Способ изготовления осесимметричных магнитопроводов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСИХРЕСПУБЛИК 01 3 23 08 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ польэовано при изготовлении электронно- оптических систем, например, электронных микроскопов, Цель изобретения - повышение качества изготовления мэгнитопроводов эа счет увеличения их осевой однородности - достигается тем, что в известном способе отжиг осуществляют в осесимметричном магнитном поле, значение индукции которого поддерживают на уровне, равном не менее 40 от индукции насыщения магнитопроводэ, а при изготовлении мэгнитопровора из пермэллоя или железа допуск на чистовую обработку магнитопроводов не должен превышать 0,2 мм, при этом толщина снимаемого материала, не приводящая к ухудшению магнитных свойств, составляет величину не более 0,08 мм, 1 э,п.ф-лы,мутального распределения индукций собственного поля, а следовательно, и повышение осевой симметрии суммарного распределения индукции магнитного поля, формируемого в магнитопроводе в процессе его эксплуатации,Такая обработка будет давать заметные результаты для наиболее часто используемых в электронно-лучевой прецизионной технике сплавов - пермендюра и пермаллоя в случае, если индукция поля состовляет не менее 40 от индукции насыщения.Магнитомягкие материалы, например чистое железо или никелевые сплавы, в частности пермаллой, характеризуются высокой остаточной деформацией, которая ГОСУДАР.СТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСЕСИММЕТРИЧ Н ЫХ МАГНИТОПРОВОДОВ (57) Изобретение относится к электронно- и ионна-лучевой технике и может быть исИзобретение относится к области электронно- и ионна-лучевой технике и может быть использовано при изготовлении электронно-оптических систем, например, электронных микроскопов.Целью изобретения является повышение качества изготовления магнитопроводов за счет увеличения. их осевой однородности.Отжиг в магнитном поле при соосном расположении поля и мэгнитопровода обеспечивает переориентацию магнитных доменов и их направленную упорядоченность в материале, который приобретает осевую симметрию магнитных свойств, Результатом является "сглаживание" различий ази 1663642 А1663642 Формула изобретения 1, Способ изготовления осесимметричных мэгнитопроводов, включающий предварительную механическую обработку заготовки с припуском, отжиг, чистовую механическую обработку, повторный отжиг и финишную обработку, о т л и ч э ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества изготовления мэгнитопроводов зэ счет увеличения их осевой однородности, отжиг осуществляют в осесимметричном магнитном поле, значение индукции которого поддерживают по крайней мере в материале полюсных наконечников магнитопровода на уровне, равном не менее 40 от индукции насыщения мэгнитопроводэ,.2, Способпоп.1,отличающийся тем, что при изготовлении магнитопровода из пермаллоя или железа, припуск после предварительной механической обработки оставляют не более 0,2 мм нэ размер, а при чистовой обработке снимают слой металла не более 0,08 мм за один проход режущего инструмента,Составитель Д, Рау Техред М.Моргентал Корректор М,Демчик Редактор В. Фельдман Заказ 2268 Тираж 316 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 приводит к заметному короблению после первичного отжига и требует чистовой обра. ботки, например, расточки.Существенным является размер припуска, составляемый на чистовую обработку.В то же время, связанная с припуском на размер величина толщины снимаемого за один проход материала не должна вызывать ухудшения магнитных свойств.Как следует их экспериментальных данных по обработке деталей, прошедших наиболее критичную подготовительную обработку - неосевую ковку заготовки и ее обдирку, допуск на чистовую обработку магнитопроводов из пермаллоя или железа не должен превышать 0,2 мм, Из экспериментальных данных также следует, что толщина снимаемого материала, не приводящая к ухудшению магнитных свойств или позволяющая восстановить их при температуре отжига, не превосходящей точки Кюри, составляет величину не более 0,08 мм,Примером конкретного выполнения данного технического решения является способ изготовления магнитопровода конденсорных линз растрового электронного микроскопа из пермаллоя марки 79 НМ. Завготовку подвергают токарной обработке, оставляя припуск на размеры порядка 200 мкм, Далее в водородной печи осуществляют отжиг заготовки в следующей последовательности: нагревают до 750-780 С, выдерживают 2 - 3 ч, охлаждают в печи до 400 С, а далее охлаждают на воздухе. После этого осуществляют токарную рэсточку магнитопровода с подачей резца 50 мкм. Далее шлифуют и полируют каналы полюсных наконечников, После этого помещают магнитопровод в водородную печь с точкой росы не выше - 40 С, повышают температуру до 110-1150 С, создают соосно с магнитопроводом магнитное поле с индукцией в теле магнитопровода не менее 0,3 Тл, выдержиовэют температуру в течение 3-6 ч, далее охлаждают до 600 С со скоростью не более 200 С/ч и ниже со скоростью не менее 400 ОС/ч,Примером выполнения предлагаемого способа является также способ изготовления из сплава 49 КФ малогабаритного объ 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ектива просвечивающего электронного микроскопа. Из заготовки обдирают магнитопровод, далее осуществляют токарную расточку, после которой оставляют припуск на шлифовку полюсных наконечников магнитопровода, После этого помещают магнитопровод в вакуумную печь с остаточным давлением не более 10 торр и выдерживают там 3 ч при 1100-1120 С. Далее охлаждают со скоростью 100 - 150 С/ч. Затем. шлифуют полюсные наконечники и повторяют отжиг, проводя его в осесимметричном магнитном поле, амплитуду которого в теле магнитопровода поддерживают не менее 0,96 Тл.Данный способ наиболее целесообразно использовать при изготовлении мэгнитопроводов и полюсных наконечников объективных линз электронных микроскопов как просвечивающего, так и растрового типа, Причем в последнем классе приборов положительный эффект будет проявляться наиболее заметно при формиовании изображений с разрешением 40 - 50 и лучше.