Электрохимическое устройство для регистрации информации

Номер патента: 642771

Опубликовано: 15.01.1979

Автор: Пресняков

МПК: G11C 9/06

Метки: блоков, информации, обменом, памяти

...- 20ных признаков 18, схемы сравнения 19,При приеме обращений устройствоработает следующим образом.Если буферные регистры 2-5 свободны, тс блок управления 1 формирует 25сигнал Снободно, который подается в блок согласования б. Через блоксогласования обращение записываетсяв буферные регистры 2-5. Блок управления 1 при поступлении информации формирует сигнал Занято в блок согласования б, анализирует разряды адреса с регистра 4, определяющие блокпамяти 11, к которому относится данное обращение. Если выбранный блокЯ11 свободен, то информация иэ буферных регистров 2-5 передается н выбранный блок 11 на регистры блока памяти 13,14,15,16. Кроме того, передтем как передать обращение в выбранный блок памяти 11, блок 1 анализирует код...

Номер патента: 955195

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Поляшов, Соболев, Суворов

МПК: G11C 17/00, G11C 7/00

Метки: блок, записи, информации, памяти, постоянной, программируемой

...такты;Т - начало записи кода а в блокпамяти, 25Т, - конец записи кода О;временной интервал непосредственно записи в блокпамятиУстройство работает следующим об разомо Процесс записи информации в блок памяти можно разбить,на два этапа: первый этап - этап ожидания или этап подготовки информации, когда происхо дит смена адреса и данных, подлежащих записи, и второй этап - этап непосред" ственно работы устройства, который ,состоит из а рабочих тактов, а каждый такт, в свою очередь, подразделя ется на два временных интервала: первый - считывание из блока памяти и второй - запись в блок памяти.На этапе подготовки устанавливается необходимый адрес Ь на выходе ком" 45 мутатора 8 и данные с на выходе блока 1 (Фиг,2),В момент Т с выхода блока 1...

Номер патента: 974410

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Поваляев, Хуринов

МПК: G11C 29/00, G11C 7/24

Метки: блоков, воспроизведения, записи, информации, коррекцией, оперативной, ошибки, памяти

...различным путем. Обору дование генератора, задействованное для генерации битов 50, 51, 52, 53, 54, 5, 56, 57 при прямой подаче информации и кода Хэмминга на вход генератора, генерирует соответственно биты 54, 55, 56 57, 50, 51 52, 53.при подаче той же информации и кода Хэмминга с кольцевым сдвигом.Результаты обеих генераций должны совпадать, если соответствуюшее оборудование функционирует правильно.Сравнение результата генераций осуществляется в блоке сравнения синдромов 13. Скорректированная информация, записанная в регистр 19, поступает иа первый вход контрольной схемы сравнения 16. На третий вход через селектор 15 поступает скорректированный побайтный паритет сообщения. На второй вход через второй элемент И 10 из регистра 1...

Номер патента: 1675806

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бобрович, Верхошенцев, Крутяков, Кулов, Морковин, Романов, Сидоренко

МПК: G11C 7/00, H04N 5/335

Метки: блока, двух, информации, микроканальных, пластин, регистрации, считывания

...д 3записи информации. Количество строк в 20 (5)считывающем растре определяется как размером МКП, так и диаметром электронного где Бмкп - площадь МКП;считывающего луча. При использовании, на- р - коэффициент полезной площадипример, МКП диаметром 34 мм может быть МКПприменен телевизионный полукадр с чисн - номинальная емкость.лом строк 250 - 300. Это значит, что диаметэлектронного луча должен быть 80-90 мкмд етр . Полагая, что компенсация этих зарядов0 90 мкм осуществляется только электронами счиа в качестве считывающего прожекто а мощ Р тора мо тывающего луча, требования к величине этожет использоваться выпускаемый и омышУ промыш го тока могут быть определены из равенстваленностью, например, видикон или 30суперортикон с размером экрана...

Номер патента: 566265

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Андреев, Шорыгин

МПК: G11C 7/02

Метки: блоков, доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических

...и параллельной этому полю. Таким образом, в отсуствии ЦИД магнитное поле рассеяния ферромагнитной пластины 3 остается постоянным, а следовательно наводимая этим полем ЭДС индукции в пластине 5 второго проводника равна нулю. При прохождении ЩЯ (условно изображено на чертеже цифрой 13),по тракту продвижения 2 под пластиной 3, ее вектор намагниченности М под действием горизонтальной составляющей поля рассея- ф 5 ния этого ЦИД отклоняется от равновесного положения (обозначенного цифрой 12), параллельного оси У, на некоторый угол, в положение, показанное цифрой 14. Параллельность 30 между вектором Й и направлением высокочастотного поля нарушается, что обуславливает появление момента вращения вектора Й в этом поле, а следовательно и...