Устройство для защиты от импульсных перенапряжений

Номер патента: 364058

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Аюкова, Павлов

МПК: H02H 7/20

Метки: высокочастотных, защиты, транзисторов

...базой транзистора 8, Сигнал ошибки поступает на базу транзистора 7 или на базу транзистора 12, введенного для обеспечения защиты по другому каналу. Ограничитель напряжения б содержит резистор 18, цепочку 14 стабилитронов и транзисторы 15 и 16.При отсутствии сигнала ошибки транз8 заперт. Условия самовозбуждения для364058 1 Г Входужлителя 1 фиг 7 генератора при этом не выполняются, поскольку цепь контурной системы для индуктивности 10 разомкнута. При поступлении на базу транзистора 7 сигнала ошибки, последний усиливается транзистором 7 и вызывает ток, отпирающий транзистор 8. При некотором уровне сигнала ошибки сопротивление перехода коллектор-база транзистора 8 снижается настолько, что для транзистора 7 выполняются условия...

Номер патента: 546870

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Грабовщинер, Недошивин

МПК: G05F 1/58

Метки: защиты, силового, транзистора

...8, превышает по абсолютной величине сумму СИГНаЛОВ У+Си, ПРИЛОЖЕННУЮ К ИНВЕРТПРУ- ющему входу. В этом случае усилитель находится в состоянии отсечки и его выход не оказывает шунтирующего действия прохождению на базу силового транзистора 1 сигнала с клеммы 14 основной схемы управления, Если же коллекторный ток или напряжение, либо то и другое одновременно возрастают на столько, что пороговое напряжение еп оказывается меньше суммы У,+(7 и, то вознпкшсе разностное напряжение=Еп (С 1+Ьи)выводит усилитель 8 из состояния отсечки, и будучи усиленным, воздействует на базу транзистора 1 так, чтобы уменьшить протекающий через него ток до значения, при котором вновь устанавливается балансЕп= У.+ сиТаким образом, устройство защиты осуществляет...

Номер патента: 1709286

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Агаджанян, Арутюнян

МПК: G05F 1/569

Метки: защиты, силового, транзистора

...2, уменьшается протекающий через него ток до значения, при котором устанавливаетсяуказанное соотношение. Таким образом, устройство защиты силового транзистора ограничивает ток, протекающий через мощйый транзистор,. в30 зависимости от падения напряжения на переходе коллектор-эмиттер. Ограничениепротекающего, через мощный транзистортока осуществляется в соответствии с графиком области безопасной работы, следо 35 вательно, по гиперболической функции.У мощных транзисторов область без-,опасной работы описывается гиперболической функцией, которая характеризуетсяследующим соотношением:40 аОк.э. + Ьгде а - коэффициеНт, характеризующий крутизну;Ь - смещение по оси Х;45 с - смещение по оси У.В данном устройстве выходное напряжение...

Номер патента: 886136

Опубликовано: 30.11.1981

Автор: Бузыкин

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, переключающего, транзистора

...трам"эистор 3, база которого соединена срезистором датчика 1 тока через ре"В886136 формула изобретения 10552/72дписное зистор Ч, а с коллектором защищаемого транзистора - через резистор 5, и диодный ключ 6. Для уменьшения потерь и обеспечения температурной стабильности введен дополнительный резистор 7.Напряжение база-эмиттер силового транзистора складывается из двух составляющих: падения напряжения на внутренних активных сопротивлениях (в основном, это выравнивающие сопротивления в эмиттерах транзисторной структуры) и диффузионной составляющей, описываемой уравнением вольтамперной характеристики перехода. Соединение базы вспомогательного :транзистора с базой защищаемого транзистора через резистор 7 позволяет скомпенсировать дрейф...

Номер патента: 982144

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Березиков, Петров

МПК: H02H 7/20

Метки: защиты, полевого, транзистора

...полевой транзистор 1, затвором подключенный к аноду диода 2, катод которого через пер овый резистор 3 подклюцен к первомуисточнику 4 питания, Соединенные параллельно первые стабилитрон 5 и конденсатор 6 одними соединенными вместевыводами подключены к затвору полевого транзистора 1, а другими - к соединенным вместе одним вцводам парал".пельниц включенных вторых стабилитрона 7 и конденсатора 8 и к истокуполевого транзистора 1, Другие, сое фдиненные вместе, выводы вторых стабилитрона 7 иконденсатора 8 подключены к стоку полевого транзистора 1 ичерез второй резистор 9 к второму истоцнику 10 питания. 25Устройство работает следующим образом,При одновременном включении первого 4 и второго 10 источников питанияпервый конденсатор 6 заряжается с...