Прибор для электролитического полирования

Номер патента: 1236019

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Жосан, Лапин, Меткин, Пономарев, Чадин, Щеголев

МПК: C25F 7/00

Метки: металлических, поверхностей, травления, электролитического

...содержит электрод 1 10(анод) в виде ромбической сетки сизолированной стороной, обращенной кэлектроду 2 (катоду),прокладку 3 изпористого изолирующего материала,расположенную между электродами, выводы 4 от электродов 1 и 2 к источнику 7 тока, Электроды 1 и 2 закреплены в корпусе ванны 5 с помощью зажимов 6.П р и м е р. Для электролитического травления используют магнитопровод типоразмера ШЛМ 32 х 32, В качестве электролита используется 20 Х-ныйраствор соляной кислоты НС 1,в качестве электродов используют ромбическуюсетку из свинца с размером ячеекЗх 2 мм. Электрод 1 (анод) имеет изолированную сторону, обращенную кэлектроду 2 (катоду) . В качестве изолирующего покрытия применяется жидкое стекло. Прокладка выполнена...

Номер патента: 1307285

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Боброва, Давидчук, Захарова, Коляда

МПК: G01N 1/32

Метки: микрошлифов, нержавеющей, реактив, стали, травления, электролитического

...3-8 В, плотности тока 0,1- 0,3 А/см в течение 10-20 с при тем пературе реактива 20 С, В качестве катода использовали платину. Качество травления оценивали при помощи оптического металлографического микроскопа по условной пятибалльной систе- ф 0 ме; эа "балл 1" принимали такие свойства реактива, которые не позволяли выявить силицидную (анали зируемую) Таблица 2 Четкость выявления силицидной фазы, баллСоставреактива Реактив Основной металл Сварной шов Предложенный Известный Изобретение относится к металпографии, в частности к реактивам для электропитического травления микроструктуры нержавеющих высококремнистых сталей аустенитного класса и их сварных соединений. Цель изобретения - выявление силицидной фазы. фазу и вследствие этого...

Номер патента: 143289

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Власов, Клугман

МПК: C25D 7/06, C25F 7/00

Метки: проволоки, тончайшей, травления, электролитического

...8,Описываемая установка для электролитического травления состоит (см, схему на фиг, 2) из механизма сматывания А, механизма раскладки и намотки Б, блока травленных ванн В, ванн для нейтрализации и промывки (узел Г), сушильного устройства Д, системы трубопроводов и желобов для подачи и возврата электролита, сборного бака 9 и насоса 10, обеспечивающего циркуляцию электролита.Механизм смотки состоит из катушки 11, закрепленной на оси 12, вращающейся на шарикоподшипниках 13 На оси укреплен металлический диск 14, проходящий через поле постоянного магнита 15 и представляющий вместе с последним магнитно-индукционный тормоз. Тормозной момент регулируется перемещением магнита,Механизм намотки состоит из катушки 1 б, вращающейся от тихоходного...

Номер патента: 327422

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ашавский, Филиппова

МПК: H01L 21/461, H01L 21/66

Метки: струйного, травления, электролитического

...6 тока травления, электромагнитных клапанов 7 и 8, обеспечивающих требуемое чередование подачи электролита и воды, 15 поступающих через сопла 9 ц 10; коммутирующего устройства 11.Работает устройство следующим образом.После загрзкн заготовки накопительнаяемкость 2 задающего релаксаццонного генера тора 1 заряжается стабилизатором тока заряда 12. При этом ток на выходе задающего генератора, проходящий через заготовку, возрастает до величины тока максимума эталонного диода 3, установленного в генераторе 1.25 Заготовка прц этом отмывается водой, так какклапан 7 открыт и вода поступает через сопло 9. Припереключении эталонного диода на диффузионную ветвь характеристики выходной транзистор 13 стабилизатора тока генера тора 1 запирается, и...

Номер патента: 392852

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Климов, Рябченко, Савчук, Шаповалов

МПК: H01L 7/52

Метки: германиевых, полупроводниковых, р-п-р-структур, травления, электролитического

...от среды электролита; на электролит подагот отрицательный потенциал напряжения.Такой способ способствует уменьшению уровня обратного тока эмиттерного и коллекторного р - гг-переходов транзисторной структуры и соответственно повышению их высоковольтности за счет отравливания преимущественно рекристаллизованного р-слоя р - п-переходов благодаря незначительному расширению объемных зарядов р - и-переходов в область базы при подаче на отравливаемый р - гг-переход наведенного положительного по.у, у ыФ%;Я фф 3 вф = в "392832 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред Т. МироноваКорректоры: А. Дзесова и Л. Царькова Редактор С. Жиляева Заказ 1428/11 Изд, Мо 500 Тираж 837 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета...