Способ контроля надежности интегральных микросхем

(51)5 С 01 В 31/28 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР(56) Патент фРГ В 2414340, кл С 0 1 К 31/26 1980 аАвторское свидетельство СССР У 1228052, кл. С 01 К 3/28, 1986. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАДЕЖНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. Цель изобретения - снижение продолжительности контроля, На интегральные мик 2росхемы 1 подают напряжение питания от блока 4 питания через блок 2 коммутации, охлаждают в камере 5 холода и измеряют с помощью измерителя 3 тока утечки информативный электрический параметр - ток утечки контролируемой интегральной микросхемы при критическом значении температуры. За критическое значение температуры принимают значение температуры, соответствующее точке выпадения росы находящегося в подкорпусном пространстве микросхемы газа, ненадежной считают микросхему, если значение тока утечки при крити,ческом значении температуры превышает среднее значение тока утечки контролируемой партии микросхем. 1 з,п.- ф-лые1 илеИзобретение относится к измеритель,ной технике и мОжЕт быть использованодпя диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозииинтегральных микросхем (ИС),Цель изобретения - снижение продолжительности контроля.На чертеже показана схема реализации способа. 10Схема содержит контролируемую интегральную схему 1, блок 2 коммутации, измеритель 3 тока утечки, блок4 питания,. камеру 5 холода.Способ реализуется следующим обраэомКонтролируемую партию ИС устанав-ливают в автономные контактирующиеустройства, расположенные на печатной плате, и помещают ее в камеру 5холода, в которой поддерживается критическое значение отрицательной температуры, В качестве критическогозначения температуры выбирают температуру точки выпадения росы находящегося в подкорпусном пространствеИС 1 газа. Плату с ИС 1 выдерживаютв камере в течение часа, затем включают питание ИС и, коммутируя его,блоком 2 коммутации поочередно измеряют с помощью измерителя З.токиутечки каждого экземпляра ИС. Экземпляры ИС с повышенным более чем на1-3 порядка значениями токов утечки,по сравнению со средним значением тока утечки контролируемой партии иикро -35схем, бракуют,ДеФекты выявляются за счет того,что при понижении температуры в герметических корпусах ИС увеличиваетсяотносительная влажность находящегосятам газа, при этом увеличивается иадсорбция молекул воды кристаллом иизоляционными слояья, Температура за.мерзания адсорбированной влаги ниже0 С, так как при тонком слое жидкостьможет находиться в переохлажденномсостоянии. Проведенные измерения показали, что для ИС серии 564 максимальные значения токов утечек получены при температуре - 30 С. Так какувеличение токов утечки при пониженных температурах обусловлено адсорбцией влаги, ток утечки в этих условиях и выбран в качестве критерия.55П р и м е р. В связи с получениемданных о повышенной интенсивности откаэов при эксплуатации РЭА (по дефекту "коррозия" ) была подвергнута проверке партия КИОП ИС типа 564 ЛЕ 5 (50 шт,), Нормативными документами на ИС.серию 564 установлена предельная влажность в подкорпусном объеме 0,05%, что соответствует точке выОпадения росы - 30 С, которая принята в качестве критической температуры.Результаты измерений: тока утечки 43 экземпляров ИС при =-30 С находились в пределах 0,5,-16,3 нА, а у 7. экземпляров - в пределах 63- 500 нА.Проведенные затем исследования отбракованных 7 экз. ИС (со вскрыти ем) подтв ердили предр асположенно ст ь их к коррозии,Таким образом, способ позволяет по результатам одного измерения производить отбраковку предрасположенных к коррозии ИС и, соответственно, повысить эксплуатационную надежность из гот авли ваемой р адиоэлектронной аппаратуры, . в которой использованы эти ИС при снижении времени контроля.Формул а иэ обрет ения1, Способ контроля надежности интегральных микросхем, заключающийся в том, что, охлаждают испытуемую интегральную микросхему до заданной температуры, измеряют ток утечки между шиной питания и общей шиной испытуемой микросхемы, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью снижения продолжительности контроля, заданную температуру охлаждения выбирают ниже или равной точке выпадения росы газа, находящегося в подкорпусном пространстве испытуемой микросхемы, сравнивают ток утечки при заданной температуре со средним значением тока утечки, определенным на статистически дрстоверной выборке интегральных микросхем того же типа, считают испытуемую интеграпьную микросхему ненадежной, если измеренный ток утечки превышает среднее значение не менее чем в заданное число раэ,2. Способ по и, 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что интегральную микросхему считают ненадежной, если измеренный ток утечки превьппает среднее значение В 1 О и болЕе раэ.