Стабилизированный мультивибратор на транзисторах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 262156
Авторы: Московский, Петров
Текст
ОПИСАН ИЕ 2626ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик, с прис инением заявкиМПК Н 031( Комитет по делом изобретений и открытий при Совете Министров СССРорите УДК 621,373.431.1: :621.373.52(088.8) Опубликовано 26,.1970. БюллетеньДата опубликования описания З.Ч 1,197 вторзобретенияаяви ЗИРОВАННЫЙ МУ ТРАНЗ ИСТОА ТИВИБРАХ А Выходной импульсра 1 запирает транз ударно возбуждает и Сигналы с избирател ваются с базовым си 0 ким образом, чтобы с коллектора транзистоистор 2 и одновременно збирательный усилитель, ьного усилителя складыгналом транзистора таконец второй полуволны Изобретение относится к области импульсной техники, а именно к стабилизированным импульсным устройствам.Известны мультивибраторы с повышенной стабильностью, которая достигается использованием контура ударного возбуждения.Однако этот способ неприемлем для микроэлектроники, так как требует изготовления индуктивностей больших величин.В предлагаемом мультивибраторе для повышения стабильности частоты генерируемых импульсов коллекторы транзисторов избирательного усилителя подключены к средним резистивным слоям КС-структуры. При этом базы транзисторов заземляются, а эмиттеры соединяются со средними металлическими слоями КС-структуры через резонансные резисторы и через ограничительные резисторы - с одним полюсом источника смещения.На чертеже приведена схема стабилизированного мультивибратора на транзисторах.Мультивибратор построен по схеме с коллекторно-базовыми связями, с использованием трехслойных распределенных КС-структур. Транзисторы 1 и 2 являются активными элементами мультивибратора, а транзисторы 3 и 4 - активными элементами избирательных усилителей, Пленочное сопротивление Б служит коллекторным сопротивлением мультивибратора. Емкости б являются переходными емкостями мультивибратора. Сопротивление 7 использовано в качестве базового сопротивления транзисторов 1 и 2. В однородной распределенной КС-структуре сопротивление 8 является коллекторным сопротивлением избирательного усилителя, слой 9 - пленочная емкость, а слой 10 - металлический слой. Сопротивления 11 и 12 служат резонансными сопротивлениями избирательного усилителя.10 Эмиттеры транзисторов 3 и 4 подключены через сопротивления 13 и 14 к источнику смещения.Как было сказано выше, в микроэлектронике трудно изготовить индуктивности больших 15 номиналов, Поэтому вместо 1 С-контура ударного возбуждения был использован избирательный усилитель на распределенных КС-структурах, который при ударном возбуждении дает на выходе такие же сигналы, 20 как и 1.С-контур. Элементы, входящие в избирательный усилитель, легко реализуются в пленочной м икр оэлектр онике.Мультивибратор работает следующим образом.262156 Предмет изобретения Составитель А. МерманРедактор Т. Иванова Техред Л, В, Куклина . Корректор С. М, Сигал Заказ 1274/1 Тираж 500ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская набд. 4/5 типографи Сапунова, 2 затухающей синусоиды совпал . бы с точкой пересечения уровня отпирания кривой базового напряжения. Стабилизированный мультивибратор на транзисторах, содержащий времязадающие цепочки и резисторы, выполненные из трехслойных распределенных КС-структур со средними металлическими и резистивными слоями, избирательный усилитель, выполняющий функцию контура ударного возбуждения, собранный на двух транзисторах и упомянутых КС-структурах с дополнительными источниками питания и смещения, отличающийся тем, .что, с целью йовышенйя стабильностичастоты генерируемыхимпульсов, коллекторы транзисторов избирательного усилителя 1 тод.- ключены- - к - средним - -. резистивным слоямКС-структуры, базы заземлены, а эмиттеры транзисторов соединены со средними метал лическими слоями КС-структуры через резонансные резисторы и через ограничительные резисторы соединены с одним полюсом источника смещения.
СмотретьЗаявка
1255114
Г. В. Петров, Московский инженерно физ ический институт
МПК / Метки
МПК: H03K 3/281
Метки: мультивибратор, стабилизированный, транзисторах
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-262156-stabilizirovannyjj-multivibrator-na-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стабилизированный мультивибратор на транзисторах</a>
414721
Номер патента: 414721
Опубликовано: 05.02.1974
МПК: H03K 4/50
Метки: 414721
...линейно-изменяющегося напряжения с изменением температуры искажается.Цель изобретения - повышение температурной стабильности. Достигается оца тем, что в предлагаемом генераторе положительная обратная связь подается ца источник незаземленной э.д.с. через дополнительный эмпттерный повторитель на транзисторе гг-р-гг типа проводимости, а стабилптрон, используемый в414721 Составитель А, Дзюбенко Техред А. Камышникова Корректор В. Брыксина Редактор Б, Федотов Подписное Изд,479 Тираж 811 Заказ 1365,19 Типография, пр. Сапунова, 2 качестве незаземленного источника компенсирующей э.д, с включен в эмиттерную цепь последовательно с сопротивлением нагрузки этого эмиттерного повторителя.На чертеже изображена принципиальная схема...
