Патенты с меткой «свч-импульса»

Номер патента: 1529141

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Бабенко, Чупис

МПК: G01R 23/04

Метки: свч-импульса, частоты

...поле Е является величиной, зависящей только от свойств полупроводникового мате 55 риала и частоты СВЧ-поля. При Е)Еконцентрация ионизированных носителей увеличивается с ростом напряженности поля практически экспоненциально, обуславливая высокое быстродействие устройстваКак видно из приведенных графиков на фиг. 2, наиболее существенным фактором, определяющим распространение ионизирующей волны, является логарифмический закон изменения Е(г), где г - расстояние до поверхности пластины. Графики приведены для арсенида галлия (СаАэ). Следствйем этой закономерности является практическая независимость глубины проникновения ионизирующего поля в полупроводниковую пластину от амплитудного значения СВЧ-поля на ее поверхности, На расстоянии...