Направленный ответвитель

Номер патента: 1092620

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Горбачев, Неверов

МПК: H01P 5/18

Метки: направленный, ответвитель, переменной, связью

...1:3, при этом короткая и длинная части основной и вспомогательной линий соединены между собой через коммутационные диоды, короткие части основной и вспомогательной линий одними концами соединены со смежными концами коротких частей со ответственно первого и второго компенсирующих отрезков, другие концы которых соединены со смежными концами первого и второго дополнительных отрезков, а коммутационные диоды эквидистантно включены между краями длинных частей первого и второго компенсирующих отрезков и смежными с ними краями первого и второго дополнительных отрезков соответственно.На фиг. 1 представлен направленный ответвитель с переменной связью; на фиг. 2 -20 25 30 35 40 45 50 55 частотные характеристики переходного затухания при его...

Номер патента: 1116478

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Кангур, Кузьмин, Прусов, Яковлева

МПК: H01P 5/18

Метки: направленный, ответвитель, переменной, полосковый, связью

...достигается тем, что в полосковом направленном ответвителе с переменной связью, содержащем металлический корпус, внутри которого размещены две диэлектрические подложки, на поверхности каждой из которых выполнены компенсирующий проводник и токонесущий проводник связанных линий, причем одна из диэлектрических подложек установлена с возможностью перемещения, диэлектрические подложки установлены на одной из стенок металлического корпуса и каждая из них выполнена из двух частей, на поверхности одной из которых размещен компенсирующий проводник, а на поверхности другой - токонесуший проводник связанных линий, причем часть одной из диэлектрических подложек с токонесущим проводником связанных линий расположена между частями другой...

Номер патента: 19

Опубликовано: 15.09.1924

Авторы: Андреев, Ландсберг

МПК: H01C 17/08

Метки: изолятора, осаждения, поверхности, посредством, проводника, слоя, сопротивлений, электрических

...в желательной постепенности и, таким обра, зом, изготовлять наборы (магазины) со противлений от 10 до 10" омов,Для получения металлических сопро-тивлений в трубке, подобной вышеописанной, осаждается слой металла путем катодного распыления или испарения в вакууме. Особенно удобны дляраспыления платина и серебро. Испа, рение легко применимо с серебром ) (серебр, капли нагреваются платиновойпроволокой, накаливаемой током), Могутбыть применимы и другие металлы (для больших сопротивлений пригодны нити лампочек накаливания). Таким методомпредставляется возможность получатьсопротивления от нескольких десятковдо 106 омов и более. Трубка с осажден-ным слоем эвакуируется, т, е. удалениемвоздуха создается вакуум, и затем оназапаивается....

Номер патента: 133530

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Диковский, Королев

МПК: H01L 21/479

Метки: выводным, контактов, между, поверхностью, полупроводникового, прибора, проводником, сварных

...получения сварного контакта требуемого типа, Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.Сущность способа заключается в следующем.Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходиг образование или выпрямляющего., или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...