Мдп-инвертор

(71 Московский институт радиотехнзле троники и автоматики(57) Использование: изобрете к импульсной технике и може нение в цифровых интегра Сущность изобретения: МДП держащий четыре МДП-транз цированным каналом 1,2,3 конденсатор 6, 1 ил,ОП.1.Ю ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССРнуля Овых = О. При этом конденсатор 6 будет заряжаться от источника питания (через МДП-транзисторы 1 и 4 и диод 5) до напряжения, близкого к Еп - Ом (где Оо 4 - пороговое напряжение МДП-транзистора 4).Затем, при поступлении на входную клемму Овх МДП-транзистор 1 закроется, а МДП-транзистор 3 откроется, На выходной клемме имеет место сигнал логической единицы Овых = Еп-Оог(где Оог - пороговое напряжение МДП-транзистора 2), При этом 50 55 Изобретение относится к импульсной технике и может найти применение в цифровых интегральных схемах.Целью изобретения является повышение помехозащищенности МДП-инвертора за счет увеличения порога его открывания.На чертеже представлена принципиальная схема МДП-инвертора, состоящая изчетырех МДП-транзисторов с индуцированным п-каналом 1, 2, 3 и 4, диода 5, конденсатора 6, дополнительного диода 7 и резистора 8, Истоки МДП-транзисторов 1 и 3 подключены к общей шине, Стоки и затворы МДП-транзисторов 2 и 4 подключены к клемме источника питания. Входная клемма 15 подключена к первому выводу резистора 8 и затвору МДП-транзистора 1, сток которого подключен к истоку МДП-транзистора 2, затвору МДП-транзистора 3, катоду диода 5 и выходной клемме. Второй вывод резистора 20 8 подключен к аноду диода 7, катод которого подключен к аноду диода 5 и первой обкладке конденсатора 6, вторая обкладка которого подключена к стоку МДП-транзистора 3 и истоку МДП-транзистора 4. Подложки МДП транзисторов 1, 2, 3 и 4 в зависимости от конкретных технических требований и используемой технологии изготовления могут быть соединены со своими истоками или подключены к общей шине, МДП-транзи сторы 1 и 3 являются управляемыми и выполняют свои обычные функции активных элементов, а МДП-транзисторы 2 и 4 являются нагрузочными и выполняют функции резисторов, Диоды 5 и 7 обеспечивают под ключение,необходимых цепей для перезарядки конденсатора 6. Резистором 8 определяется время разряда конденсатора 6 и входное сопротивление устройства.40Заявляемое устройство работает следующим образом,При поступлении на входную клемму сигнала логической единицы Овх МДПтранзистор 1 открывается, а МДП-транзи стор 3 - закрывается. На выходной клемме устройства имеет место сигнал логического напряжение на конденсаторе 6 оказывается приложенным знаком "минус" к затвору МДП- транзистора 1 (через диод 7 и резистор 8); обеспечивая его надежное запирание.Итак, за счет воздействия отрицательного напряжения заряженного конденсатора 6 на затвор МДП-транзистора 1 повышается порог открывания МДП-транзистора 1 примерно до уровня Оо 1(Еп-Ом) (где Оо - пороговое напряжение МДП-транзистора 1), чем и обеспечивается повышение помехозащищенности МДП-инвертора,Экспериментальная проверка МДП-инвертора была проведена на дискретных МДП-транзисторах КП 305, КП 350, КП 902 и лабораторных образцах. В отличие от аналогов и прототипа заявляемое устройство позволило повысить порог его открывания. Так, при Ел=12 В порог открывания прототипа равен Оо =1,5 В, а в заявляемом устройстве он достигал примерно 9 В.Экономический эффект в заявляемом устройстве не создается из-за использования дополнительных элементов, При практическом использовании МДП-инвертора экономический эффект может быть достигнут за счет повышения помехозащищенности, Его можно будет оценить после изготовления опытного интегрального образца и использования в конкретной аппаратуре.Формула изобретения МДП-инвертор, содержащий четыре МДП-транзистора с индуцированным каналом, диод и конденсатор, первая обкладка которого подключена к аноду диода, а вторая - к стоку третьего МДП-транзистора и истоку четвертого МДП-транзистора, сток которого подключен к клемме источника питания и стоку второго МДП-транзистора, затвор которого подключен к затвору четвертого МДП-транзистора, а исток подключен к выходной клемме и стоку первого МДП-транзистора, исток которого подключен к общей шине и истоку третьего МДП-транзистора, а затвор первого МДП-транзистора подключен к входной клемме, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения помехозащищен ности введены дополнительный диод и резистор, первый вывод которого подключен к входной клемме, а второй вывод - к аноду дополнительного диода, катод которого подключен к аноду основного диода, катод которого подключен к выходной клемме и затвору третьего МДП- транзистора, а затворы второго и четвертого МДП-транзисторов подключены к клемме источника питания,