Электронный ключ

Номер патента: 448561

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Власенко, Землянский, Корченко, Мальцева

МПК: H02M 7/52

Метки: транзисторах

...до нуля в точке максимума тока намагничивания (фиг. б,в), Напряжения на обмотках 8, 10 и 11, которые приложены к базам транзисторов 1, 4 и 5 соответственно, представлены на фиг, б, г, д, е, причем напряжения на обмотках 8 и 11 совпадают по знаку, и транзисторы 1 и 5 находятся в открытом состоянии. Через открытый транзистор 5 и одну половину первичной обмотки выходного трансформатора 7 протекает ток от источника питания,Напряжение на обмотке 10 противоположно по знаку напряжениям на обмотках 8 и 11. Транзистор 4 находится в закрытом состоянии. Далее в момент времени 1 ток намагничивания трансформатора 3 достигает максимума.сКс,В этой точке его производная " равна нулю, и, следовательно, становится равным нулю напряжение Ук, на обмотке 9...

Номер патента: 1448405

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Зайцев, Коньков, Шварцберг

МПК: H03K 17/68

Метки: двухтактный, ключ, переменного

...напряжения, достаточное для открытия транзисторов 7 и 8., При положительной полуволне от первого источника 40 переменного напряжения транзисторы 6 и 8 открываются. В базу транзистора 8 поступает ток ТВ Тэ ПБэВ Пачэс Кэ 1 э напряжение база - эмиттер транзистора 8; напряжение база - эмиттертранзистора б; номинал резистора 31.5 144840Транзистор 8 переходит в ключевой режим, и через него протекает ток, зависящий от разности напряжений первого и второго источников 40 и 42 пе 5 ременного напряжения и номинала резистора 30. Этот ток определяется ве- личиной Р=Е 1 4 +2 Е 1 10где Е, - напряжение первого источника 40 переменного напряжения равное 150-250 В);- ток через транзисторы 3 и 4; 1 Э,4 15 ЛЕ=Е-- разность между напряжениемпервого и...

Номер патента: 1749991

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Мельников

МПК: H02M 1/08

Метки: ключом, преобразователя, силовым, транзисторным

...недостаточным для открывания устройства управления.вольтограничительной цепочки, что приво На схеме показаны элементы преобрадит к отказу блокировки силового транэи-. Эователя - силовой транзисторный ключ 1,сторногоключа и к уменьшению энергии подсоединяющий первичнуюобмоткусилозапуска. В лучшем случае зто приведет к вого трансформатора 2 к входным питаювыключению преобразователя упри отказе щим шинам,запуска), а более вероятно к ложным сраба Устройство управления транзистортываниям силового ключа с последующим ным ключом 1 содержит трансформаторего выходом из строя, тока З-Зз, первицная обмотка которогоЦелью изобретения является повыше- включена в силовую цепь ключа, а вторичние надежности и обеспечение оптимиэа- . ная - в его...

Номер патента: 467430

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Жук, Петренко

МПК: H02H 3/20

Метки: защиты, источника, нагрузки, питания, повышения

...цепи транзистора с помощью резистора, подключенного к коллектору, не позволяет создать режим глубокого насыщения,С целью уменьшения падения напряжения на защитном транзисторе в предлагаемом устройстве защитный транзистор включен во вторую шину источника питания коллектором к нагрузке и эмиттером к источнику питания,АГРУЗКИ ОТ ПОВЫШЕНЧНИКА ПИТАНИЯ троиство защ мо зом.При нормальном напряжении источника питания 1 защитный транзистор 3 находится в 5 режиме насыщения с помощью базового тока,протекающего через диод 4 и балластный резистор 6 от источника питания. Ток, протекающий по резистору 9, меньше пикового тока туннельного диода 8, и напряжение на диоде 0 не достаточно для открывания транзистора 5.При увеличении напряжения источника...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...