Устройство для образования диафрагмы

Номер патента: 1598813

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Номер патента: 44591

Опубликовано: 31.10.1935

Автор: Воротников

МПК: H01M 4/48, H01M 6/04, H01M 6/52

Метки: гальванический, меди, окисью, элемент

...в виде цинкового цилиндра 5, прикрепленного к крышке 6 посредством стержней 8, один из которых заканчи туре 800, после чего из них собирается положительный электрод 4.Исследования автора показали, что на один ампер-час расходуется материалов; 1,3 г цинка, 1,7 г окиси меди, 4 слР едкого натра при концентрации 25 ОО.Электродвижущая сила элемента - 1,2 вольта; напряжение на зажимах при нагрузке при постоянном режиме разряда - 0,65 вольта.В конце разряда напряжение падает от первоначального на 10%.Автором было установлено, что данная характеристика остается неизменной при разных емкостях элемента, что было им проверено на элементах емкостью от 100 до 5000 ампер-часов,Температурные изменения на элемент резко н. влияют, - замечалось лишь...

Номер патента: 63071

Опубликовано: 01.01.1944

Авторы: Попов, Попова

МПК: E04B 2/38, E04B 2/42

Метки: внутренней, диафрагм, засыпкой, образования, раствора, стенах

...оседзВ стенах с засыпками при облицовке плитами или кирпичом в засыпке делаются горизонтальные диафрагмы, выполняемые из слоя раствора толгциной 2,5 - 3 см.При оседании засылки под такими диафрагмами пс всей длигне отены образуются воздушйые прослойки - продухи, отрицательно влияющие на тепловой режим стен,Для устранения указанного недостатка по предлагаемому способу предусматривается разделение такого рода воздушных прослоек на ряд загкнудых, не соосгцаюгцихся друг с другом участков. С этой целью перед укладкой растворного слоя в засыпке делают продольные н поперечные борозды, которые заполняют раствором, после чего укладывают сплошной слой раствора, образующий диафрагму. После отвердевания заполняюгций борозды раствор образует...

Номер патента: 68203

Опубликовано: 01.01.1947

Автор: Даниэль-Бек

МПК: H01M 12/06, H01M 4/62

Метки: воздушной, гальванический, деполяризации, элемент

...высокую электропроводность положительного электрода и способность его работы не только во внешних слоях, но и во всей толще, и, благодаря этому, достаточно большую мощность деполяризации, наряду с высокой прочностью и устойчивостью.М 68203 Отрицательным электродом служит литой цинк с добавкой 1 - 2" ртути, а электролитом - раствор едкого кали или едкого натра плотностью 1,35 - 1,45.При работе элемента цинк, переходя в раствор, образует цинкат калия; Хп-эмап" + 2 еХп" + 40 НХпО,"+ НвО.Потенциал-образующим процессом на угольно-кислородном электроде является образование на катоде ионов гидроксила- О,+ 2 е+ Н,О -эОН,Находящиеся в электролите катионы (в первую очередь - водорода,как обладающие наибольшей подвижностью), двигаясь к катоду,...

Номер патента: 469171

Опубликовано: 30.04.1975

Авторы: Гильманов, Калачев, Кочергинский, Науменко, Пенькова

МПК: H01M 1/02

Метки: гальванический, щелочной, элемент

...Образовавшиеся при этом выступы позволяют расположить отрицательные токоотводы 4 в середине активной массы цинкового электрода, что улучшает его работу.Оболочки 1 помещаются в пластмассовый чехол 12, выполненный, например, из полиэти. леновой пленки, который герметично заваривается за исключением мест выхода проволочных токоотводов 4 и 8. Эти токоотводы сваркой или пайкой 13 соединяются с верхней 14 и нижней 15 крышками, образующими токоотводы элемента. Оболочки с размещенными в них отрицательными электродами 3, диафрагмами и положительным электродом 7 заключаются в картонный футляр 10, который снизу и по кромке 16 завальцовывается.Как видно из фиг, 3, между оболочками и футляром образуются воздушные камеры 17, дающие возможность...