245492

Номер патента: 1610239

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Аграновский, Брандорф

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...22 в состояние, при котором на его выходе появляется уровень лоГической единицы, Поэтому элемент 25 равнозначности выполняет функцию повторителя. В процессе дальнейшего движения эллипсоид 5, магнитный момент М которого направлен, например, слева направо, входит в участок первой трубки 2, размещенный в объекте 1 контроля, и по мере приближения к преобразователю 4 на его выходе появляетсянапряжение О 4, зависимость от времени которого изображена на фиг,2, Это напряжение поступает на вход блока 27 дифференцирования, На его выходе зависимость выходного сигнала О 27 имеет вид, показанный на фиг.2. Нули О 27 соответствуют экстремумам О 4, При этом положение регистрируемых экстремумов практически не изменяется при воздействии внешних полей за...

Номер патента: 446743

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Глушков, Раскевич

МПК: G01B 11/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ 1 о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.Описываемый способ прост взксплуатации и не требует химичвстб КОй ПОдГОтОВКИ ОбраэцОВ.Принципиальная схема измеренияпо предложенному способу показана на чертеже.Свет от источника 1 проходит 20 через конденсор 2, поляризатор 3,образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему б и попадает на регистрирующее устройство 7.ИсследуемыИ образец 4 помещают 25 между скрещенными поляризатором 32 2 б 7 Составитель А, С Э ЛИ НРедактор С,ХОЙфИЦ Текред Н .СОНИНЭ Заказ 4 З Изд. И )Я Тираж Щ) Подписиое ЦНИИПИ Государствеияого комвтета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113...

Номер патента: 1267371

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Красников

МПК: G05D 9/00

Метки: жидкости, слоя, толщины

...возможность перемещения относительно корпуса 9 задртчика. Лимб 13 микрометрического Зо винта 1 О через шестеренчатую передачу 14 соединен с валом 15, на котором закреплен блок 16 трособлочной передачи 17, трос 18 которой закреплен на станине 6 и соединен с упомя З нутым блоком 16, который связан также с пружиной 19, закрепленной относительно корпуса 9 эадатчика, Пластина микровыключателей 12 через рычаг20 соединена с датчиком толщиныслоя 2.Устройство для регулирования толщины слоя жидкости работает следующим образом,Жидкость, толщину слоя которой необходимо регулировать, поступает налоток 4 и воздействует на датчиктолщины слоя 2, в результате измененияпараметров жидкости, например вязкости, изменяется толщина слоя жидкости,протекающей по...

Номер патента: 1374038

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Арушанов, Сапранков

МПК: G01B 7/06

Метки: слоя, толщины, ферромагнитного

...участок с площадью Я на торце слоя, который будет равен:Фю - К 2 В,. Я К В 61, (2) тгде К - коэфАициент, учитывающийформу образца, т.е. коэффициент размагничивания формы при намагничивании образца в другом направлении;6 - ширина элементарного участка, расположенного на торце слоя,т.е. толщина слоя ферромагнитногоматериала;1 - длина площадки на торце слоя.Разделив величину остаточного магнитного потока Ф , снимаемого стэлементарного участка площади Я наторце слоя, на величину остаточногомагнитного потока Ф с элементарного участка площади Я на поверхностиконтролируемого Аерромагнитного слоя,нанесенного на немагнитную основу,получим усредненное по длине значениетолщины слоя, т.е,Ф 1 В Я К В ..К 1где К = - --= сопят - конструкЕЪ...

Номер патента: 1495641

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Аграновский, Брандорф, Кизилов, Ямпольский

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...числа операций и отказа от регистрации аналогового тока к контуре.На чертеже представлен трехслойный объект.Между слоями 1 - 3 с соответствующими толщинами Т 1 - ТЗ и на поверхности объекта расположены линейные проводни. ки 4 - 7, а на поверхности установлен преобразователь 8 поля. Кроме того, приведены источники 9 и 10 тока.Способ реализуют следующим образом.Образуют пару электрических контуров путем объединения линейных проводников 4, 5 и 6, 7. В каждый из полученных контуров включают источники 9 и 10 тока с напряжением Е 1 и Е 2 соответственно. Затем регистрируют величину Н 1 напряженности поля в месте расположения преобразователя 8 поля. После чего изменяют ток в одном из контуров и регистрируют величину поля Н 2.Решая систему...