Фотоконденсатор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 231671
Авторы: Алиев, Розенштейн, Чист
Текст
ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 231671 Союз Советских Социалистичаских.-.",ичонсЛ Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 15.Н,1967 (М 1164237/26-9 л. 21 д, 1 О,/02 присоединением заявки1 риоритетОпубликовано 28.Х 1.1968 Бюллетень36Дата опубликования описания 3.17.1969 МПК Н 01 Комитет по делам зобретений и открыти при Совете Министров СССР. Алие СССР Заявитель нститут полупроводнико ТОКОНДЕНСАТОР изготовлении слоя 1 из фталоцианина, а слой 2 из ВаТ 10 з произведение диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала фотоактивного слоя в 100 раз больше произведения соответствующих величин материала пассивного слоя, На частоте 10 кгтт с увеличением интенсивности светового потока от 0 до максимума емкость конденсатора уменьшается на 30%, а при частоте- на 10",о. 2 кгпв дмет изобретения Ф ото конденсаного, напримерпассивного, напразмещенных мкладками слоецелью полученцтельностц, фотоматериала, дляння дцэлектрцчсное сопротнвлснэлектрической ппротнвление мапример цз фтализготовленном и Известен фотоконденса тор, состоящий из фотоактивного, например фотополупроводникового, и пассивного, например сегнетоэлектрического, слоев, размещенных между токо- проводящими обкладками, Однако у такого 5 фотоконденсатора при увеличении интенсивности светового потока, падающего на конденсатор, увеличивается емкость.У описываемого конденсатора уменьшение его емкости при увеличении интенсивности 10 светового потока достигнуто тем, что фотоактивный слой изготовлен из материала, для которого величина произведения диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала фотоактивного слоя больше, 15 чем произведение диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала пассивного слоя, например, и фталоцианина при пассивном слое, изготовленном из титаната бария. 20На чертеже изображен описываемый конденсатор.Диэлектрик конденсатора образован фото- активным слоем 1 и пассивным слоем 2. На поверхность слоя 1 нанесена полупрозрачная 25 токопроводящая обкладка 3, Пассивный слой 2 нанесен на металлический электрод 4. При тор, состоящии цз фотоактивфотополупроводникового, и ример сегнетоэлектрического, ежду токопроводящимц обв, от,шчвощийся тем, что, с я отрицательной фоточувстви. активный слой изготовлен цз которого величина произведеской проницаемости на удель. цс больше произведения дцроницаемостц на удельное со. терцала пассцвного слоя, на. оцианина, при пассивном слое, з титаната бария,2 4 Составитель Н, ДавыдовТехред Т. П, Курилко Корректор О. Б. Тюрина Редактор А, Шиллер Типографии, пр, Сапунова, 2 Заказ 354,3 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр,Серова, д. 4
СмотретьЗаявка
1164237
В. Ю. Алиев, Л. Д. Розенштейн, Е. А. Чист ков Институт полупроводников СССР
МПК / Метки
МПК: H01G 9/20, H01L 29/28
Метки: фотоконденсатор
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-231671-fotokondensator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотоконденсатор</a>
Предыдущий патент: Способ проверки электромагнитных реле
Следующий патент: Конденсатор
Случайный патент: Регулятор давления