Дозиметр медицинский

Номер патента: 130693

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Решетников

МПК: G01K 13/00

Метки: контакта, контактной, него, площадки, протекании, температуры, электрического

...контакты 1 и 2, токопроводящий элемент 8, электроизмерительный прибор 4 и делитель 5. Исследуемые контакты изготовлены из одного материала, например меди или стали, и представляют собой стержни с торцами, обработанными по сфере. Токопроводящий элемент выполнен в виде пластины из другого материала, например никеля, и помещен между исследуемыми контактами. Токопроводяший элемент соединен с одним из вводов электроизмерительного прибора, который вторым вводом подключен к движку делителя, соединенного, в свою очередь, с исследуемыми контактами.Токи, текущие через электроизмери 1 ельный прибор и возникающие в результате падения напряжения на контактах и от индуктированных э. д, с., компенсируются выбором положения проводников и установки...

Номер патента: 1131400

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: арсениду, барьерного, галлия, контакта, пробоя, проводимости, типа

...галлия, размещаемого на металлическом предметном столике 2, прижимают алюминиевую трубку 3; Место контакта ее с поверхностью образца уплотняют посредством эластичного диэлектрического кольца 4 с диаметром отверстия, ограничивающего площадь анода, равным 2 мм, Электролит 6 готовили смещением ЗХ-ного водного раствора лимонной кислоты (рН доводили до 6,0 добавлением аммиака) с этиленгликолем в соотношении 1:6. После заполнения трубки электролитом обеспечивали локальный контакт электролита с анодом на площади около 3 мм , Поло 2 жительный потенциал от источника 7 постоянного тока подают на анод путем создания прижимного контакта 8 к поверхности образца. Отрицательный потенциал прикладывают к алюминиевой трубке, внутренняя поверхность которой...

Номер патента: 483754

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Вайсберг, Подольский

МПК: H02P 9/30

Метки: возбуждения, генератора, например, регулятор, цепи

...через диод 24 к нагрузке 2. От крытому состояцию транзистора 12 соответствует запертое состояние транзистора 11, открытое состояние гасящего тиристора и запертое состояние основного и дополнительного тиристора. Конденсатор 4 при этом заряжен до напряжения на стабилитронс 18, После запирания транзистора 12 открывается транзистор 11 и получает питание управляющая цепь тиристора 8. Конденсатор 4 начинает разряжаться через резистор 7 и тиристор 8 па управляющую цепь тиристора 1. Когда анодное напряжение тиристора становится меньше напряжения конденсатора 4, открывается диод 10 и дальнейший разряд конденсатора происходит по цепи через тиристор 1.Одновременно через тиристор 1 и диод 24 производится заряд конденсатора 22 до напряжения...

Номер патента: 31840

Опубликовано: 31.08.1933

Автор: Ширекс

МПК: G01R 23/00

Метки: волн, длины, частоты

...сил при условии малых потерь в катушках 7, 2, 3,Фиг. 2 представляет диаграмму равнодействующих токов 1 и 1 в самоиндук.циях 7 и 2, Теоретические. данные и расчет показывают, что токи 1, и 1 равные между собой при точной настройке колебательного контура, перестают быть равными, как,только наступает расстройка, Объясняетя это тем, что при расстройке вектдЫ 1 (фиг, 2) поворачиваются на некоторыи угол; что вызывает уменьшение угла а при увеличенииуглаили наоборот,Для выявления разности токов 1 - 1можно пользоваться двумя детекторами 5,шунтирующими участок самоиндукций 7;2(фиг. 1), Под детектором здесь разумеется любой орган, преобразующий высокочастотный ток в ток низкой частоты, либов постоянный ток, например, термоэлемент,...

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...