Избирательный усилитель
Номер патента: 651448
Опубликовано: 05.03.1979
Авторы: Аристархов, Вахрушев, Гуренко
МПК: H03F 1/34
Метки: избирательный, усилитель
...3 в общей эмиттерной цепи и резисторами 4,5 в коллекторных цепях 10транзисторов, К базе первого транзистора 1 подключен источник входного сигнала. Вход эмиттерного повторителя б соединен с коллекторомвторого транзистора 2 усилительного каскада, Усилитель содержит ВСструктуру 7 с двумя участками 8,9проводящего слоя, резистивный слой10 которой включен между выходомэмиттерного повторителя б и базой 20второго транзистора 2 усилительногокаскада. Участок 9 проводящего слояВС-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя б, а участок 8 к коллектору первого транзистора 1усилительного каскадаВС-структура 7 (см. Фиг. 2) представляет собой трехслойную систему, " выполненную по технологии интегральных схем, и содержит резистивныйслой 10,...
Избирательный низкочастотный усилитель
Номер патента: 371669
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Сухоставцев, Ярошевский
МПК: H03F 3/181
Метки: избирательный, низкочастотный, усилитель
...полевые транзисторы 7 - 9 и три делителя напряжений, состоящие каждая из двух резисторов: соответственно первый - из резисторов 10, 11, второй - из резисторов 12, 13 и третий - из резисторов 14, 15. В емкостные плечи моста включены конденсаторы 1 б - 19. Движок переменного резистора б соединен с делителями напряжений, Затворы полевых транзисторов 7 - 9 подключены к месту соединения резисторов соответственно 10 и П, 12 и 18, 14 и 15 соответствующих делителей напряжения,Сопротивление канала полевых транзисторов однозначно связано с напряжением на его затворе, поэтому при вышеуказанном включении полевых транзисторов 7, 8, 9 в резистивные плечи моста частота настройки двойного Т-образного мостаопределяется величинами емкостей...
Избирательный усилитель
Номер патента: 832703
Опубликовано: 23.05.1981
Автор: Мостыко
МПК: H03F 1/44
Метки: избирательный, усилитель
...полосы пропускания осуществляется при суммировании этих М.образных АЧХ,причем АЧХ цепи обратной связи за счет регулировки коэффициента усиления имеет из.меняющийся масштаб по оси ординат. Суммирование АЧХ происходит с учетом их фазочастотных характеристик и фазовых сдвигов в транзисторе, находящемся в цепи отрицательной обратной связи.Пределы изменения полосы пропускания уси. лителя ограничиваются максимальной шириной полосы, соответствующей запиранию транзйстора 2 обратной связи, ограниченной допусти мым провалом в М.образной АЧХ со стороны первого контура. Если уменьшение усиления не превышает 3 дБ, то минимальная ширина полосы нропускания усилителя близка к по лосе задержания в области провала сквозной АЧХ фильтра,Если с...
Избирательный усилитель
Номер патента: 944072
Опубликовано: 15.07.1982
Автор: Маслаков
МПК: H03F 1/44
Метки: избирательный, усилитель
...резисторов и конденса торов К С -моста 15, а добротность -коэффициентом усиления оанзистора 2,который зави:ит от состояния переключателя, через конденсаторы 12 - 14шунтирующпй по переменному сигналурезисторы 4,5 и 8. При наличии переменного сигнала на частоте резонансаон преобразуется в постоянное напряже 35ние в выпрямителе О, усиливается усилителем 10, который управляет переключателем так, что резистор 4 зашунтирован через конденсатор 12 и резистор16. В случае, когда эашунтирован через конденсатор 13 резистор 8, переключатель, подключенный через конденсатор 14 к резистору 5, находится во тключе нном сос тоянии и не шун тир уе трезистор 5, При этом отключена цепь45комбинированной отрицательной обратнойсвязи (ООС), осуществляемой через...
Предыдущий патент: Транзисторный генератор
Следующий патент: Тека i
Случайный патент: Пресс экструзионный