Способ раздельной регистрации наземных и облачных разрядов молнии

Номер патента: 1335902

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Волохов, Калязин, Стреляный

МПК: G01R 29/08

Метки: излучения, напряженности, поля, электромагнитного

...электродами 2 и токовыводов 3.Электроды 2 выполнены в виде двух заглушенных с одной стороны металлических цилиндров, коаксиально расположенных основаниями наружу при соотношении диаметров оснований 0,2 с 1/Р 40,5. Токовыводы 3 электродов 2 герметично вварены в торцы баллона 1. После откачки воздуха последний заполняют смесью паров ртути с аргоном, что позволяет обеспечить условия возникновения газового разряда .при низких значениях напряженности измеряемого поля по сравнению с другими Смесями и повышает надежность прибора. ВыбОр соотношения диаметров электродов определяется следующим. Увеличение соотношения диаметров 4 Р)0,5 нецелесообразно из-за необоснованного увеличения габаритов прибора и уменьшения газоразрядного промежутка, с чем...

Номер патента: 1117711

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Дмитриев, Иванов, Михайлов, Трубников

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, напряженности, пленок, поля, феррит-гранатовых

...цель достигается тем, что в устройство для измерения напряженности поля анизотропии феррит-гранатовых пленок, содержащее поляризационный микроскоп с источьиком поляризованного света, фотоприемник, оптически аяэанный с микроскопом, источник переменного магнитного поля, ориен. тированного вдоль оптической оси поляризаць- онного микроскопа, источник постоянного магнитного поля, ориентированного вдоль фокаль. ной плоскости поляризационного микроскопа, введены источник порогового напряжения, компаратор, блок управления, управляемый источник переменного тока, управляемый источник постоянноготока, индикатор в виде цифрового вольтметра и согласующий элемент в виде резистора, причем входы компаратора подключены к выходам фотоприемника и...

Номер патента: 826416

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Акинфиев, Миронцев, Ушаков

МПК: G11C 29/00, G11C 7/00

Метки: блоки, вычислительной, записи, инфор1ации, информации, использоваться, может, относится, памяти1изобретение, полу, полупроводниковые, постоянной, проводниковые, программировании, технике

...12 и на входы задания информации амплитудного дискриминатора 19, где срав нивается с информацией микросхемы ППЗУ,хранящейся в ней по данному адресу.С выхода амплитудного дискриминатора19 информация через мультиплексор 10 поступает на информационные входы мультиплексора 13. Мультиплексоры 12 и 13, управляемые регистром 11, выдают псючередно информацию соответствующих разрядов мультиплексоров 9 и 10 на входы блока сравнения 14. Если амплитудные значения сигналов с выходов проверяемой микросхе 2 ф мы ППЗУ отличаются от значений предусмотренных ТУ на незапрограммированную микросхему; то блок сравнения 14 выдает управляющий сигнал в блок синхронизации 3, по которому управляемый генератор 15 останавливается и индицируется адрес, информация...

Номер патента: 333977

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Козлов, Чел, Шмигель, Электрификации

МПК: B03C 9/00

Метки: высокой, напряженности, поля, разделения, семян, создания, установках, электростатического

...зазоре межэлек тродное,расстояние возрастает, что приводитк увеличению габаритов устройства. Кроме того, так как в стационарном процессе перераспределение напряженностей поля происходит обратно пропорционально проводимостям 15 слоев, а не диэлектрическим проницаемостям,для получения высоких напряженностей поля в воздушном зазоре очень трудно подобрать диэлектрический материал, Цель изобретения - увеличить напряженность поля в рабо чем пространстве системы при стационарнамрежиме работы и расширить технологические возможности применения электростатического поля, Это достигается тем, что электрод, к которому подводят потенциал от высоковольтной выпрямительной установки, выполняют из диэлектрика, например, гетинакса, оргстекла, текстолита....

Номер патента: 930382

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иевенко, Кожухарь, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, решетки, цилиндрических

...полеНо, и сканирующий узел 5, позволяющий перемещать образец 6 относительно плоского высокочастотного контура 1, который плотно прилегаетк поверхности диска образца 6 состороны исследуемой ТИП,Определение напряженности поляколлапса решетки ЦМД протекает следующим образом.Образец 6 занимает исходное положение в кювете сканирующего узла 5.Высокочастотный контур 1 вводитсяв начальное положение отсчета сканирующего узла 5. Обычно площадь контура выбирается равной площади чйпазапоминающего устройства (ЗУ), Если необходимо аттестовать образец в це.лом, выбирают контур площадью10 -10 мм , равной площади исслед 4дуемого образца. Для аттестации пленки на однородность контур должениметь меньшую площадь ( 1 мм ).В зазоре полюсных наконечников3...