторной ячейки памяти.Примером наиболее полного использования диагональных межсоединений в рамках изобретения является накопитель по фиг, 4, функционально усовершенствующий вариант схемы по фиг. 1, поскольку он можетуправляться напряжением одной полярности, Ячейкой памяти накопителя служит четырехэлектродный запоминающий транзистор, в котором запись информационного заряда на плавающий затвор...

Номер патента: 879649

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Войникова, Зуев, Кравец, Селиванов

МПК: G11C 11/065

Метки: двумя, запоминающего, оперативного, организацией, разряд, сердечниками, устройства, числовая, ячейка

...при 25 этом на выходной обмотке 7 выделяетсямагнитный поток Фтс, вызывающий вконтуре связи ток Эк с, Кроме Э,с, вызываемого переключением трансформатора, в контуре связи действует ток 30 31 С,подаваемЖ в точку соединения кон-тура связи с обмоткой 6 считыванияи разделяющийся на две части. ток Э,протекающий по выходной обмотке 7 инаправленный навстречу 3 к с, и ток 35 Э протекающий по числовой шине 2и направленный согласно 3 к,с.Таким образом, по выходной обмотке 7 протекает разностный ток Эв с= 1,0, -3 В , а по числовой шине 2 - 40 суммарный ток Г.с - к.с,+и, причемг,с,-и.с =а +и =а.сМагнитный поток фк частично теряется на сопротивлении выходной обмотки 7 (Фс ), частично на сопротивлении числовой шины 2 (Ф с), а остальная часть (Ф)...

Номер патента: 966651

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Капустин, Пикин

МПК: G02F 1/137

Метки: жидких, записи, информации, кристаллах, стирания, хранения

...глубоко охлаждена смектическая фаза. Если охлаждение неглубокое, т.е.температура вещества близка к точке перехода в нематическую Фазу, то благодаря упругим силам в смектике ориентация молекул может за небольшое время возвратиться в исходное состояние. Если охлаждение смектика глубокое, то вследствие образонания многочисленных дефектов структуры (дислокаций и дисклинаций) места ячейки с наклонной ориентацией молекул сохраняются требуемое нремя. Это время хранения становится практически неорганиченным, еслй смектик охладить ниже точки перехода в твердый кристалл, Стереть записанную и сохраненную информацию легко, нагрев ячейку заметно выше точки перехода .в нематическую фазу.Вдоль плоскости ячейки устанавливается с помощью...