Устройство для определения минимальной энергии зажигания слоя дисперсных материалов

Номер патента: 522462

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Бутурлин, Вишнева, Ержанов, Кремлев, Чистяков

МПК: G01N 27/00

Метки: глубины, монокристаллического, полупроводника, слоев

...кипения или близкой к ней)раствор, содержащий 35,1% моль этилендиамина (М Н-СН) - Я,3,7% моль пирокатехинаС , Н( О Н )г) и 61,2% моль воды, (применяетсяпри температуре 100-110 С),В результате рельефного анизотропного трав.ления образца получают наклоненную плоскость9, составляющую угол сг с рабочей поверхностьюобразца и лежащую в кристаллографическойплоскости (111) 6.Подтравливание под край окна в маскирующем слое, расположенном по линии пересечениярабочей поверхности образца с кристаллографической плоскостью (111), отсутствует, На наклоненную плоскость выходят полупроводниковые слои и разделяющие их р - з 2 переходы; их линейныеразмеры (глубины) выглядят на наклоненнойплоскости увеличенными в масштабе, определяемом величиной...

Номер патента: 1619149

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Орлов, Полудницын

МПК: G01N 27/83

Метки: глубины, локально-упрочненных, поверхностных, слоев, ферромагнитных

...выходом блока стробирования.Устройство работает следующим образом,Источник 1 переменного тока, работающий в режиме поддержания постоянного магнитного потока (О = сопя), создает ток 1(т) 12 который, протекая по первичной обмотке индукционного преобразователя 2, перемагничивает контролируемый участок иэделия (не показано). Во вторичной обмотке индукционного преобразователя 2 индуцируется ЭДС от шумов Баркгаузена е(т) 13,5 10 15 20 25 30 35 которая несет в себе информацию о двух потоках магнитного шума: от неупрочненной основы изделия и с поверхности упрочненного слоя, поле старта последних смещено в область полей с более высокой напряженностью. ЭДС е(т) поступает на вход блока 9 измерения.Рассмотрим принцип формирования строб-импульсов...

Номер патента: 147204

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Коровкин

МПК: A01C 15/00

Метки: внесения, глубине, одновременного, почвы, различные, слои, тукопровод, удобрений

...постепенно изменяющейся длины. Отражатели находятся внутри трубки у входа в каждый патрубок и служат для разделения струи удобрений по патрубкам,На чертеже изображена схема предлагаемого тукопровода.Тукопровод для одновременного внесения удобрений в различные по глубине слои почвы выполнен в виде вертикальной жесткой трубки 1 с патрубками 2, 8, 4 и 5. Последние расположены наклонно друг нод другом в одной плоскости. Внутри трубки, у входа в каждый патрубок, чаходятся отражатели б, 7, 8 и 9 постепенно изменяющейся длины. Тукопровод может устанавливаться за рабочими органами чизель-культиватора УКП-А или УКП-АУ Жидкие или гранулированные удобрения, подаваемые сверху в трубу 1 тукопровода, отражателями б, 7, 8 и 9 разделяются по...

Номер патента: 1755111

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Абрамович, Мольков

МПК: G01N 3/58

Метки: минимальной, слоя, срезаемого, толщины

...микротвердости по глубине образца 2 до резания в системе Н, Осг).Распределение микротвердости по глубине образца 2 от первого прохода обозначено графиком 4 в системе Н/ О Ь.Второй проход выполняют с наклоном. режущей кромки резца 1 подострым углома относительно образующей поверхностиМО, полученной в первом проходе, и образованием поверхности с образующей АР.Затем производят измерение поверхностной микротвердости по ширине срезаАР, образованного вторым проходом, например с помощью микроскопа ПМТ-З.Строят график 5 распределения микротвердости по ширине среза АР, ордината которого проходит через точку пересеченияобразующих поверхностей (точка А), полученных в обоих проходах в системе НО 1.На графике 5 распределения...

Номер патента: 311176

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонин, Пульцин

МПК: G01N 3/42

Метки: глубины, легирующих, перераспределения, слоя, элементов

...может иметь различную форму (пирамида, шарик и т. д.). Исследуемую поверхность подвергают термообработке, а затем внедряют в нее тот же индектор при постепенно возврастающей нагрузке. Определяют параметры отпечатков, соответствующие заданной нагрузке, Точность определения глубины слоя перераспределения легирующих элементов повышается с уменьшением разницы между последующими и предыдущими величинами приложенной нагрузки, Строят зависимость параметров отпечатков от величины нагрузки. По отклонениям полученной зависимости от прямолинейной находят уча,гЙ Пос тмст изобретенияСпособ определения глубины слоя пере 10 О аспределения легирующих элементов, заключагощиР 1 ся в том, по гредварительно подгогазливают исследуемую поверхность образца,...