Устройство для определения максимальной плотности электронов в плазмеgcelt; «lt; te3h. fli3atoiii: 0-тяхнип скля ьик: -10т(: иа11
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 168807
Автор: Рождественский
Текст
О Л И С А И И Е 1688 ОУ И ЗОБ РЕ 7 ЕЧ ИЯ К АВТОРГ."ОЬ 4 У СВИ,ЦБ 7 ЕЛЬЮВУ СОюз СоветскехСощиьлистиееокхх РпубпикЗависмое От дьства8 з 19383/26-25) т. свидет Заянле о 29.7 96. (,1 од С ЦРИСОЕДепЕцПр Ор;Тот ем заявки 1 ПК 6 2 Госураратвенньиомитэт и о дзлвуеЗобраткийи откр.тий С 1:.:Р 21.039 (08 оч етен 1 о 5 ния 5,Г.1965 26 П "65 Опубликовано та оцуолцкования опис Авторизобретеня В, В. Рождественский елико-гехнический институт имени А. Ф, Иоффе АН СССРгЪЗаявцтел 1; Я ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛТИ ЗЛЕКТРОНОВ В ПЛАЗМЕ СТРОЙСТВО Д ПЛОТНПодписная г р ут г ЛЯ 97 Изве тны устройства, предназначенные для определения плотности электронов в плазме методом отсечки электромагнитных волн. В этих устройствах просвечивание плазмы осуществляется одним или тремя микроволновыми ге 1 Ораторами со строго фиксированными длинами волн, а поэтому с помощью их невозможцо многократно измерить плазменную частоту и получить зависимость максимальной плотности электронов в плазме От времени за длительность одного разряда.Предложенное устройство отличается от из. вестных тем, что в нем для получения многократных значений максимальнои плотности электронов в плазме и характера зависимост 1 ее плотности) от времени за длительность Одного разряда применен микроволновый свипгенератор миллиметрового диапазона, частота которого с помощью модулятора перестраивается В пределах, достигающих октавы.На чертеже предстаглсна блок-схема предлагаемого устройства,Основными узлами установки являются: микрОВОлнОВыи свнп-Генератор, СВЧ-тракт и Регистрирующая схема: Чикрово;новы 1 сви- Генератор состоит цз источника СВЧ-мощности 1, представля 10 щеГО собой лампу Обратной волны (ЛОВ), частота которого перестраивается В широких пределах с помощью модулятора 2 и блока питания д. В качестве модулятора используется радиочастотный генератор с самовозбуждением, работающий на частотах порядка сотен килогерц, Вследствие нелинейности дисперсионной характеристики ,1 ОВ изменение частоты со временем происход 1;т периодически, но не по синусоидальному з акопу. Кроме того, и икр овол нов а я мощность, генерируемая 1 ОВ, зависит от частоты колебании.СВЧ-тракт состоит из Волноводных линий передачи, развязывающего 4 и регулирующ о б аттегноаторов, приемно-передающих антенн б и 7 типа рупор-эллиптического отражателя, Прцменясмая антецная система, формируящая вол оной фронт, позволяет сделать наиболее резкуо отсечку мцкроволновогг сигнала.Регистрирующая схема представляет собон широкополосной преегНцк прямого усиления с формирующими каскадамн и состоит из детекторнои головки 8, видеоусилителя 9 и электронно-лучевого индикатора 10, Исследуемая плазма цолучается в разрядной трубке 11.Работа устройства. Если проводить непрерывнсс сравнение плазменной частоты исследуемого разряда с известной частотой микроволнового свпп-генератора и определить мох 1 енты Времени, коГда эти частоты становятся равными, то можно установить, как меняется ц,Нзменная частота, а следовательно, и мак1688 О 7 Предмет изобретения Составитель Ю. Пашк едактор М. И. Бородина Техред А. А. Камышникова Корректор А. А, Герезуева аз 553/1 Тираж 1025 Формат бум. 60 К 90/8 Объем 0,13 изд. л, Цена 5 конЦНИИПИ Государственного комитета но делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 графин, пр. Са унова симальная плотность .электронов в зависимости от времени. Для индикации можно использовать как отраиенный от плазмы, так и прошедший через плазму микроволновый сигнал. Устройство для определения максимальнойплотности электронов в плазме, содержащее СВЧ-генератор, антенно-фидерное устройство, приемник регистоируемых сигналов, отличающееся тем, что, с целью получения многократных значений максимальной плотности 5 электронов в плазме и зависимости ее от времени за длительность одного разряда, применен микроволновый скип-генератор миллиметрового диапазона, частота которого псрестраивастся с помощью модулятора в пределах, 10 достигающих октавы.
СмотретьЗаявка
849383
В. В. Рождественский Физико технический институт имени А. Ф. Иоффе СССР
МПК / Метки
Метки: 0-тяхнип, 10т, fli3atoiii, te3h, иа11, ик, максимальной, плазмеgcelt, плотности, скля, ъlt, электронов
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-168807-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-maksimalnojj-plotnosti-ehlektronov-v-plazmegcelt-lt-te3h-fli3atoiii-0-tyakhnip-sklya-ik-10t-ia11.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения максимальной плотности электронов в плазмеgcelt; «lt; te3h. fli3atoiii: 0-тяхнип скля ьик: -10т(: иа11</a>
Предыдущий патент: 168806
Следующий патент: 168808
Случайный патент: Способ соединения концов магнитной ленты