Микрополосковая нагрузка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 Н 01 Р 1 ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ОМИТЕТТНРЬ 1 ТИЯМ РЕТ нститу физиче онс йст адно ,8,б ПИСАНИЕ(56) Патент США В 4413241,кл, Н 01 Р 1/26, 1983.Справочник по расчету ированию СВЧ полосковых устр(57) Изобретение относится к техникеСВЧ. Цель изобретения - повышение до 2нустнмой мощности СВЧ-сигнал поступает в нагрузку по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое (ПРС) 4, размеры которого выбираются. При рассеивании мощности СВЧ-сигнала ПРС 4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэлектрическую .подложку (ДП) 7. За счет того что теплопроводность материала ДП 7 выше, чем у ДП 1, отвод тепла от ПРС 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредственно прилегающей к ПРС 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение ДП 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая иэ всех известных диэлектриков, пригодных для использования в качест" ве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощности. 1 з,п. ф-лы,ил.1552266 Формула изобретения Составитель В.АлыбинТехред Л.Олийнык Корректор С.Шевкун Редактор Г.Гербер Тираж 442 Подписное/ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 335 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к техникеСВЧ и может быть использовано вминиатюрных устройствах.Целью изобретения является повы 5шение допустимой мощности,На чертеже показана конструкциямикрополосковой нагрузкиМикрополосковая нагрузка содержитдиэлектрическую подложку 1, на однойстороне которой размещено заземляющееоснование 2, а на другой стороне размещены токонесущий проводник 3 ипленочный резистивный слой 4, однойкромкой 5 подключенный к нему, а 15противоположной кромкой 6 - к заземляющему основанию 2. Между пленочнымрезистивным слоем 4 и диэлектрической подложкой 1 введена дополнительная диэлектрическая подложка 7, теплопроводность материала которой вышетеплопроводности материала диэлектри- .ческой подложки 1. Дополнительнаядиэлектрическая подложка 7 можетбыть выполнена из алмаза. 25Микрополоскковая нагрузка работаетследующим образом.СВЧ сигнал поступает по .токонесущему проводнику 3 и рассеивается впленочном резистивном слое 4. Для 30согласования в широком диапазоне частот соответствующим образом выбираются размеры пленочного резистивногослоя 4. При рассеивании мощности СВЧсигнала пленочный резистивный слой4 разогревается, а тепло отводится надополнительную диэлектрическую подложку 7, Благодаря тому, что тепло,проводность материала диэлектрическойподложки 7 выше теплопроводности ма. териала диэлектрической подложки 1,отвод тепла от пленочного резистивного слоя 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредст-,венно прилегающей к пленочному резистивному слою 4, где плотностьтеплового потока максимальна, Выполнение дополнительной диэлектрическойподложки 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всехизвестных диэлектриков пригодныхдля использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повьппение допустимой мощности,Для повьнпения допустимой мощностидостаточно использовать сравнительнонебольшие толщину дополнительнойдиэлектрической подложки 7, что позволяет сравнительно просто наноситьее на диэлектрическую подложку1, например, в виде пленочного покрытия.При этом диэлектрическую подложку 1 рекомендуется выполнять из теплонита,1,Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой размещены токонесущий проводник и пленочный резистивный слой, одной кромкой подключенный к нему, а противоположной кромкой - к заземляющему основанию, о т л и ч а ю щ а я с я тем, .что, с целью повьппения допустимой мощности, между пленочным реэистивным слоем и диэлектрической подложкой введена дополнительная диэлектрическая подложка, теплопроводность материала которой выше теплопроводности материала диэлектрической подложки.2.Нагрузка по п.1, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что дополнительная диэлектрическая подложка выполнена из алмаза.
СмотретьЗаявка
4367018, 20.01.1988
КАЗАНСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Н. ТУПОЛЕВА, ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ АН СССР
ИСХАКОВ ИЛЬДАР ХАЙДАРОВИЧ, КУЗЬМИН АНАТОЛИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ВАРНИН ВАЛЕНТИН ПАВЛОВИЧ, СПИЦЫН БОРИС ВЛАДИМИРОВИЧ, БОТЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, АЛЕКСЕЕНКО АЛЕКСАНДР ЕВГЕНЬЕВИЧ, БУЙЛОВ ЛЕОНИД ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 1/26
Метки: микрополосковая, нагрузка
Опубликовано: 23.03.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1552266-mikropoloskovaya-nagruzka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микрополосковая нагрузка</a>
Предыдущий патент: Коаксиальная нагрузка с испарительным охлаждением
Следующий патент: Направленный ответвитель
Случайный патент: Устройство для непрерывного хроматографическогоразделения