Способ определения концентрации смеси хладагентов

Номер патента: 684523

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Бакулин, Рожков, Тютиков

МПК: G05D 27/02

Метки: веществ, газом, давления, насыщения, процесса, регулятор, твердых, температуры

...и температуры содержит промежуточную камеру 1, первый2 и второй 3 регулируемые вентили, гаэосйорник 4 опорную камеру 5, ограничительную диафрагму 6, рабочую камеру7, дифманометр 8, преобразователь 9,источник питания 10, реле времени 11,программный блок 12, блок управления 13,исполнительный элемент 14, нагреватель15, датчик температуры 16, юмерительтемпературы 17 и релейный блок 18.Регулятор работает следующим образом.40Допустим, регулятор обеспечил наращивание температуры по заданной программе. После этого необходимо проювеоти выдержку при постоянном давлении ипостоянной температуре. По окончании вы 45церкки требуется снизить температуру взависимости от скорости поглощения газа твердым веществом при постоянномдавлении в рабочей...

Номер патента: 1411014

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Зорин, Перова, Чернятин

МПК: B01F 3/02

Метки: времени, газовой, градуировочной, концентрацией, приготовления, смеси, спадающей, экспоненциально

...и измерительного цифрового комплекса в строго определенные моменты времени (1). Объем выборки (цисло наблюдений пар 8 - )гп составляет не менее 15 при каждом заданном объемном расходе азота. Обработку результатов наблюдений проводят при доверительной вероятности 0,95 с использованием известной методики.Анализ характера изменения кривых (а - в) (фиг. 1) показывает, что при заданных экспериментальных условиях существует оптимальный диапазон объемных расходов газа-носителя (47+-5) см/мин, в котором реализуются минимальные знацения относительных случайных погрешностей коэффициента наклона (+О,ЗЯ) и коэффициента преобразования ДИП (+- 1,5 Я), а знацение показателя степени отклонения заключено в интервале от 0,99 до 1,01.Значения этих...

Номер патента: 453623

Опубликовано: 15.12.1974

МПК: G01N 25/38

Метки: водородав, высокойупругостью, компоненты, концентрации, пара, содержащих, сплавах

...полноты зкстракции и производительности процесса по предлагаемому 1 способу перед размещением образца сплава в вакуумную аппаратуру на его поверхность наносят тонкую пленку чистого алюминия.Способ реализуют, например, следующим образом. 1Образцы алюминиевого сгглава покрывают пленкой чистого алюминия путем кратковременного погружения образцов сплава в рас. плав чистого алюминия.Затем образцы загружают в вапаратуру, нагревают в вакууме масс-спделившПреистоитобразцкает ворошо п ом количество вод бразца.предлагаемого сп нанесенный на по стого алюминия н колетучих компонс водород. ектромстр егося из о мущсство в том, что а слой чи згоны лег ропускает рода, вы. особа со верхносгь е пропус нтов и хо дм ет и зоб и Спосоо определенияда в...

Номер патента: 1511677

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Заборцев, Островский, Поповский, Сазонов, Смирнов, Шпак

МПК: G01N 30/04

Метки: веществ, времени, газовых, концентрациями, переменными, смесей

...а после слоя -1100+135 мг/м з, Т,е. для определениясредней концентрации толуола с погрешностью не выше, чем при использованиислоя адсорбента, необходим анализ неменее 146 проб, Таким образом, используя слой адсорбента, можно в 20раэ снизить количество проб,П р и м е р 2, В условиях примера 1 и циклическом изменении содержания паров толуола на входе от 200 до 15з1200 мг/м , при времени цикла 900 си отношении времени подачи высокой ималой концентрации 1:2, на входе слояадсорбента через 8-10 циклов концентрация толуола колебалась от 400 до3490 мг/м . Средняя концентрация толуола, рассчитанная аналогично примеру 1, на входе слоя составляет 460+з з+300 мг/м , а после слоя - 430 фЗОмг/мт,е, для определения средней концентрации толуола с...

Номер патента: 122240

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Тульчинский, Юрасов

МПК: H01L 23/14

Метки: давления, датчик, концентрации, паров, полупроводниковый

...хлорного олова, который содержит 8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес, ч. восстановителя (формалина). Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава;8 вес. ч. Ад 2 СОз+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.Приготовленный таким...