Активная антенна

(505 Н 01 0 23/00 АНИЕ И РЕТЕНИ О 37хнический институ рад ра ого иотехник оприем- бытового яется по ловии раз оса рная схема жит магнитнуюонденсатор 3, катушку 5 инонденсатор 6ый резистор 8,ет следующим нал, наведенны иливается тра ется в коллект в магнитзисторомрной на ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(57) Изобретение отни может быть испольной аппаратуре промназначения. Цельюповышение чувствитразброса параметраная антенна содержи 88,8)тельство СССР1/18, 1976.ЕННАосится к радиотехнике зовано в радиоприемышленного и бытового изобретения является ельности при условии в тра на и сто ра. Акти вт магнитную антенну 1,Изобретение относитсяи может быть использованоной аппаратуре промышленназначения,Целью изобретения явлние чувствительности при успараметров транзистора,На чертеже дана структутивной антенны.Активная антенна содерантенну 1, транзистор 2,фильтра, базовый резистор 4дуктивности, переменныйконденсатор 7 и коллекторнАктивная антенна работобразом.Полезный сигной антенне 1, ус2, отфильтровыва дю Лип 1683102 А 1 транзистор 2, конденсатор 3 фильтра, базовый резистор 4, катушку 5 индуктивности, переменный конденсатор 6, конденсатор 7 и коллекторный резистор 8. Повышение чувствительности достигается путем стабилизации режима (тока эмиттера) и шумового согласования магнитной антенны с входом транзистора 2 при условии разброса параметров транзистора, Для этого введен коллекторный резистор 8, сопротивление которого выбрано из условия йб,В Я где Кб, К, - величины сопротивлений базового 4 и коллекторного 8 резисторов, р- коэффициент передачи транзистора по току в схеме с общим эмиттером, 1 ил. грузке - параллельном контуре, включающем катушку 5 и переменный конденсатор 6, и поступает в нагрузку(не показана), подключаемую к коллектору 9 транзистора 2,Режим шумового согласования в известной активной антенне достигается установкой требуемого тока эмиттера, выбором величины базового резистора 4 при заданной величине индуктивности магнитной антенны 1. Поскольку параметры транзистора имеют значительный разброс, в частности, по величине Р - коэффициент передачи транзистора по току в схеме с общим эмиттером, то это приводит к значительному изменению шумовых параметров транзистора относительно оптимального (выбранного) значения и ведет к нарушению условий согласования по шумам и снижению чувствительности.1683102 Составитель О,Трошкоедактор М,Стрельникова Техред М,Моргентал Корректор М.Максимишинец каз 3418ВНИИПИ Гос Тираж Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 В активную антенну введен коллекторный резистор 8, включенный между клеммой источника питания и вторым выводомпараллельного контура, к которому такжеподключен дополнительный конденсатор,подсоединенный к общему проводу, Приэтом величины базового (В 6)4 и коллекторного 8 (йк)резисторов выбраны из условияЙ 6ф йк. В результате это обеспечиваетстабилизацию режима согласования по шумам при изменении ф в интервале20В500, т.е. в 25 раз,формула и зоб рете н и яАктивная антенна, содержащая магнитную антенну, первый вывод которой поде ключен к общему проводуприсоединенному к первой клемме источника питания, и транзистор, эмиттер которого подключен к второму выводумагнитной антенны, коллектор транзистораподключен к первым выводам параллельного контура, включающего катушку индуктивности и переменный конденсатор, а база транзистора соединена через конденсатор фильтра с общим проводом и через базовый 5 резистор с вторым выводом параллельногоконтура, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения чувствительности при условии разброса параметров транзистора, введены коллекторный резистор, включен ный между второй клеммой источника питания и вторым выводом параллельного контура, к которому подключен введенный конденсатор, подсоединенный к общему проводу, при этом величины базового (Й 6), 15 коллекторного (йк) резисторов выбраны изусловияВь фй,где /3- коэффициент передачи транзистора20 по току в схеме с общим эмиттером,