Способ демодуляции
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 145647
Автор: Цаценкин
Текст
Класс 21 с, 57 з 2Ло 145647ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л 91В. К, ЦаценкинСПОСОБ ДЕМОДУЛЯЦИИЗаявлено 27 июля 1961 г. за Ла 739857/24-7 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений Ла б за 1962 г.Известен способ демодуляции с усилением сигнала несущей частоты, основанный на явлении накопления неосновных носителей заряда в транзисторе. В случаях, когда непосредственная связь этого транзистора с предыдущими каскадами затруднена, приходится применять предварительные усилители с несущей частотой, которая затем выпрямляется в выходном каскаде,Предлагаемый способ демодуляции отличается от известных тем, что позволяет упростить межкаскадные связи транзисторного усилителя, работающего на повышенной несущей частоте с последующей демодуляцией. Это достигается путем блокирования положительных импульсов на базе выходного транзистора диодом и вьбором таких соотношений амплитуд и длительностей положительного и отрицательного прямоугольных импульсов напряжения несущей частоты, при которых за время положительного импульса транзистор не выходит из области насыщения.Сущность предлагаемого способа поясняется принципиальной схемой, изображенной на фиг. 1 и графиком - на фиг. 2.Сигнал несущей частоты через трансформатор 1 подается в цепь базы транзистора 2. Форма напряжения между точками 3 и 4 показана на фиг, 2. В течение интервала времени ь транзистор 2 открыт отрицательным напряжением Уз 4 и находится в режиме насыщения, т, е в базе имеется избыток носителей заряда. В течение времени 1 напряжение с 1 з- положительно, но оно не приложено к переходу эммитер-база транзистора, а полностью падает на обратном сопротивлении диода 5 Таким образом, положительный импульс напряжения на базе транзистора оказывается блокированным диодом 5 и некоторое время остается открытым при отсутствии отпирающего напряжения на базе. Соотношения амплитуд и длительностей 6 и з лрямоугольных импульсов несущей частоты подбираются так, что транзистор 2 в течение всего времени подачи сигнала в цепь базы будет на145647 ходиться в режиме насыщения, и в нагрузке б будет протекать практически постоянный ток.Предлагаемый способ демодуляции обладает новизной и может найти применение на практике, так как обеспечивает получение положительного эффекта, при котором упрощаются связи между каскадами транзисторного усилителя. Предмет изобретения Способ демодуляции с усилением сигнала несущей частоты, основанный на явлении накопления неосновных носителей в транзисторе, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения межкаскадных связей усилителя, положительный импульс на базе транзистора блокируют диодом и выбирают такие соотношения амплитуд и длительностеи прямоугольных импульсов несущей частоты, при которых за время положительного импульса транзистор не выходит из области насыщения. фиг 2 Составитель Л. 3 убинн актор М, В. Золота схред А. А, Камышникова Корректор Г. Е. Кудряв Подп. к иеч, 11,1-62 г. Формат бум, 70 Х 108/6Зак. 3357 Тираж 1050ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква, Центр, М. Черкасский пер, д. 2/6.Типография ЦБТ 1, Москва, Петровка, 4. Объем 0,18 изд. л. Цена 4 кои,Министров СССР
СмотретьЗаявка
739857, 27.07.1961
Цаценкин В. К
МПК / Метки
МПК: H03D 1/14
Метки: демодуляции
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-145647-sposob-demodulyacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ демодуляции</a>
Предыдущий патент: Самонастраивающаяся следящая система
Следующий патент: Устройство для регулирования нагрузки главного привода реверсивного прокатного стана
Случайный патент: Способ получения сульфаниламида