221998

Номер патента: 1756940

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Добров, Кубышкин, Кушнарев, Лабковский

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, полупроводниковых, преобразователей, силовых, соединения, схем, элементов

...Остальное Дендритная форма (" ежик" ) порошка медного способствует тому, что частицы меди продавливают поверхностную окисную пленку соприкасающихся элементов силовых схем, обеспечивал надежный электрический контакт.В целом, введение в состав известной пасты порошка медного электролитического, состоящего из частиц дендритной формы, с указанным в формуле изобретения соотношением компонентов, повышает ее электропроводность и улучшает теплопроводность. Это обеспечивает снижение контактного электро- и теплового сопротивления, что, в свою очередь, позволяет повысить допустимые токовые и тепловые нагрузки силовых полупроводниковых преобразователей, т. е. реализовать цель изобретения,Для проверки свойств предлагаемой пасты были...

Номер патента: 276523

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G01R 31/28, G05B 13/02

Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных, элементов

...тест-сигнал, который подается на вход управляемой модели 1 исследуемой схемы, и сигналы угравления на блок б для проверки условий заданных ограничений на параметры вь".ходного сигнала гу. В ответ на входной сигнал и на выходе управляемой модели схемы формируется выходной сигнал гг, параметры которого автоматически измеряются блоком 2 и последовательно поступают на блок 7 анализа, в котором определяется суммарное отклснение текущих параметров выходного сигнала от заданных. Это выполняется в блоке 7 по шести командам, вырабатываемым блоком б управления.Вычисленное значение отклонения от цели с блока 7 в двоично-цифровом коде пересылается в блок 9 для определения дальнейшего направления поиска. Это достигается путем сравнения...

Номер патента: 1436090

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Краснер, Кусимов

МПК: G02B 5/10

Метки: оптических, схем, элементов, юстировки

...оптической схемы 4 при условии, что соответствующие оптические элементы 1-3 отъюстированы, кроме то" га, датчик 6 интенсивности закреплен на корпусе оптической схемы 4 таким образом, что его центр совпадает с точкой пересечения продольной оси симметрии каналов коллиматоров 8, параллельной оптическим осям соответствующих оптических элементов 1-3 с карпу" сом 4 оптической схемы при условии что соответствующие оптические элементы 1-3 отьюстированы.Датчик 6 иктексивкости защищен экраном 17 представляющим собой свинцовую оболочку, покрывающую чув- ствительную поверхность датчика 6 интенсивности, с отверстием, центр которого сопадает с центром датчика 6 интексквкости.- Иатрица 5 чувствительных элементов ,Фиг.2 г) выполнена в виде...

Номер патента: 524674

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Бугай

МПК: B23Q 35/42

Метки: гибких, изменения, конфигурации, копиров, элементов

...35. Ролики 36 служат для направления гибких нитей 37, соединенных с горизонтальными рычагами 38, поворачивающихся о.носительно шарниров 39, Зажимы 30 и 31 содержат верхние подвижные колодки 40 и нижние неподвижные колодки 41. Упоры 42 с нажцмной пружиной 43 взаимодействуют с рычагами 38.Устройство работает следующим образом. Получая вращение от силового агрегата, приводная шестерня 34 вращает ведущий вал 2, который приводит в движение цепной транспортер 5 посредством закрепленных на валу приводных звездочек 4, Подъемные ролики 15 механических щупов 11 и 12 в исходном положении располагаются в нижних горизонтальных пазах огибающего кожуха 19, а игольчатые стержни 14 упираются в программоноситель 26, Кривизна копиров 20 изменяется при...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...