Способ закрепления образца

Номер патента: 717626

Опубликовано: 25.02.1980

Автор: Смоляк

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкостей, межфазного, натяжения, поверхностного, поля, присутствии, электрического

...эффективные радиусы от-.%верстий;ь Р. и ЬР - максимапьные избыточные2давления, при которых про- .давливаются капли,При измерении предлагаемым способомэлектростатическую поправку можноуменьшить (и сделать пренебрежимо мапой) путем увеличения доли поверхностных сил, т,е, уменьшая радиус отверстия.Возможность проводить измерения прибопьших электрических полях обусповленастабилизирующим действием избыточногодавления, которое обычно превышает каксреднее, так и покальное электростатическое давление. Для развития неустойчивости в данной системе электростатические силы должны изменить знак кривизны межфазной поверхности, т,е, вывернуть лунку, что требует больших напря -женностей эпектрического попя, чем дляразвития неустойчивости плоской...

Номер патента: 883240

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Борейко, Зотов, Муравьев, Парфенов, Пермяков, Сафрыгин, Травкина, Шалаев, Яковлева

МПК: E02D 3/12

Метки: закрепления, пород, преимущественно, соленосных, состав

...состава с грунтом.Состав дпя закрепления содержащего соли грунта готовят следующимобразом,В раствор солей, полученный путемрастворения в воде солей, входящихв состав грунта либо в рассол, отобранный непосредственно из грунта,добавляют акриламид или метакриламнд.После растворения винильных мономеров в растворе минеральных солей внего добавляют параформ илн водныйраствор формальдегида 1 в пересчетена 100% Н-СОН), доводят величинурН раствора до 4-6 путемдобавлениярегулятора кислотности, например,серной, соляной или уксусной кислоты, либо, в случае использованияв качестве акрилата или метакриловойкислоты - щелочи, например, МаОН илиННОН. Затем добавляют водный раствор высокомолекулярного соединенияполивиниловый спирт или...

Номер патента: 1251122

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Мацевитый, Путятин, Стоян

МПК: G06G 7/56

Метки: моделирования, полей, физических

...20 (фиг.2) к коммутатору 1, элементу 10 И, счетчику 14.Поступление на тактовый вход коммутатора 1 импульсов позволяет за п импульсов сгенерировать коды100 , О0100 0001дающие возможность последовательно каждый раз по одному включать цчфроаналоговые преооразователи 16 блока 4, связанные соответственно с узлами 1, 2. и 2-сетки фиг.) . На информационные входы каждого цифроаналогового преобразователя 16 блока 4 подан код, соответствующий интенсивности размещаемого источника. Последовательное включение по одному преобразователей 16 кодами, подаваемыми с коммутатора 1, позволяет преобразовывать коды, соответствующие интенсивности размещаемого источника в аналоговую величинуток, имитирующий источник физического поля. Поскольку выходы...

Номер патента: 930160

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Конин, Приходько, Репшас

МПК: G01R 29/08

Метки: образце, полупроводниковом, поля, распределения, сверхвысокочастотного

...уста новлены концентраторы 6 и 7 электрического поля из диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью, при этом в дополнительном отрезке 2 волновода на расстоянии Х/1(2 п ф 1) от концентратора 7 электрического поля размещен зонд 8 связи с индика" тором, а в отрезке 1 волновода концентратор 6 электрического поля установлен с зазором по отношению к общей широкой стенке для размещения . в нем полупроводникового образца 9.Устройство работает следующим образом.Волна ТЕ, распространяющаясяпо отрезку 1 волновода, создает СВЧ электрическое поле в исследуемомполупроводниковом образце 9. Областьполупроводникового образца 9, расположенная под щелью 5 связи, воз- буждает в ней, а следовательно, и в перестраиваемом резонаторе, образованном...

Номер патента: 1804649

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Чередников

МПК: G09B 23/06

Метки: моделирования, пазонный, полей, физических

...зонную теорию тел, описывающую систему в виде потенциальной ямы с разрешенными и запрещенными энергетическими уровнями (фиг,4 кривые справа, и = 1, 2, 3, 4, главное квантовое число - разрешенные энергетические уровни). Тогда атомное ядро можно представить как источник возбуждения (накачки) электронов, а сами электроны соответственно как слабосвязанные (фиг,4 а) или сильно- связанные (фиг.4 б) резонансные контура,Левая схема позволяет моделировать слабосвязанную, а вторая - сильносвязаннуюатомную модель. При этом свободные электроны моделируются контурами, связанными только снакачкой. Более универсальной моделыо - процессором является элемент распределенной системы (фиг,4 б). Электрические схемы представляют собой набор магнитных...