Устройство для проверки исправности сигнальных ламп

Номер патента: 390544

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G08B 13/26

Метки: датчик, сигнальный

...в притянутом состоянии, а релесообщения 17 - в отпущенном.Конденсатор 9 датчика 1 постоянно заряжается через контакты 6 и 7 кнопки от напря 25 жения контрольного тока на резисторе 8.В первоначальный момент нажатия кнопкитревоги размыкаются контакты 5 кнопки, иразрывается цепь1. Это ведет к обесточи.ванию обмотки, отпусканпю якоря реле обры.30 ва 12 и размыканию его контактов 13. В тотже момент конденсатор 9 отключается от цепи заряда.При обесточивании обмоткиреле 12 своими контактами включает световой и акустический сигналы повреждения, образуя цепь Мо 2 (плюс, сигнальная лампа повреждения 28, контакты 14 реле 12, минус).Плюс, звонок 29, контакты 15 реле 12, минус образуют цепь Мо 3.При дальнейшем нажатии кнопки тревоги заряженный...

Номер патента: 783907

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Беленький, Заверюха, Смирнов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентиля, датчик, полупроводникового, состояния

...включен между соединительными входными зажимами и отрицательной шиной питания микросвжы,На чертеже представлена схема датчика.Если контролируемый силовой вентиль включен, напряжение на входе датчика равно остаточному напряжению на вентиле и недостаточноущ того, чтобы стабилитрон 1 вошел в зону стабилизации, Ток базы транэистстрв 2 мвл и ток эмиттера недостаточен для свечения светодиода оптрона 3. Неосвещенный фототиристор заперт, что соответствует логической единице на входе интегральной схемы И-НЕ 4 и логическому нулю на ее выходе. Если контролируемый вентиль выключен, входное напряжение датчика достаточно для того, чтобы стабилитрон 1 вошел в зону стабилизации. Эмиттериый токИсточники информации,принятые во внимание при...

Номер патента: 1051623

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Нестюрина, Роздобудько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: анодным, ганна, диодах, катодного, контакта, контактом, омическим, типа

...работоспособностипредлагаемого способа.Исследовались диоды Ганна, изготовленные на основе арсенидгаллиевойэпитаксиальной структуры типа и - ис концентрацией доноров .в и -области2-410 см , толщиной и областий8-10 мкм. Технология изготовленияконтактов указанных диодов включаласоздание катодного контакта типабарьера Шоттки, ВАХ которого несимметрична, и заведомо омическогоанодного контакта,В качестве источника света использовался лазер ЛГ-1 с длиной волны 0,63 мкм диаметром луча 400 мкм,и 30 мощностью излучения8 мВт.Диод Ганна облучали со стороныкатодного контакта сфокусированнымлучом Лазера. Фото-ЭДС регистрировали между анодным и катодным контакЗ 5 тами диода Ганна вольтметром постоянного тока. Измеренное значение разности потенциалов...

Номер патента: 1679504

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Брандорф, Квурт, Котляров, Холоша

МПК: G01R 31/04

Метки: клавиатуры, контактов, проверки

...содержит клавиатуру 1, блок 2 индикации, регистр 3, группу токозадающих резисторов 4, элемент ИЛИ 5, триггер 6, элемент НЕ 7, генератор 8 тактовых импульсов, выходы 9 устройства.Особенность работы состоит в том, что в течение одного периода вырабатываемых генератором импульсов полпериода отводится на занесение информации в триггеры регистра, а полпериода - для проверки контактов клавиатуры.При исправных контактах в переключателях клавиатуры в те полупериоды, при которых с выхода элемента НЕ 7 снимается низкий (нулевой) потенциал, с выхода элемента ИЛИ 5 снимается низкий потенциал, и триггер 6 неисправности находится в нулевом состоянии, устройство подтверждает исправность контактов.Если какой-то контакт неисправен...

Номер патента: 1699251

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Лапидус, Малышев, Скворцов, Тэгай

МПК: G01N 22/00

Метки: градуировки, датчика, параметров, полупроводниковых, резонансного

СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ РЕЗОНАНСНОГО ДАТЧИКА ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, заключающийся в расположении образцов, аттестованных по удельному сопротивлению на измерительное отверстие резонансного датчика, и снятии зависимости выходного сигнала резонансного датчика от электрофизического параметра образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках, в качестве образцов, аттестованных по удельному сопротивлению, используют полупроводниковые образцы толщиной, не превышающей максимальную толщину измеряемых эпитаксиальных слоев, на тыльную поверхность которых нанесен металлический слой, измеряют толщину полупроводникового образца, а в качестве электрофизического...