Устройство для измерения неидентичности амплитудно-фазовых характеристик

Номер патента: 1188666

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Венедиктов, Власов, Усов

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, мощности, свч

...и второго отрезков2 волновода связан с внутренним диаметром Э третьего отрезка 4, длинойволны ф и типом электромагнитногоколебания соотношениемзп %(1) гдето, - корень производной функцииБесселя Л Я), определяющийтип электромагнитного колебания,Для обеспечения оптимального прохождения в измеритель СВЧ-колебаний рабочего типа целесообразно углы /3 наклона образующих внешней поверхно- З сти третьего отрезка 4 волновода выполнить совпадающими с углом Ы (ес (Э).Величины зазоров 5 и 6 выбираются из условия обеспечения малых потерь ф Ь Р СВЧ-мощности в измерителе ЬРлР где полная мощность; олновое число.трубы 1, являющийся элемениндикации, выполнен из СВЧ го материала, например фторои кварца. Схема индикации о Отрезотом схемьпрозрачн пласта и...

Номер патента: 1062617

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Белогорцев, Комов, Трещев

МПК: G01R 21/12

Метки: датчик, мощности, свч

...этого датчика СВЧмощности является низкая чувствительность за счет большой толщины,Кроме того, помещение чувствительного элемента в волновод искажает 10распределение поля и увеличиваетпогрешность измерений.Наиболее близким к изобретениюявляется датчик СВЧ мощности, содержащий Огрезок прямоугольноговолновода, внутри которого размещен полупроводниковый элемент сомическими контактами 2 .Однако известный датчик СВЧ мощности имеет низкую чувствительностьИ ТОЧНОСТЬ,Цель изобретения -. повышениечувствительности и Точности,Поставленная цель достигаетсятем что В Датчике СВЧ мощнОсти 25содержащем отрезок прямоугольногоВОЛ 11 овода, внутри которого размещенполупроводниковый элементс Омическими контактамиПОлупрОВОдниковый элемент...

Номер патента: 1170370

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Бондаренко, Дмитриев, Мерзляков

МПК: G01R 21/12

Метки: датчик, мощности, свч

...которого ориентирован параллельно поверхнос ти кристалла, первый и второй резистивные слои 2 и 3, нанесенные на пироэлектрический кристалл 1 и расположенные в одной плоскости, причем первый и второй резистивные слои 2 20 и 3 соединены с одного конца пленочным короткозамыкателем 4, между первым и вторым резистивными слоями 2 и 3 расположен металлический слой 5, причем расстояние д от его краев до 25 первого и второго резистивных слоев 2 и 3 определяется по формуле:28 К3 сегде 3 - заданная максимальная отно- З 0сительная погрешность измерения;К о С - соответственно теплопровод-) О)ность, плотность и теплоемкость пироэлектрическогокристалла 1;Ч - максимальная относительнаяскорость измерения измеряемой СВЧ-мощности.Входные импедансы первого...

Номер патента: 1499257

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Курчук

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, свч-мощности

...токонесущимпроводником 3, диэлектрической подложкой 1 и экраном 2, Обычно, 7,50 Ом.При этом длина термоэлементов 4 может определяться, например, по фор- муле Для повышения технологичностивсе термоэлементы 4 выполняют изтонких пленок с одинаковыми свойствами, Расстояния между продольными осями термоэлемейтов 4 следует выполнить равными между собой. Для повышения термоЭДС длина термоэлементов4 должна быть в несколько раз больше толщины подложки 1, например в10 раз. Для повышения механическойпрочности, надежности и быстродействия преобразователя его следует установить на металлическое основание.Термоэлементы 4 могут содержатьдве или три ветви. В случае, еслипленки ветвей термоэлементов 4 имеют различные сильно отличающиесязначения...

Номер патента: 1800375

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Светличный, Стариков

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, мощности, свч

...содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2 и 3, контакт 2 выполнен в виде полоски экспоненциально переходящей вдоль ее длины в полуша ровой слой радиусом г, а контакт 3 - в виде полукольцевого слоя радиусом г 2. Высоты Ь 1 и Ь контактов 2 и 3 выбраны из соотноше- ний При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ мощность концентрируется, в основном, между контактами датчика и но сителя заряда разогреваются, причем разогрев носителей у сферической поверхности полушарового слоя контакта 2 существенно больше, чем у полусферической поверхности контакта большей площади 3, в то время как в остальном объеме полупроводникового кристалла 1 они остаются в тепловом равновесии с кристаллической...