Устройство для формирования импульсов тока

Номер патента: 1529141

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Бабенко, Чупис

МПК: G01R 23/04

Метки: свч-импульса, частоты

...поле Е является величиной, зависящей только от свойств полупроводникового мате 55 риала и частоты СВЧ-поля. При Е)Еконцентрация ионизированных носителей увеличивается с ростом напряженности поля практически экспоненциально, обуславливая высокое быстродействие устройстваКак видно из приведенных графиков на фиг. 2, наиболее существенным фактором, определяющим распространение ионизирующей волны, является логарифмический закон изменения Е(г), где г - расстояние до поверхности пластины. Графики приведены для арсенида галлия (СаАэ). Следствйем этой закономерности является практическая независимость глубины проникновения ионизирующего поля в полупроводниковую пластину от амплитудного значения СВЧ-поля на ее поверхности, На расстоянии...

Номер патента: 1571754

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Висацкас, Ивашка, Мешкаускас, Павильонис

МПК: H03K 12/00

Метки: видеоимпульсов, преобразования, свч-импульсы

...волнуПИСВ). Достигнув микрополосковойантенны 4, нестационарные колебанияпреобразуются в СВЧ-импульс. У-образная форма торцов полюсов 6 и 7 магнитной системы 8 и наклонное положение микрополосковых антенн 3 и 4 поотношению к продольным краям прямоугольной пленки 5 обеспечивают неоднородность поля намагничивания прямо"моугольной пленки 5 вдоль направленийосей микрополосковых антенн 3 и 4,В результате каждый участок микрополосковой антенны 3 возбуждает ПИСВ,каждая из которых распространяетсяряженности внешнего нитного поля на краях ферритовой пленки по направлению распространени видеоимпульса;граничные частоты в СВЧ- импульсе;намагниченноматериала фе л с 1,сть насыщениярритовой плен 1й = ---с 7/(6расстояние между микрополосковыми...

Номер патента: 1444676

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Августинович, Шиян

МПК: G01R 23/00

Метки: импульса, несущей, одиночного, свч, частоты

...длительностью входного СВЧ-импульса, по окончании которого ключ снова возвращается в исходное состояние "Закрыто. Исследуемый импульс, поступив в коаксиальную линию 8 задержки, доходит до ее замкнутого конца и отражается, возвращаясь ко входу линии и выходу ключа 5. Здесь снова происходит отражение от низкого входного сопротивления ключа 5 в обратном направлении. В результате, если длина линии 8 задержки такова, что вре 40 мя двойного пробега исследуемого импульса. по ней превышает его длительность, на вспомогательном выходе направленного ответвителя 7 имеем серию радиоимпуль 1 ов, иллюстрируемую вертикальными прямыми на фиг.2. Ис" пользование направленного 7 ответвителя в преобразователе позволяет отбирать малую часть энергии...

Номер патента: 1601641

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Доватов, Житников

МПК: G11C 11/16

Метки: задержки, свч-импульсов

...1,со= В,о+ КУ Нгде К - коэффициент, зависящий от выбранной пары энергетических подуровней основного состояния щелочного атома; Но - величина постоянного магнитного поля; у - гиромагнитное отношение,Далее СВЧ-импульс поступает на вход модулятора 11, с помощью которого осуществляется 100 -ная амплитудная модуляция этого СВЧ-импульса с ларморовской частотой щелочных атомов о)л-= у Но. Под действием амплитудно-модулированного СВЧ-импульса осуществляется одновременное возбуждение двух переходов сверх- тонкой структуры щелочных атомов, что приводит к возникновению радиочастотной когерен 5 ности, т.е. к появлению компоненты суммарной поперечной намагниченности поглощающей ячейки 1, осциллирующей на частоте ил,После окончания СВЧ-импульса...

Номер патента: 1691759

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Чубатенко

МПК: G01R 13/02

Метки: длительности, импульса, осциллографа, среза, экране

...с соответствующим ( = К - 4) входом 19,319.(К - 2) блока. Вход 18,1 соединен с одним из входов элементов И 28, второй вход которого соединен с выходом последнего элемента ЗАПРЕТ 27., а выход - с выходом 30 блока. Выход каждого элемента 29 соединен с соотаетствуюшим выходок. 32 блока,Тест-маска 4 соединена с блоком 5 селекции следующим Образом, Выходы (световоды) фотоприемников пеоаой, второй, тОетьсй и ч 8 та 8 ртой лин 88 к тест-маски с 08 динены с соответствующими оптическими входами блока селекции первой, второй, третьей и четвертой групп соответственно, блоки 5 - 9 соответственно соединены мекду собой с помощью волоконных световодных линил связи (кабелей),Устройство для измерения длительности сг,:эа импульса работает...