161235

Номер патента: 748148

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Битюков, Петров, Резник, Степанов

МПК: G01J 5/08

Метки: перепада, полупрозрачного, слое, температур

...области спектра, например,ФЭУ. Перед приемником излученияустановлен красный интерференционный светофильтр 9, выреэающий излучение в области длины волн от0,65 до О,бб мкм. Попеременное направление излучения модели черноготела 3 (при градуировке) или образца (при измерениях), устанавливаемого на место модели черного тела,и модуляция излучения на частоте37. Гц с последующим синхронным детектированием осуществляют оптической системой 10 и зеркальным модулятором 11, снабженным приводом 12,причем модулятор 11 расположен в плоскости, проходящей через биссектрисуугла между осями приемников излучения1 и 8. Регистрацию сигналов с приемников излучения 1 и 8 осуществляют с использованием автоматическойрегистрирующей аппаратуры 13. Измерение...

Номер патента: 120507

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Ябин

МПК: B01J 8/02

Метки: аппаратах, высокой, емкость, катализатора, проводимых, процессов, слое, температуре

...образуются трещины, что вызываст нсблагоприятное влияние на реакцию,Описываемая емкость для катализаторов имеет слабовыгнутое, загнутое по краям, дно. Небольшие деформации, возникающие при изменениях температуры, вызывают небольшие изменения радиусов, загиба края и образования трещин в слое катализатора не происходит.Таким образом, выполнение днища выпуклым устраняет вышеупомянутые недостатки. На чертеже показана предлагаемая емкость в разрезе. Емкость имеет форму чаши, состоящей из фланцевого кольца 1, цилиндрической части 2 и приваренного к последней выпуклого дырчатого днища 3.Радиус Й кривизны днища 3 равен примерно двум-трем диаметрам .0 чаши, а величина г кривизны загнутых краев днища 3 составляет около 0,015 - 0,025...

Номер патента: 1362961

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Лицин, Панов

МПК: G01K 7/36

Метки: внутренних, детали, слоев, температуры

...16 увеличивается, усиливается масштабным усилителем 18 и подается на вход управляемого генератора 2, Это приводит к росту часто. ты выходных колебаний управляемого генератора 2. Увеличение частоты колебаний будет происходить до тех пор. пока разность фаз между входными сигналами фазового детектора 8 не будет равна величине, зафиксированной в режиме настройки первого канала. При этом глубина проникновения электромагнитного поля в деталь будет равна начальной, а управляемый генератор будет генерировать сигнал с частотой у 1 . Отношение частот ы 1/ ы 1 В пропорционально температуре, усредненной по глубине проникновения электромагнитного поля в деталь, причем глубина определяется значением частоты ы На выходе интегратора 16 будет напряжение=...

Номер патента: 1758450

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Игнатьев, Лунегова, Панов

МПК: G01K 7/36

Метки: внутренних, детали, слоев, температуры

...выводом потенциометра 4 отрицательной обратной связи, средний вывод которого соединен с инвертирующим входом дифференциального усилителя 2, фазовый детектор 5, выход которого соединен с первым входом блока 6 вычитания, первый вывод детектирующей катушки 9 соединен с земляной шиной, а второй подключен к неинвертирующему входу дифференциального усилителя 10 и к первому выводу балластной катушки 11, второй вывод которой соединен с выходом дифференциального усилителя 10 и первым крайним выводом потенциометра 12 отрицательной обратной связи, средний вывод которого соединен с инвертирующим входом дифференциального усилителя 10, а второй крайний вывод потенциометра 12 соединен с выходом генератора 13; с вторым крайним выводом потенциометра 4....

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...