197019

Номер патента: 316131

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Виноградов, Лесн, Феоктистова

МПК: H01J 9/04

Метки: боковой, катода, керна, поверхности, профилированного

...изготовленный указанным способом, имеетмалую теплоемкость, а время разогрева егосократилось с 10 до 3 мин,Способ изготовления пр боковой поверхности кер штамповки пз предварител заготовки, отличающийся повышения точности изгот вьголняют в виде цплинд с периметром, равным пер ванного керна катода, и п гиваншо с одновременной офилированнна катодаьно отформотем, что, совлсния, загричсского коиматру профодвергают ееформовкой,ого по путех ванноГ целью отовку чпачка плиро- вытя 25 30 Изобретение относится к электронной технике, в частности, к изготовлению профилированных катодов электронных ламп.Известен способ получения профилированной поверхности штамповкой, заключающийся в образовании местных углублений и выпуклостей за счет...

Номер патента: 1577929

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Афромеева, Епичурина, Котов, Лазарева, Никитин, Павлов, Печатников

МПК: B22F 1/00, B22F 3/16, B22F 3/18

Метки: катодов, кернов, материал, порошковый

...11 ри содержании молибдена меньше 20 мас,Е в сплавах снижается жаропрочность, так же как ипри содержании никеля больше 76 мас.7,В указанном интервале ингредиентовнаблюдается двухфазная область о+р,в которой з-фаза является упрочияющей, повышающей служебные характеристики, Снижение жаропрочности и жаростойкости обуславливает снижение служебных характеристик, так как оксидные катоды работают при высоких температурах, При содержании железабольше 10 мас.Е в системе никельжелезо появляются две фазы. Возможные флуктуации химического составамогут привести к неравномерностиэлектросопротивления, и, как следствие, потеря Формоустойчивости.4 мас.Е - тот минимум, который соответствует -твердому раствору железав молибдене. .45П р и м е р ы 1-5, Из...

Номер патента: 258468

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гулевич, Еов, Иофис, Озеров

МПК: H01J 9/04

Метки: катодов, кернов, тонкостенных

...материал в виде стержня имеет простейшую цилиндрическую форму, причем диаметр его меньше внутреннего диаметра трубчатой заготовки и объем равен объему внутренней полости сфор м ованной детали.Формообразование керна проводят с равномерным по всей его длине противодавлением наполнителя за счет перераспределения объеМа наполнителя в герметично закрытой с 30 обоих торцов деформируемой заготовке без его истечения.На фиг. 1 изображен керн катода, которьш изготавливают описываемым способом; на фиг. 2 показан процесс формообразования керна.Круглую трубчатую заготовку 1 вставляют в разъемную матрицу 2 заданного профиля. Затем внутрь трубчатой заготовки вводят цилиндрический стержень 3 из пластической массы, диаметр которого меньше внутреннего...

Номер патента: 1774390

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аксельрод, Таймазов

МПК: H01J 9/44

Метки: активированных, газоразрядных, диэлектрической, импульсной, искрового, ламп, присадкой, разряда, электродов

...критерию "новизна".Сравнение заявляемого решения нетолько с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволяет выявить в них признаки,отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенныеотличияНа фиг,1 и 2 приведены экспериментально полученные зависимости среднегонапряжения зажигания (фиг.1) и нестабильности напряжения зажигания (фиг.2) от количества разрядных импульсов приобработке электродов, Зависимости получены при исследовании газоразрядной лампыФПС 0,045 и приведены для различныхЭНЕРГИЙ ОбРабатЫВаЮЩЕГО ИМПУЛЬСа Яоб:кривая 1 при Яоб = 2 Дж, кривая 2 приЯсб = 4 Дж. кривая 3 при Яоб = 10 Дж,кривая 4 при Яоб = 16 Дж, кривая 5 приЯоб = 24...

Номер патента: 608256

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Грехов, Уваров, Яковчук

МПК: H03K 3/335

Метки: газонаполненой, импульсного, лампы, питания, разряда

...6, причем между электромеханическим коммутатором 3, индуктивным накопителем 2 и анодным выводом тиристорного блока 4 включен терморезистор 7, сопротивление которого возрастает при протекании тока, например терморезистор с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Нагрузкой 8 устройства является газонаполненная лампа импульсного разряда.Устройство для питания газонаполцецной лампы импульсного разряда работает следующим образом.После установления, необходимой величины тока в индуктивном накопителе 2 подается сигнал на выключение тиристорного блока 4 и размыкается электромеханический коммутатор 3. Ток индуктивного накопителя 2 начинает переходить в цепь, состоящую из терморезистора 7 и тиристорного блока 4, затем про...