Усилительный каскад

,150 03 Г 3 г ЕНКЫЙ КОМИТЕТЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ССР ГОСУД АРСПО ИЗОБПРИ ГНН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ(57) Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в интегральных мощных устр-вах. Цельизобретения - повышение температурной стабильности. Усилительный каскад содержит Б первых и Н вторых тразисторов 1, 2, Н составных транзисторов, выполненных на транзистора4, Б резисторов 6, Н первых и Б в рых генераторов 7, 8 тока, генератор 9 тока, а также силовой и сигнальный выводы 10 и 11, Поставленная цель достигается введением Я дополнительных транзисторов 5. Токи . источВ 1ников 7 выбираются т.обр, чтобы падение напряжения на соотв. Я резисторах 6 от протекания тока Т . нв пре 81вышало 1-2 мВ. Если температура д-го элемента усилительного каскада по ка ким-либо причинам повышается, то ц температурный потенциал р-и-переходов транзисторов 3, 5 соотв. элемента, пропорциональный абсолютной температуре, также увеличивается. Коэффициент усиления по току не зависит от параметров транзисторов и определяется Кб, п (и - отношение площадей транзисторов 3 и 5). 1 ил.3 1504785Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в мощ-ных интегральных устройствах.Цель изобретения - повышение тем 5пературной стабильности.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилительного каскада,Усилительный каскад содержит Б 10первых транзисторов 1, Н вторых транзисторов 2, И составных, транзисторов,выполненных на транзисторах 3, 4, Ыдополнительных транзисторов 5, 11 резисторов б, Б первых генераторов 7 15тока, Б вторых генераторов 8 тока,третий генератор 9 тока, а также силовой и сигнальньп выводы 10 и 11.Усилительный каскад работает следукцим образом, 20Токи 1; источников 7 тока выбирают такими, чтобы падение напряженияна соответствукцих М резисторах б отпротекания тока 1 не превьппало1-2 мВ, Тогда, пренебрегая базовымитоками г.-го транзистора 3, для тока14, транзистора 4 можно записать (если транзисторы усилительного каскадавыполнены на одном кристалле по одной технологии и расположены рядом 30один с другим)1 . (1 -1 .)и акр(ц И ), (1)гдеОаь (1 в ъ)Кб (2)1 . - ток коллектора г.-го второго 35гтранзистора;температурный потенциал р-итперехода;и - отношение площадей эмиттеров транзисторов 3 и 5. 40Если напряжения на резисторах Кбне Равны, напРимеР 0 с;гипс., товозникает разность напряженйй эмиттер - база транзисторов 1 и 13,транзистор 1 г. запирается, 13 отпирается, а токи 1 г н 1 г. изменяютсяг;так что Цвс 11 ас. Тогда согласно (1) и (2) (11 г) (1 1 121) и 14; 1%фТаким образом, токи Н транзисторов 4 уравниваются, происходит равномерное расйределение тока нагрузки, протекакцего между выводами 10и 11,Если температура -го элемента 55усилительного каскада по каким-либопричинам повышается, то ц (температурный потенциал р-и переходов транзисторов 3, 5 соответствукцего элемента, пропорциональный абсолютной температуре) также увеличивается. Тогда, поскольку Ус остается равЙб 1ным Бб остальных элементов усилительного каскада, то согласно (1) 1 ., Уменьшится, Такий образом, в 41усилительном каскаде отсутствует положительная температурная обратная связь.Максимальньп ток 1 . ограниченФи равен (при 1;=О) 1, , =1,. ехр(1 в Кб/Ч,), (3) Таким образом, ограничив токи 1 .,Фф можно ограничить ток нагрузки. Коэффициент усиления по току не зависит от параметров транзисторов и определяется Кб, л. Формула изобретения Усилительный каскад, содержащий М первых, Я вторых, М составных транзисторов, Бпервьп, 1 вторых и третий генераторов тока, а также Б резисторов, первые выводы которых соединены и являются сигнальным выходом усилительного каскада, а вторые выводы подключены к эмиттерам соответствунцих Ч первых транзисторов, базы которых соединены и подключены к выходу третьего генератора тока и к эмиттерам 11 вторых транзисторов, базы которых подключены к коллекторам соответствукцих Ю первых транзисторов и выходам соответствуи щих 11 первых генераторов тока, причем коллекторы Н составных транзисторов соединены и являются силовым выходом усилительного каскада, а базы подключены к выходам соответствукцих вторых генераторов тока и коллекторам соответствукцих М вторых транзисторов, о т л и ч а ю ц и й с я тем, что, с целью повьппения температурной стабильности, введены Н дополнительных транзисторов, коллекторы которых соединены е базами соответствукцих К составных транзисторов, эмиттеры - с вторыми выводами соответствукцих Н резисторов, а базы - с эмиттерами входных транзисторов соответствунцих Н составных транзисторов, при этом эмиттеры В составных транзисторов подключены к первым выводам Я резис- торов