158104

Номер патента: 1826342

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Волков, Глазов, Магнитов

МПК: B23K 15/00

Метки: луча, наклона, образца, оптимального, оси, поверхности, сварке, угла, электронно-лучевой

...импульсным включением движения пушки 3 по полярной координате при постоянной скорости перемещения пушки 3 по линейной координате. Траектория перемещения точки "О." проходит в этом случае по оси симметрии образца.Методика определения оптимального угла наклона оси луча к поверхности образца представлена на фиг.1, где ан - начальный угол наклона оси пушки (луча); а - конечный угол наклона оси пушки (луча);Ла =а -ан - диапазон изменения углов наклона луча; а ач.1 - угол наклона оси пушки (луча) в начале участка с качественным формированием шва; а ач.г - угол наклона оси пушки (Луча) в конце участка с качественным формированием шва;Лаач -- а.ч,г -акач,1 диапазон изменения углов наклона оси пушки (луча) на участке с качественным формированием...

Номер патента: 543826

Опубликовано: 25.01.1977

Автор: Народницкий

МПК: G01C 23/00

Метки: величин, морской, наклонов, направлений, поверхности

...поверхностью принимают с помощью трех приемников 2, 3и =., рас.,о 11 оженных вокруг излучателя В го:- ризонталь 1 ой плоскости,Полученные сигналы подают на измери 1 ель 5 наклонов длинноволновой части спектра псс-.Ворх 11 эсти,в котором по Времечи прихода расд се.,нных сигналов на приемники определя т Величину и направление наклонов, Интенси:ность обратно Оассеянных сигналов принхма;т на совмешенном с излучателем приеъ:;1:1 ке и подают на селектируюшее устрой-:Икуда 11 оступает также информация О Вел 11 ччне и направлении наклоноВ с измеритс- о, 1 помошь;о устройства 6 разделяют интенс,.вности обратно рассеянных сигналов поинтервалам направлений наклонов,. Интенсив.: 15 гости обратно рассеянных сигналэв при задан ьих интервалах...

Номер патента: 5067

Опубликовано: 30.04.1928

Автор: Красильников

МПК: G09B 27/02, G09B 27/06

Метки: демонстрирования, земной, луны, относительного, поверхности, положения, прибор, солнца

...На круге 11 нанесены по окружности деления соответственно перемещению луны по орбите.На фиг. 9, 10 показан вариант, по которому, в части прикрепления сегментов, отброшен рычажок 12, на круге же 11 - 11 поставлена стойка 18, на каковой закреплен круг 19, изображающий проекцию орбиты луны на земной шар. Этот круг может быть сплошным или из двух половинок, соединенных шарниром 20 и шипом 21. На круге 19 - 19 нанесены деления, соответствующие передвижению луны. Сегменты 14 и 15 с помощью крючков, изображенных на фиг. 11, закрепляются друг против друга на круге 19. Для одновременного передвижения сегментов, на круг 19 накладывается другой круг 22 (фиг, 12), который может быть сплошным или разрезным на части, и к которому сегменты могут...

Номер патента: 1137518

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Бутта, Довгань, Дробот, Сенько, Шрибак

МПК: G11B 7/09

Метки: воспроизведения, луча, носителя, оптического, поверхности, фокусировкой

...между источником света иобъективом, привод перемещения объектива вдоль оптической оси, модулятор отраженного сигнала, фотоприемник, соединенный с формирователем . 55огибающей отраженного сигнала, фазо"вый детектор, выход которого черезусилитель мощности подключен к приводу перемещения объектива, один вход соединен с генератором опорного напряжения, а другой - с выходом формирователя сигнала огибающей отраженного сигнала, модулятор отраженного сигнала выполнен в виде фокусирующей линзы, круглой диафрагмы и зеркала с приводом сканирования, при этом фотоприемник, свето- делитель, фокусирующая линза и зер" кало размещены последовательно на одной прямой, а привод сканирования соединен с выходом генератора опорного напряжения.На фиг,1...

Номер патента: 1669327

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Асалханов, Домбровский, Иванов

МПК: H01J 29/51

Метки: вакууме, луча, места, падения, поверхности, полупроводника, регистрации, электронного

СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МЕСТА ПАДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В ВАКУУМЕ, включающий очистку поверхности полупроводника и облучение ее электронным лучом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрации низкоэнергетического электронного луча при упрощении способа, одновременно с облучением поверхности полупроводника электронным лучом дополнительно осуществляют сканирование поверхности сфокусированным световым лучом, при этом регистрацию места падения электронного луча проводят по изменению величины тока электронного луча в момент совпадения места падения электронного и светового лучей.