Диодно-транзисторная логическая схема

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1173499

Опубликовано: 15.08.1985

Автор: Вильфрид

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающего, питания, приборах, проводимости, сетевого, схема, транзистора, фазой

...стабилизации выходного напряжения, ограничивая коллекторный ток переключающего транзистора путем вывода его из насыщения. Недостатки этого решения состоят в том, что относительно зависящего от входного напряжения управления тока базы переключающего транзистора и вследствие вывода из насыщения переключающего транзистора эти технические решения неприменимы . для приборов сетевого питания с высокими входными напряжениями питания, так как нельзя избежаТь перегрузки по мощности переключающего транзистора,Цель изобретения - улучшение регулирующих свойств приборов сетевого питания и снижение требований к времени накопления и коэффициенту усиления по току переключающего транзистора.В основе изобретения лежит задача создания схемы для...

Номер патента: 1176426

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Вильфрид

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающего, питания, приборах, проводимости, сетевого, схема, транзистора, фазой

...так как нельзя избежать перегрузки по мощности переключающего транзистора,Целью изобретения является улучшение регулирующих свойств приборов сетевого питания и снижение требований к времени накопления и коэффициенту усиления по току переключающего транзистора.В основе изобретения лежит задача выполнить схему для управления фазой проводимости переключающего транзистора в приборах сетевого питания с управляющей обмоткой и управляющим транзистором в цепи эмиттера переключающего транзистора так, чтобы с минимальными дополнительными затратами достичь управления током базы, пропорциональным коллекторному току, и существенно ум ньшить отрицательное влияние времени накопления переключающего транзистора на регулирующие свойства прибора...