Устройство для защиты переключающего транзистора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 886136
Автор: Бузыкин
Текст
(7 Ленина энергетический институ Московский о внтель(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ТРАНЗИСТОРАЛЮЧА фЕГО Изобретение относится к защитепреобразователей и их элементов,Известно устройство для. защиты .переключающего транзистора, содержащеедатчик тока в эмиттерной цепи защищаемого транзистора и вспомогательный транзистор 1,1 .Недостатком этого устройства является низкая надежность..Наиболее близким к предлагаемомуявляется устройство для защиты переключающего транзистора, содержащеедатчик тока в цепи эмиттера защищаемого транзистора и вспомогательный .транзистор, база которого через резистор соединена с датчиком тока, ачерез второй резистори диодныйключ - с коллектором защищаемоготранзистора, причем эмиттер-коллектор вспомогательного транзисторавключен параллельно эмиттер-базе эР Ущищаемого транзистора 1 21,Недостатками известного устройства являются потери мощности в дат чике тока и нестабильность порогасрабатывания вспомогательного транзистора при изменениях температуры.Цель изобретения - уменьшение потерь в датчике тока и обеспечение ф стабильности порога срабатывания защиты при изменениях температуры.Поставленная цель достигается тем,что устройство снабжено дополнительным резистором, включенным между базами защищаемого и вспомогательноготранзисторов.На чертеже схематически иэображе"но предлагаемое устройство.5Устрой"тво содержит датчик 1 то"ка, включенный в эмиттерную цепь защищаемого транзистора 2 (штриховаялиния показывает, что это может бытькак одиночный транзистор, так и составной транзистор или транзисторныйключ с токовой положительной обратнойсвязью и т.п.), вспомогательный трам"эистор 3, база которого соединена срезистором датчика 1 тока через ре"В886136 формула изобретения 10552/72дписное зистор Ч, а с коллектором защищаемого транзистора - через резистор 5, и диодный ключ 6. Для уменьшения потерь и обеспечения температурной стабильности введен дополнительный резистор 7.Напряжение база-эмиттер силового транзистора складывается из двух составляющих: падения напряжения на внутренних активных сопротивлениях (в основном, это выравнивающие сопротивления в эмиттерах транзисторной структуры) и диффузионной составляющей, описываемой уравнением вольтамперной характеристики перехода. Соединение базы вспомогательного :транзистора с базой защищаемого транзистора через резистор 7 позволяет скомпенсировать дрейф порога отпирания транзистора 3, поскольку он в этом случае Фактически получает температурно зависимое смещение, пропорциональное диффузионной составляющей напряжения база-эмиттер транзистора 2 и изменяющееся с ростом температуры по тому же закону, что и порог отпирания транзистора 3. По этой же причине при данном пороге срабатывания защиты можно уменьшить величину сопротивления датчика 1 тока. Способствует уменьшение сопротивления датчика тока также тот Факт что в напряжении база"эмиттер защйщаемого транзистора присутствует резистивная составляющая(для современных силовых транзисторовэквивалентное активное сопротивлениеэмиттера составляет величину порядка 10-30 ИОм), что дает возможностьуменьшить сопротивление датчика до20 ИОм, а потери в нем до 1-2 Вт,Устройство для защиты переключающего транзистора, содержащее датчиктока в цепи эмиттера защищаемого транзистора и вспомогательный транзистор,база которого через резистор соединена с датчиком тока, а через второйрезистор и диодный ключ - с коллектором защищаемого транзистора, причем эмиттер-коллектор вспомогательно 2 в го транзистора включен параллельноэмиттер-базе защищаемого транзистора,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью уменьшения потерь в датчике иобеспечения температурной стабильности порога срабатывания защиты, онсснабжено дополнительным резистором,включенным между базами защищаемогои вспомогательного транзисторов.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРМ 675525, кл, Н 02 Н 7/10, 1976.2, "Электроника". 1975, й 12,с. 34. филиал ППП "Патент",г.Ужгород, ул.Проектная,4
СмотретьЗаявка
2902728, 31.03.1980
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БУЗЫКИН СЕРГЕЙ ГЕОРГИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, переключающего, транзистора
Опубликовано: 30.11.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-886136-ustrojjstvo-dlya-zashhity-pereklyuchayushhego-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для защиты переключающего транзистора</a>
Устройство для защиты переключающего транзистора от короткого замыкания в нагрузке
Номер патента: 1742933
Опубликовано: 23.06.1992
МПК: H02H 7/10
Метки: замыкания, защиты, короткого, нагрузке, переключающего, транзистора
...5 устанавливается нулевой потенциал, потому что напряжение питания больше Ооп 1 и больше ООп 2. На перВЯ-триггера с инверсными входами 11 и к первому выводу резистора 13, а К-вход триг гера 11 подключен к первому выводу рези 174293320 25 30 35 В случае короткого замыкания в нагруз вый вход логического элемента 2 И-НЕ 8 подается сигнал компаратора 4, инвертированный логическим элементом 6, а на второй вход - сигнал компаратора 5, В результате на входе второго формирователя импульсов появляется сигнал, соответствующий переходу от низкого уровня к высокому,На выходе формирователя 10 коротких импульсов низкого уровня по срезу входного сигнала изменения сигнала не происходит, следовательно, на входах триггера 11 В и Я присутствует напряжение...
Стройство защиты от перегрузок проходного транзистора стабилизатора
Номер патента: 194917
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Газовой, Нефт, Окт, Проектно, Щербина
МПК: G05F 1/571
Метки: защиты, перегрузок, проходного, стабилизатора, стройство, транзистора
...Т. С, пр му пер стаон- огично Пр тения ет и Устройство заго транзистораусилитель постотранзисторе, изистор, эмиттерторого включенходного транзис целью упрощебазовая цепь укра подключенапостоянного ток днощее и на ранпрочто, ости, исто- теля ависимое от авт, свидетельстваИзвестны устроиства защиты от перегрузок проходного транзистора стабилизатора, содержащие усилитель постоянного тока и маломощный защитный транзистор, эмиттерно-коллекторный переход которого включен между 5 эмиттером и базой проходного транзистора.Предложенное устройство отличается тем, что базовая цепь защитного транзистора подключена к базе транзистора усилителя постоянного тока, Это позволяет упростить конст рукцню устройства и повысить его надежность.На чертеже...
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827146
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827151
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения
Номер патента: 1827152
Опубликовано: 27.06.1996
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор
Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...
Предыдущий патент: Устройство для контроля теплового состояния тиристора
Следующий патент: Устройство для защиты сети токоограничивающими автоматическими выключателями
Случайный патент: Устройство для сборки и сварки