Устройство для моделирования ориентировочныхрефлексов

Номер патента: 339899

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Юматов

МПК: G05B 1/00

Метки: параметра, регулятора, сравнения, технологического, элемент

...натяжения провода, вырабатывается электрической катушкой 10. Она выполнена в виде легкой малоинерционной рамки и жестко закреплена на оси 9, кинематически связанной с задающим рычажком. Витки катушки пронизываются магнитным силовым потоком постоянного магнита 12 и расположены в рабочем зазоре между полОсами магнита и магпитопро,вода 1 З.Отклонение задающего рычажка прои наличии рассогласования между фактическим и заданным, натяжением перематываемого провода вызывает поворот электрической катушки 10 вместе с осью 9. Витки катушки, перемещаясь в рабочем зазоре относительно непо 1 дВижного постоянного магнита и магнитопровода, пересекают магнитные силовые линии. В результате витки развивают э. д. с. /2= КО, амплитуда которой п 1...

Номер патента: 526954

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Дорохин, Каминский, Карлов, Плешев, Савелов, Толчинский

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...состояние в котором (начальный адрес) установлено программным блоком, В зависимости от команды, выдаваемой счетчиком адресных операций, и в соответствии с состоянием дешифратора, г свою очередь зависящего от состояния счетчика циклов( от порядкового номера цикла), блок формирования адресов осуществляет преобразование кода счетчика адресоз, обеспечивая необходимый порядок перебора ячеек объекта проверки (естественный, много 526954кратный, чсредование выбора ячеек с прямым и инверсным соотношением адресов и разрядов адреса и т. д.).Обращение к той или иной ячейке памяти в необходимом режиме (записи, считывания, считывания без регенерации и т, д.) осуществляется посредством сигналов, выдаваемых блоком 15 формирования сигналов у,...

Номер патента: 1070605

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Зиновьев, Пятошин, Семаков, Тузиков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, исправления, ошибок, памяти

...И - я подматрица образова.на из нулевой матрицы порядка иединичной матрицы порядка и и приписанной снизу строки из П единиц.первая и й - я подматрицы проверсчной матрицы соответствуют контрольным разрядам, а.остальные ("1 -2)инФормационнич.Например, проверочная матр 1 лцан соответствии с которой вы 11 олненысоединения на Фиг, 1 имеет слеп".:-ющий вид". 1000 1000 1000 0000 0100 0100 0100 ОООО 0010 0010 0010 ОООО 0001 0001 0001 1000 0000 0001 ОООО 1000 0100 1000 0000 0100 0010 0100 1000 0010 0001 0010 0100 0001 0000 0001 0010 1111 два другими контрольныи выходамиустройства.На Фиг, 1 а,б,.в,г показана структурная схема устройства для исправления ошибок в й блоках памяти (дляй = 4 и о: 4); на Фиг, 2 - структурнаясхема генератора кода...

Номер патента: 1111203

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Андреев, Беляков, Пресняков

МПК: G11C 9/06

Метки: блоками, памяти

...с выходов старших разрядов регистра 2 адреса через выходы 11 поступает на первые входы его блоковсравнения 141-14, на вторые входыкоторых с выходов соответствующих регистров 31-3 через выходы 91-9 1,поступают коды адресов блоков памяти,к которым производились предыдущиеобращения. В случае занятости блокасинхронизации, например блока 4,обработкой предыдущего обращенияс его выходов 10, на стробирующийвход блока сравнения 14; поступаетнулевой сигнал занятости блока син"хронизации 4, разрешающий сравнениекодов адресов блоком 14 а такжеблокирующий по одному из входовблок 17; и тем самым запрещающийповторный запуск блока синхрониэа"ции 4 . Если блок синхронизации,например блок 4, занят обслуживанием блока памяти, к которому производится и...

Номер патента: 1257701

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Денбновецкий, Кузьмин, Лещишин, Мельничук, Михайлов, Терлецкий, Цыганок

МПК: G11C 11/42

Метки: блок, памяти

...т,е, переходу к соседним статическим характеристикам,При подаче сигнала с выхода усилителя 8 напряжения на подложку мишенизапоминающей ЭЛТ 1 за счет укаэаннойсвязи между подложкой мишени и поверхностью диэлектрика реализуетсяописанным способом переход от однойстатической характеристики к другой,т.е. фактически происходит уменьшение крутизны управляющей выходнойхарактеристики запоминающей 3 ЗЛТ 1 ипреобразование семейства статическиххарактеристик (фиг. 2, линия РЕ) вдинамическую управляющую характеристику (фиг. 2, линия АВС).В режиме считывания постоянно отпертый электронный луч заломинйющейЭЛТ 1 сканирует поверхность мишени и образует выходной сигнал считывания (1 рц ). величина которого зависит от потенциала диэлектрика мишени (так...